Capacitore MOS mono strato a temperatura ampia 1000 pF Chip a bassa emissione di gas per elettronica di difesa aerospaziale

Condensatore MOS a strato singolo HACC102S100V500 per alte temperature, 1000 pF, 100V

Risposta breve: l'HACC102S100V500 è un condensatore MOS a strato singolo con capacità di 1000 pF ±10% e una tensione nominale di 100V CC, realizzato su silicio float-zone con un SiO termicamente cresciuto di 300 nm_{Purezza di grado semiconduttore e basso degassamento per applicazioni ultra-pulite} dielettrico in un chip da 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. È specificato per assemblaggi a temperature elevate e a basso degassamento che vengono fissati a chip e cablati. Capacità, tensione nominale, geometria del chip, tipo di dielettrico e stack di metallizzazione sono tutti personalizzabili.

Specifiche in sintesi

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è paraelettrico, quindi la capacità rimane dove l'ha impostata il progettista. Il coefficiente di temperatura è 0 ±30 ppm/°C nell'intervallo da -55°C a +125°C, il coefficiente di polarizzazione CC è inferiore a 10 ppm/V da 0V alla piena tensione nominale di 100V, e non c'è invecchiamento ferroelettrico, quindi una lunga durata non significa una deriva silenziosa del valore. La build a range esteso è testata da -65°C a +200°C con un rapporto di qualifica per lotto su richiesta, e 1000 cicli termici tra -65°C e +150°C non producono delaminazione dell'elettrodo. L'uso tipico è avionica, distribuzione di potenza del bus satellitare, front-end radar, controlli industriali ad alta temperatura e strumentazione down-hole._{Purezza di grado semiconduttore e basso degassamento per applicazioni ultra-pulite}Poiché il dielettrico viene fatto crescere termicamente in una fab di wafer invece di essere depositato da una sospensione ceramica, il chip finito non contiene leganti, ausiliari di sinterizzazione o veicolo organico residuo. La perdita di massa totale è inferiore allo 0,60% e i materiali condensabili volatili raccolti inferiori allo 0,05% secondo ASTM E595, ben all'interno dei limiti di screening applicati all'hardware esposto al vuoto. Ciò è importante ovunque una pellicola condensata possa appannare una superficie ottica o contaminare un rivelatore: camere a vuoto, colonne di fasci elettronici e ionici, ottiche di spettrometri di massa, pacchetti di sensori sigillati e assemblaggi di payload satellitari. La tracciabilità del lotto di wafer e, su richiesta, i dati di analisi dei gas residui vengono spediti con ogni lotto.

Applicazioni tipiche

Distribuzione di potenza del bus satellitare e blocco CC del payload

Disaccoppiamento di alimentazione del modulo trasmettitore/ricevitore a phased-array

• Reti di adattamento front-end radar da X-band a Ka-band
• Elettronica di controllo avionica e motori a temperatura elevata
• Strumentazione per vuoto, ottiche ioniche e front-end di spettrometri di massa
• Strumentazione down-hole e geotermica
• Disaccoppiamento di polarizzazione di drain HEMT GaN-on-SiC (alimentazione 28-50V)