Capacitor MOS Camada Única de 1000 pF de Ampla Temperatura e Baixa Emissão de Gases para Eletrônicos Aeroespaciais de Defesa

Capacitor MOS de Camada Única HACC102S100V500 de Ampla Temperatura 1000 pF 100V

Resposta curta: o HACC102S100V500 é um capacitor MOS de camada única com capacitância de 1000 pF ±10% e uma classificação de tensão DC de 100V, construído em silício float-zone com um SiO térmico de 300 nm_{Pureza de Grau Semicondutor e Baixa Desgaseificação para Aplicações Ultra-Limpas} dielétrico em um chip de 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. É especificado para montagens de ampla temperatura e baixa desgaseificação que são fixadas por chip e soldadas por fio. Capacitância, classificação de tensão, geometria do chip, tipo de dielétrico e pilha de metalização são todos personalizáveis.

Especificações em Resumo

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é paraelétrico, portanto a capacitância permanece onde o projetista a colocou. O coeficiente de temperatura é de 0 ±30 ppm/°C na faixa de -55°C a +125°C, o coeficiente de polarização DC é inferior a 10 ppm/V de 0V a toda a classificação de 100V, e não há envelhecimento ferroelétrico, portanto a longa vida útil não significa deriva silenciosa de valor. A construção de alcance estendido é testada de -65°C a +200°C com um relatório de qualificação por lote mediante solicitação, e 1000 ciclos térmicos entre -65°C e +150°C não produzem delaminação do eletrodo. O uso típico é em aviônicos, distribuição de energia de barramento de satélite, front-ends de radar, controles industriais de alta temperatura e instrumentação down-hole._{Pureza de Grau Semicondutor e Baixa Desgaseificação para Aplicações Ultra-Limpas}Como o dielétrico é cultivado termicamente em uma fábrica de wafers em vez de ser depositado a partir de uma pasta cerâmica, o chip acabado não contém aglutinante, auxiliar de sinterização ou veículo orgânico residual. A perda total de massa é inferior a 0,60% e os materiais condensáveis voláteis coletados são inferiores a 0,05% por ASTM E595, bem dentro dos limites de triagem aplicados a hardware exposto a vácuo. Isso importa em qualquer lugar onde um filme condensado possa embaçar uma superfície óptica ou contaminar um detector: câmaras de instrumentos a vácuo, colunas de feixe de elétrons e íons, óticas de espectrômetro de massa, pacotes de sensores selados e montagens de carga útil de satélite. A rastreabilidade do lote de wafer e, mediante solicitação, dados de análise de gás residual são enviados com cada lote.

Aplicações Típicas

Distribuição de energia de barramento de satélite e bloqueio de DC de carga útil

Desacoplamento de fonte de módulo de transmissão/recepção de phased-array

• Redes de casamento de front-end de radar de X-band a Ka-band
• Eletrônicos de controle de aviônicos e motores em temperatura elevada
• Instrumentação a vácuo, óticas de íons e front-ends de espectrômetro de massa
• Instrumentação down-hole e geotérmica
• Desacoplamento de polarização de dreno HEMT GaN-on-SiC (fonte de 28-50V)