| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Kort antwoord: de HACC102S100V500 is een enkellaagse MOS-condensator met 1000 pF ±10% capaciteit en een 100V DC-rating, gebouwd op float-zone silicium met een 300 nm thermisch gegroeide SiOHalfgeleiderkwaliteit Zuiverheid en Lage Ontgassing voor Ultra-Schone Toepassingen diëlektricum in een 0,50 x 0,50 x 0,15 mm chip. Het is gespecificeerd voor brede temperatuur, low-outgassing assemblages die met de chip worden bevestigd en met draad worden gebonden. Capaciteit, spanningsbereik, chipgeometrie, diëlektricumtype en metallisatie-stack zijn allemaal aanpasbaar.
| Parameter | Waarde |
| Capaciteit | 1000 pF ±10% (±5% beschikbaar) |
| Nominale DC-spanning | 100V |
| Diëlektricum | is para-elektrisch, dus de capaciteit blijft waar de ontwerper hem heeft geplaatst. De temperatuurcoëfficiënt is 0 ±30 ppm/°C over het bereik van -55°C tot +125°C, de DC-biascoëfficiënt is lager dan 10 ppm/V van 0V tot de volledige 100V-rating, en er is geen ferro-elektrische veroudering, dus een lange levensduur betekent geen stille waarde-drift. De uitgebreide versie wordt getest van -65°C tot +200°C met een kwalificatieverslag per lot op aanvraag, en 1000 thermische cycli tussen -65°C en +150°C veroorzaken geen elektrode-delaminatie. Typisch gebruik is avionica, satellietbus stroomdistributie, radar front-ends, industriële regelingen bij hoge temperaturen en down-hole instrumentatie.Halfgeleiderkwaliteit Zuiverheid en Lage Ontgassing voor Ultra-Schone Toepassingen, 300 nm |
| Chipafmeting | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Q-factor | >2000 bij 1 MHz, >200 bij 1 GHz |
| ESR bij 1 GHz | <0,1 Ω |
| Intrinsieke ESL | <0,05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| Lekkage | <10 nA bij 25°C, <100 nA bij 125°C |
| Ontgassing | TML <0,60%, CVCM <0,05% per ASTM E595Bovenste elektrodeTaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 µm Au, draad-bondbaar |
| Bedrijfstemperatuur | -65°C tot +200°C uitgebreid bereik |
| MSL | MSL 1 per J-STD-020 |
| Brede Temperatuurstabiliteit voor Luchtvaart- en Defensie-elektronica | Thermische SiO |
is para-elektrisch, dus de capaciteit blijft waar de ontwerper hem heeft geplaatst. De temperatuurcoëfficiënt is 0 ±30 ppm/°C over het bereik van -55°C tot +125°C, de DC-biascoëfficiënt is lager dan 10 ppm/V van 0V tot de volledige 100V-rating, en er is geen ferro-elektrische veroudering, dus een lange levensduur betekent geen stille waarde-drift. De uitgebreide versie wordt getest van -65°C tot +200°C met een kwalificatieverslag per lot op aanvraag, en 1000 thermische cycli tussen -65°C en +150°C veroorzaken geen elektrode-delaminatie. Typisch gebruik is avionica, satellietbus stroomdistributie, radar front-ends, industriële regelingen bij hoge temperaturen en down-hole instrumentatie.Halfgeleiderkwaliteit Zuiverheid en Lage Ontgassing voor Ultra-Schone ToepassingenOmdat het diëlektricum thermisch wordt gegroeid in een waferfabriek in plaats van te worden afgezet uit een keramische slurry, bevat de voltooide chip geen bindmiddel, sinterhulpmiddel of rest van organisch voertuig. Het totale massaverlies is minder dan 0,60% en verzamelde vluchtige condenseerbare materialen minder dan 0,05% per ASTM E595, ruim binnen de screeningslimieten die worden toegepast op vacuüm-blootgestelde hardware. Dat is belangrijk overal waar een gecondenseerde film een optisch oppervlak zou beslaan of een detector zou besmetten: vacuüm instrumentkamers, elektronen- en ionenbundelkolommen, massaspectrometeroptiek, afgedichte sensorpakketten en satellietpayload-assemblages. Wafer lot traceerbaarheid en, op aanvraag, data van residu gasanalyse worden met elk lot meegeleverd.
Satellietbus stroomdistributie en payload DC-blokkering
![]()