우주 항공 방위 전자 제품용 광대역 온도 1000 pF 단층 MOS 커패시터 저탈기 칩

HACC102S100V500 광대역 온도 1000 pF 100V 단일층 MOS 커패시터 칩

짧은 답변: HACC102S100V500은 1000 pF ±10% 정전 용량과 100V DC 정격을 가진 단일층 MOS 커패시터로, 플로트 존 실리콘 위에 300nm 두께의 열 산화 SiO_{반도체 등급 순도 및 저탈기 특성으로 초청정 애플리케이션에 적합} 유전체를 사용하여 0.50 x 0.50 x 0.15 mm 칩으로 제작되었습니다. 광대역 온도, 저탈기 조립에 적합하며 다이 부착 및 와이어 본딩이 가능합니다. 정전 용량, 전압 정격, 칩 형상, 유전체 유형 및 금속화 스택은 모두 맞춤 설정 가능합니다.

사양 요약

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는 강유전체가 아니므로 정전 용량은 설계자가 설정한 값 그대로 유지됩니다. 온도 계수는 -55°C ~ +125°C 범위에서 0 ±30 ppm/°C이며, DC 바이어스 계수는 0V에서 최대 100V 정격까지 10 ppm/V 미만이고, 강유전체 노화가 없어 장기간 사용해도 값의 드리프트가 없습니다. 확장 범위 빌드는 -65°C ~ +200°C에서 테스트되었으며, 로트별 인증 보고서를 요청 시 제공합니다. -65°C와 +150°C 사이의 1000회 열 사이클에도 전극 박리가 발생하지 않습니다. 일반적인 용도로는 항공 전자 장치, 위성 버스 전력 분배, 레이더 프론트 엔드, 고온 산업 제어 및 다운홀 계측 장비가 있습니다._{반도체 등급 순도 및 저탈기 특성으로 초청정 애플리케이션에 적합}유전체가 세라믹 슬러리에서 증착되는 것이 아니라 웨이퍼 팹에서 열적으로 성장하기 때문에 완성된 칩에는 바인더, 소결 보조제 또는 잔류 유기물이 포함되어 있지 않습니다. 총 질량 손실은 0.60% 미만이고 수집된 휘발성 응축 물질은 0.05% 미만(ASTM E595 기준)으로, 진공 노출 하드웨어에 적용되는 스크리닝 한계를 훨씬 초과합니다. 이는 응축된 필름이 광학 표면을 흐리게 하거나 검출기를 오염시킬 수 있는 모든 곳, 즉 진공 계측 챔버, 전자 및 이온 빔 컬럼, 질량 분석기 광학 장치, 밀봉된 센서 패키지 및 위성 페이로드 어셈블리에 중요합니다. 웨이퍼 로트 추적성과 요청 시 잔류 가스 분석 데이터가 각 로트와 함께 제공됩니다.

일반적인 응용 분야

위성 버스 전력 분배 및 페이로드 DC 차단

위상 배열 송수신 모듈 공급 디커플링

• X-밴드 ~ Ka-밴드 레이더 프론트 엔드 매칭 네트워크
• 고온 항공 전자 장치 및 엔진 제어 전자 장치
• 진공 계측, 이온 광학 및 질량 분석기 프론트 엔드
• 다운홀 및 지열 계측
• GaN-on-SiC HEMT 드레인 바이어스 디커플링 (28-50V 공급)