超低損失MOSコンデンサ 優れたTCC VCC安定性 100pF 50V 高Q RFチップ

HACC101S10V500 100pF 50V MOS コンデンサター 高Q因子 超低負荷 RF 優れた TCC VCC 安定性

RFコンデンサータ挿入損失を理解する:Q因子はなぜ信号連鎖性能を定義するのか

全てのRF設計エンジニアは 同じような挫折に直面しています ADSやHFSSで美しくシミュレートできる マッチングネットワークですが ベンチで測定すると 挿入損失は0です予想より5dB悪い原因はほぼ常にコンデンサーである.特に,その有限品質因子 (Q).ギガヘルツ周波数では,コンデンサーQはインピーダンスのマッチングネットワークにおける支配的な損失メカニズムになります.適切なコンデンサーを選択することで 送信機効率の目標の達成と失敗の違いがわかります.

HACC101S10V500は,この課題を正面から解決します.双面の単層セラミックコンデンサー (SLC)定数容量で,100pF ±20% 50V DC でこの成分は最小Q因子1MHzで1000消耗因数 (tan δ) がちょうど1kHzで ≤0.15%このコンデンサターを通過するRFエネルギーのワットごとに 0.15%が熱に変換されます 極めて低い損失数で,よりクリーンな信号経路と冷たい回路を可能にします.

単層対多層:低ESRの物理

なぜ単層コンデンサターが高周波でMLCCを上回るのでしょうか? その答えは現在の経路幾何学にあります. current must traverse multiple internal nickel electrodes connected through vias — a serpentine path that creates both series resistance (ESR) from the thin electrode material and parasitic inductance (ESL) from the enclosed magnetic flux loops1GHzでは,典型的な0402 100pF COG MLCCは,ESR値は0.5-1.5Ωを示します.

HACC101S10V500は,その単層コアキシアル構造上部にある金結合パッドから 垂直流れる電流は 陶器式電解体を通り抜けて 下部にある金接地平面まで 経路長が0.15mmです蛇形経路がない結果は1GHzで0.1Ω未満のESR5G n77 (3.3-4.2GHz) パワーアンプの出力マッチでは,この差はマッチエレメント1つの通過損失の0.3-0.8dBを回復します.

タナ/ティワ/ニ/オウ薄膜金属化:4層,1つのミッション

HACC101S10V500の上下電極は,高度な4層のスプットされた薄膜スタックを備えていますタン/ティワ/ニ/オウ黄金の厚さ最小で2.5μmシンプルな2層金属化システムとは異なり,この多層アプローチは各インターフェースで異なる物理的および化学的分解メカニズムに対処します.

この金属化システムは上下電極の両方に対称的に適用されますチップの方向性に関係なく,ワイヤー・ボンドとダイ・アサッチの性能が同一であることを保証する.

温度と電圧安定性:TCCとVCCが説明されています

温度や直流偏差によって漂流する電容量は 精密RF回路で一連の問題を引き起こします VCO周波数が散行し,マッチングネットワークが不調になり,フィルターコーナー周波数が変化しますHACC101S10V500はI級 COG/NPO セラミック・ダイレクトリック温度容量係数 (TCC) がちょうど0±30ppm/°C完全 -55°C から +125°C の動作範囲全体にわたって,容量は冷却から全電力の安定状態まで ± 0.3%未満の変化を意味する.より高い容量密度を必要とするアプリケーションでは,高K成分 (K≈140)X7R型) も ± 15% の TCC で利用できます.

同じくらい重要なのは電圧係数 (VCC) です.鉄電域圧縮によりDCバイアスの下では30~80%の電容を失うことができるII級X7R/X5R電解電体とは異なり,COG/NPOの配列はゼロに近いVCCを示している. 100pF値は0Vから50Vの全名電圧まで安定している.バイアス・ティとアクティブ・バイアス・ネットワーク設計では,複雑なバイアス依存容量減算表の必要性をなくし,すべてのバイアス条件で一貫したインピーダンスのマッチングを保証します.

2 面 の 境界 の デザイン: エポキシ ショート サイズ を 防止 する

HACC101S10V500のユニークな特徴は,双面の境界 (境界) の建築. 上部と下部電極の両方は,物理的なダムとして機能する非金属化セラミック境界で囲まれています. 導電性銀エポキシド (Epotek H20Eなどの) と自動型ダイアネスメント中に,チップの下から絞り出す余剰エポキシスは,下側の限界で停止します. 側壁に登り,上部電極への橋渡しできません.同時に,上側の縁は金線結合のためのバッファゾーンを提供し,結合毛細管がチップの縁に接触しないことを保証します.

大量生産ラインでは この二重バリア設計は 直接的に 生産量の向上を意味しています エポキシが誘発するショートサーキット欠陥はゼロで 縁の結合はゼロですまた,対称な境界構造は,ピックアップと場所中に上/下視察の必要性を排除両面が機能的に同一であるため

アプリケーション デザイン 注記

• インペデンスマッチング (100MHz~10GHz):1MHzでQ>1000,1GHzでESR<0.1Ωで,HACC101S10V500はLセクション,Tセクション,Piネットワークマッチングトポロジーのコンデンサー要素として例外的に機能する.約0.05nH 25μmの結合線あたりで,連続感受性推定のために.
• DCブロック:50V DCで定位されたコンデンサターは,アンプバイアスインジェクション回路で効果的なDC隔離を提供します. ≤0.15%の低DFは,ブロードバンドACカップリングアプリケーションで最小の信号劣化を保証します.
• VCOタンク回路:COG/NPOダイレクトリクスのほぼゼロのTCCは,温度全体で一貫したLCタンク共鳴を維持し,温度補償バラクタ調節の必要性を排除する.
• 5Gインフラストラクチャと小型セル:単層構造でESLが最小限であるため,6GHz未満の帯域で清潔で共鳴のないパフォーマンスをサポートします. 0.50*0.50mmのダイはMMICキャリアレベルでのハイブリッドマルチチップモジュールに直接統合されます.
• 光ファイバートランシーバー (100G/400G):超低プロファイル (0.15mm) は,密閉型モジュール蓋に収まる.低ESRは,トランスインパデンスアンプバイアスネットワークにおけるI2R損失を最小限に抑える.

アセンブリの速要情報

• デイアタッチ:導電性銀エポキシ (Epotek H20E) 耐熱性最小限のAuSnユーテキス溶接を選択する.
• ワイヤー結合:25μm Au熱音波結合 (120-150°C段階,典型的な引力>6gf).電極端から25μm以上の距離で結合着陸.
• 保存:ウォッフルパックまたはゲルパック 20-25°C,40-60%RHの窒素キャビネットで.推奨条件下では1年保存期間.

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