Μεγάλη θερμοκρασία 1000 pF Μονόστρωμα MOS Συμπιεστήρας Τσιπ χαμηλής εκπομπής αερίων για αεροδιαστημική αμυντική ηλεκτρονική

HACC102S100V500 Πυκνωτής MOS Μονού Στρώματος Ευρέος Φάσματος Θερμοκρασίας 1000 pF 100V

Σύντομη απάντηση: ο HACC102S100V500 είναι ένας πυκνωτής MOS μονής στρώσης με χωρητικότητα 1000 pF ±10% και ονομαστική τάση 100V DC, κατασκευασμένος σε πυρίτιο float-zone με θερμικά αναπτυγμένο SiO 300 nm_{Ημιαγωγικής Καθαρότητας και Χαμηλής Εκπομπής Αερίων για Εφαρμογές Υπερ-Καθαρότητας} διηλεκτρικό σε τσιπ 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Έχει προδιαγραφές για συναρμολογήσεις ευρέος φάσματος θερμοκρασίας, χαμηλής εκπομπής αερίων που είναι συνδεδεμένες με τσιπ και συγκολλημένες με σύρμα. Η χωρητικότητα, η ονομαστική τάση, η γεωμετρία του τσιπ, ο τύπος του διηλεκτρικού και η στοίβα μεταλλουργίας είναι όλα προσαρμόσιμα.

Προδιαγραφές εν συντομία

2

είναι παραηλεκτρικό, οπότε η χωρητικότητα παραμένει εκεί που την έβαλε ο σχεδιαστής. Ο συντελεστής θερμοκρασίας είναι 0 ±30 ppm/°C στο εύρος -55°C έως +125°C, ο συντελεστής πόλωσης DC είναι κάτω από 10 ppm/V από 0V έως την πλήρη ονομαστική τιμή 100V, και δεν υπάρχει φεροηλεκτρική γήρανση, οπότε η μακρά διάρκεια ζωής δεν σημαίνει σιωπηλή μετατόπιση τιμής. Η έκδοση εκτεταμένου εύρους δοκιμάζεται από -65°C έως +200°C με αναφορά πιστοποίησης ανά παρτίδα κατόπιν αιτήματος, και 1000 θερμικοί κύκλοι μεταξύ -65°C και +150°C δεν προκαλούν αποκόλληση ηλεκτροδίου. Τυπική χρήση είναι αεροηλεκτρονικά, διανομή ισχύος σε δορυφορικές μονάδες, μπροστινά στάδια ραντάρ, βιομηχανικά συστήματα ελέγχου υψηλής θερμοκρασίας και όργανα κάτω από την επιφάνεια._{Ημιαγωγικής Καθαρότητας και Χαμηλής Εκπομπής Αερίων για Εφαρμογές Υπερ-Καθαρότητας}Επειδή το διηλεκτρικό αναπτύσσεται θερμικά σε εργοστάσιο πλακετών αντί να εναποτίθεται από κεραμική πάστα, το τελικό τσιπ δεν περιέχει συνδετικό υλικό, ενισχυτικό πυροσυσσωμάτωσης ή υπολειμματικό οργανικό όχημα. Η συνολική απώλεια μάζας είναι κάτω από 0,60% και τα συλλεχθέντα πτητικά συμπυκνώσιμα υλικά κάτω από 0,05% ανά ASTM E595, πολύ εντός των ορίων ελέγχου που εφαρμόζονται σε υλικό που εκτίθεται σε κενό. Αυτό έχει σημασία οπουδήποτε μια συμπυκνωμένη μεμβράνη θα θόλωνε μια οπτική επιφάνεια ή θα μόλυνε έναν ανιχνευτή: θαλάμους οργάνων κενού, στήλες δέσμης ηλεκτρονίων και ιόντων, οπτικά φασματομέτρων μάζας, σφραγισμένες συσκευασίες αισθητήρων και συναρμολογήσεις ωφέλιμου φορτίου δορυφόρων. Η ιχνηλασιμότητα της παρτίδας πλακετών και, κατόπιν αιτήματος, δεδομένα ανάλυσης υπολειμματικών αερίων αποστέλλονται με κάθε παρτίδα.

Τυπικές Εφαρμογές

Διανομή ισχύος δορυφορικών μονάδων και μπλοκάρισμα DC ωφέλιμου φορτίου

Αποσύζευξη τροφοδοσίας μονάδας μετάδοσης/λήψης φασικής mατρις

• Δίκτυα αντιστοίχισης μπροστινού σταδίου ραντάρ από X-band έως Ka-band
• Ηλεκτρονικά ελέγχου αεροηλεκτρονικών και κινητήρων σε αυξημένη θερμοκρασία
• Όργανα κενού, οπτικά ιόντων και μπροστινά στάδια φασματομέτρων μάζας
• Όργανα κάτω από την επιφάνεια και γεωθερμικά όργανα
• Αποσύζευξη πόλωσης Drain HEMT GaN-on-SiC (τροφοδοσία 28-50V)