HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | T/T، L/C، D/A، D/P |
پاسخ کوتاه: HACC102S100V500 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 1000 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ نامی 100 ولت DC است که بر روی سیلیکون فلوت‌زون با SiO حرارتی رشد کرده 300 نانومتری ساخته شده است.خلوص درجه نیمه‌هادی و کم‌گازدهی برای کاربردهای فوق‌العاده تمیز دی‌الکتریک در یک تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر. این قطعه برای مونتاژهای با دمای گسترده و کم‌گازدهی که به صورت اتصال دای و سیم‌بندی شده‌اند، مشخص شده است. ظرفیت، ولتاژ نامی، هندسه تراشه، نوع دی‌الکتریک و پشته فلزی‌سازی همگی قابل سفارشی‌سازی هستند.
| پارامتر | مقدار |
| ظرفیت | 1000 پیکوفاراد ±10% (±5% موجود است) |
| ولتاژ نامی DC | 100 ولت |
| دی‌الکتریک | پارالکتریک است، بنابراین ظرفیت در جایی که طراح قرار داده است باقی می‌ماند. ضریب دما 0 ±30 ppm/درجه سانتیگراد در دامنه -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد است، ضریب بایاس DC کمتر از 10 ppm/V از 0 ولت تا حداکثر ولتاژ نامی 100 ولت است و هیچ پیری فروالکتریک وجود ندارد، بنابراین عمر طولانی به معنای انحراف مقادیر بی‌صدا نیست. ساخت دامنه گسترده از -65 درجه سانتیگراد تا +200 درجه سانتیگراد آزمایش شده است و گزارش صلاحیت به ازای هر دسته در صورت درخواست موجود است، و 1000 چرخه حرارتی بین -65 درجه سانتیگراد و +150 درجه سانتیگراد هیچ جداشدگی الکترود ایجاد نمی‌کند. کاربرد معمول آن در اویونیک، توزیع برق باس ماهواره، ورودی‌های رادار، کنترل‌های صنعتی با دمای بالا و ابزار دقیق زیرزمینی است.خلوص درجه نیمه‌هادی و کم‌گازدهی برای کاربردهای فوق‌العاده تمیز، 300 نانومتر |
| اندازه تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر |
| ضریب Q | >2000 در 1 مگاهرتز، >200 در 1 گیگاهرتز |
| ESR در 1 گیگاهرتز | <0.1 اهم |
| ESL ذاتی | <0.05 نانو هانری |
| TCC | 0 ±30 ppm/درجه سانتیگراد |
| نشتی | <10 نانو آمپر در 25 درجه سانتیگراد، <100 نانو آمپر در 125 درجه سانتیگراد |
| گازدهی | TML <0.60%، CVCM <0.05% طبق ASTM E595الکترود بالاییTaN/TiW/Ni/Au، ≥2.5 میکرومتر Au، قابل سیم‌بندی |
| دمای عملیاتی | ساخت با دامنه گسترده -65 درجه سانتیگراد تا +200 درجه سانتیگراد |
| MSL | MSL 1 طبق J-STD-020 |
| پایداری دمای گسترده برای الکترونیک هوافضا و دفاعی | SiO حرارتی |
پارالکتریک است، بنابراین ظرفیت در جایی که طراح قرار داده است باقی می‌ماند. ضریب دما 0 ±30 ppm/درجه سانتیگراد در دامنه -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد است، ضریب بایاس DC کمتر از 10 ppm/V از 0 ولت تا حداکثر ولتاژ نامی 100 ولت است و هیچ پیری فروالکتریک وجود ندارد، بنابراین عمر طولانی به معنای انحراف مقادیر بی‌صدا نیست. ساخت دامنه گسترده از -65 درجه سانتیگراد تا +200 درجه سانتیگراد آزمایش شده است و گزارش صلاحیت به ازای هر دسته در صورت درخواست موجود است، و 1000 چرخه حرارتی بین -65 درجه سانتیگراد و +150 درجه سانتیگراد هیچ جداشدگی الکترود ایجاد نمی‌کند. کاربرد معمول آن در اویونیک، توزیع برق باس ماهواره، ورودی‌های رادار، کنترل‌های صنعتی با دمای بالا و ابزار دقیق زیرزمینی است.خلوص درجه نیمه‌هادی و کم‌گازدهی برای کاربردهای فوق‌العاده تمیزاز آنجایی که دی‌الکتریک به جای رسوب‌گذاری از دوغاب سرامیکی، به صورت حرارتی در یک کارخانه ویفر رشد می‌کند، تراشه نهایی حاوی هیچ چسبنده، کمک ذوب یا باقی‌مانده وسیله نقلیه آلی نیست. مجموع اتلاف جرم کمتر از 0.60% و مواد قابل میعان حجمی جمع‌آوری شده کمتر از 0.05% طبق ASTM E595 است که به خوبی در محدوده‌های غربالگری اعمال شده به سخت‌افزارهای در معرض خلاء قرار می‌گیرد. این امر در هر جایی که یک لایه متراکم سطح نوری را مه آلود کند یا یک آشکارساز را آلوده کند، اهمیت دارد: محفظه‌های ابزار دقیق خلاء، ستون‌های پرتو الکترونی و یونی، اپتیک طیف‌سنج جرمی، بسته‌های سنسور مهر و موم شده و مونتاژهای بار مفید ماهواره. ردیابی دسته ویفر و، در صورت درخواست، داده‌های تجزیه و تحلیل گاز باقی‌مانده با هر دسته ارسال می‌شود.
توزیع برق باس ماهواره و مسدود کردن DC بار مفید
