Capacitor MOS de capa única de 1000 pF de temperatura amplia y baja desgasificación para electrónica aeroespacial y de defensa

HACC102S100V500 Capacitor MOS de Capa Única de Amplia Temperatura de 1000 pF y 100V

Respuesta corta: el HACC102S100V500 es un condensador MOS de capa única con una capacitancia de 1000 pF ±10% y una clasificación de 100V CC, construido sobre silicio de zona flotante con un SiO térmicamente crecido de 300 nm_{Pureza de grado semiconductor y baja desgasificación para aplicaciones ultralimpias} dieléctrico en un chip de 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Está especificado para ensamblajes de amplia temperatura y baja desgasificación que se unen por troquel y se unen por cable. La capacitancia, la clasificación de voltaje, la geometría del chip, el tipo de dieléctrico y la pila de metalización son personalizables.

Especificaciones de un vistazo

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es প্যারaeléctrico, por lo que la capacitancia permanece donde la colocó el diseñador. El coeficiente de temperatura es de 0 ±30 ppm/°C en el rango de -55°C a +125°C, el coeficiente de polarización CC es inferior a 10 ppm/V desde 0V hasta la clasificación completa de 100V, y no hay envejecimiento ferroeléctrico, por lo que una larga vida útil no significa una deriva silenciosa del valor. La construcción de rango extendido se prueba de -65°C a +200°C con un informe de calificación por lote a pedido, y 1000 ciclos térmicos entre -65°C y +150°C no producen delaminación del electrodo. El uso típico es en aviónica, distribución de energía de bus de satélite, frontales de radar, controles industriales de alta temperatura e instrumentación de fondo de pozo._{Pureza de grado semiconductor y baja desgasificación para aplicaciones ultralimpias}Debido a que el dieléctrico se cultiva térmicamente en una fábrica de obleas en lugar de depositarse a partir de una suspensión cerámica, el chip terminado no contiene aglutinante, ayuda de sinterización ni vehículo orgánico residual. La pérdida total de masa es inferior al 0,60% y los materiales condensables volátiles recolectados son inferiores al 0,05% según ASTM E595, muy dentro de los límites de detección aplicados al hardware expuesto al vacío. Eso importa en cualquier lugar donde una película condensada empañaría una superficie óptica o contaminaría un detector: cámaras de instrumentos de vacío, columnas de haz de electrones e iones, óptica de espectrómetros de masas, paquetes de sensores sellados y ensamblajes de carga útil de satélites. La trazabilidad del lote de obleas y, a pedido, los datos de análisis de gas residual se envían con cada lote.

Aplicaciones típicas

Distribución de energía de bus de satélite y bloqueo de CC de carga útil

Desacoplamiento de suministro de módulo transmisor/receptor de phased array

• Redes de adaptación de frontales de radar de X-band a Ka-band
• Electrónica de control de aviónica y motores a temperatura elevada
• Instrumentación de vacío, óptica de iones y frontales de espectrómetros de masas
• Instrumentación de fondo de pozo y geotérmica
• Desacoplamiento de polarización de drenaje HEMT GaN-on-SiC (suministro de 28-50V)