Breit-Temperatur 1000 pF Einzelschicht-MOS-Kondensator mit geringer Ausgasung für Luft- und Raumfahrt-Verteidigungselektronik

HACC102S100V500 Breit-Temperatur 1000 pF 100V Single Layer MOS-Kondensator-Chip

Kurzantwort: Der HACC102S100V500 ist ein einlagiger MOS-Kondensator mit 1000 pF ±10% Kapazität und einer Nennspannung von 100V DC, gefertigt auf Float-Zone-Silizium mit einer 300 nm thermisch gewachsenen SiO_{Halbleiter-Reinheit und geringe Ausgasung für ultra-saubere Anwendungen} Dielektrikum in einem 0,50 x 0,50 x 0,15 mm Chip. Er ist für Anwendungen bei breiten Temperaturen und geringer Ausgasung spezifiziert, die mit Die-Attach und Drahtbonden ausgeführt werden. Kapazität, Spannungsfestigkeit, Chipgeometrie, Dielektrikumtyp und Metallisierungsschicht sind alle anpassbar.

Spezifikationen auf einen Blick

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ist paraelektrisch, daher bleibt die Kapazität dort, wo der Entwickler sie platziert hat. Der Temperaturkoeffizient beträgt 0 ±30 ppm/°C über den Bereich von -55°C bis +125°C, der Gleichspannungs-Koeffizient liegt unter 10 ppm/V von 0V bis zur vollen Nennspannung von 100V, und es gibt keine ferroelektrische Alterung, sodass eine lange Lebensdauer nicht mit einer stillen Wertdrift einhergeht. Die erweiterte Ausführung wird von -65°C bis +200°C getestet, mit einem Qualifizierungsbericht pro Los auf Anfrage, und 1000 thermische Zyklen zwischen -65°C und +150°C führen zu keiner Elektrodenablösung. Typische Anwendungen sind Avionik, Satellitenbus-Stromverteilung, Radar-Front-Ends, Hochtemperatur-Industriesteuerungen und Down-Hole-Instrumentierung._{Halbleiter-Reinheit und geringe Ausgasung für ultra-saubere Anwendungen}Da das Dielektrikum in einer Wafer-Fabrik thermisch gewachsen und nicht aus einer Keramikschlämme abgeschieden wird, enthält der fertige Chip keinen Binder, Sinterhilfsstoff oder restliches organisches Bindemittel. Der Gesamtmassenverlust liegt unter 0,60% und die gesammelten kondensierbaren flüchtigen Materialien unter 0,05% gemäß ASTM E595, weit innerhalb der Grenzwerte für Vakuum-exponierte Hardware. Das ist wichtig überall dort, wo ein kondensierter Film eine optische Oberfläche beschlagen oder einen Detektor kontaminieren würde: Vakuum-Instrumentenkammern, Elektronen- und Ionenstrahlröhren, Massenspektrometer-Optiken, versiegelte Sensorpakete und Satelliten-Nutzlast-Baugruppen. Wafer-Chargen-Rückverfolgbarkeit und, auf Anfrage, Daten zur Analyse von Restgasen werden mit jeder Charge geliefert.

Typische Anwendungen

Satellitenbus-Stromverteilung und DC-Blockierung von Nutzlasten

Entkopplung der Stromversorgung von Phased-Array-Sende-/Empfangsmodulen

• Anpassungsnetzwerke für Radar-Front-Ends von X-Band bis Ka-Band
• Avionik und Motorsteuerungselektronik bei erhöhter Temperatur
• Vakuum-Instrumentierung, Ionenoptiken und Massenspektrometer-Front-Ends
• Down-Hole- und geothermische Instrumentierung
• GaN-on-SiC HEMT Drain-Bias-Entkopplung (28-50V Versorgung)