HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | T/T、L/C、D/A、D/P |
短答:HACC102S100V500は、容量1000pF±10%、定格DC電圧100Vの単層MOSコンデンサで、フロートゾーンシリコン上に300nmの熱酸化SiO2誘電体を厚さ0.50 x 0.50 x 0.15 mmのチップに形成しています。ワイド温度、低アウトガスのアセンブリ用に仕様されており、ダイアタッチおよびワイヤボンディングが可能です。容量、定格電圧、チップ形状、誘電体タイプ、金属化スタックはすべてカスタマイズ可能です。高温でのアビオニクスおよびエンジン制御エレクトロニクスパラメータ
| 容量 | 1000 pF ±10% (±5%も可能) |
| 定格DC電圧 | 100V |
| 誘電体 | 熱酸化SiO2、300 nm |
| チップサイズ | XバンドからKaバンドまでのレーダーフロントエンド整合ネットワーク高温でのアビオニクスおよびエンジン制御エレクトロニクス>2000 (1 MHz)、>200 (1 GHz) |
| 1 GHzでのESR | <0.1 Ω |
| 固有ESL | <0.05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/℃ |
| リーク電流 | <10 nA (25℃)、<100 nA (125℃) |
| アウトガス | TML <0.60%、CVCM <0.05% (ASTM E595準拠) |
| トップ電極 | TaN/TiW/Ni/Au、≥2.5 μm Au、ワイヤボンディング可能 |
| 動作温度 | -65℃～+200℃ 拡張レンジビルドMSLMSL 1 (J-STD-020準拠) |
| 航空宇宙・防衛エレクトロニクス向けのワイド温度安定性 | 熱酸化SiO2はパラエレクトリックであるため、容量は設計者が設定した値に留まります。温度係数は-55℃～+125℃の範囲で0±30 ppm/℃、DCバイアス係数は0Vから定格の100Vまで10 ppm/V未満であり、強誘電性エージングがないため、長期間の使用でも静かな値のドリフトは発生しません。拡張レンジビルドは-65℃～+200℃でテストされ、ロットごとに認定レポートが要求に応じて提供されます。また、-65℃と+150℃間の1000回の熱サイクルで電極の剥離は発生しません。典型的な用途は、アビオニクス、衛星バス電源分配、レーダーフロントエンド、高温産業用制御、ダウンホール計測機器です。 |
| 半導体グレードの純度と低アウトガスによる超クリーンアプリケーション | 誘電体はセラミックスラリーから成膜するのではなく、ウェハーファブで熱成長させるため、完成したチップにはバインダー、焼結助剤、残留有機溶媒が含まれていません。総質量損失は0.60%未満、収集可能な揮発性凝縮物質は0.05%未満（ASTM E595準拠）であり、真空暴露ハードウェアに適用されるスクリーニング制限を十分に満たしています。これは、凝縮膜が光学表面を曇らせたり、検出器を汚染したりする可能性のある場所、すなわち真空計測チャンバー、電子・イオンビームコラム、質量分析計光学系、密閉センサーパッケージ、衛星ペイロードアセンブリなどで重要です。ウェハーロットのトレーサビリティと、要求に応じて残留ガス分析データが各ロットに付属します。 |
| 主な用途 | 衛星バス電源分配およびペイロードDCブロッキング |
XバンドからKaバンドまでのレーダーフロントエンド整合ネットワーク高温でのアビオニクスおよびエンジン制御エレクトロニクス真空計測機器、イオン光学系、質量分析計フロントエンド
GaN-on-SiC HEMTドレインバイアスデカップリング (28-50V電源)
