تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

مكثف MOS أحادي الطبقة واسع النطاق 1000 بيكوفاراد منخفض الانبعاثات للاستخدام في الإلكترونيات الدفاعية للطيران والفضاء

مكثف MOS أحادي الطبقة واسع النطاق 1000 بيكوفاراد منخفض الانبعاثات للاستخدام في الإلكترونيات الدفاعية للطيران والفضاء

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC102S100V500
موك: 10 قطع
شروط الدفع: تي/تي، خطاب الاعتماد، د/أ، د/ف
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, ASTM E595 Outgassing Tested
نوع التركيب:
سلك قابل للربط / AuSn سهل الانصهار، إيبوكسي موصل أو فضي متكلس
قوة سحب السندات السلكية:
>6 gf لسلك Au مقاس 25 ميكرومتر (MIL-STD-883 Method 2011.7)
تصنيف البيئة والتنمية المستدامة:
الفئة 0 (HBM) لكل JESD22-A114
حساسية الرطوبة:
MSL 1 لكل J-STD-020
إبراز:

مكثف MOS 1000 بيكوفاراد للطيران والفضاء

,

مكثف MOS أحادي الطبقة منخفض الانبعاثات

,

مكثف MOS واسع النطاق للإلكترونيات الدفاعية

وصف المنتج

مكثف شريحة MOS أحادي الطبقة واسع النطاق HACC102S100V500 بسعة 1000 بيكوفاراد و 100 فولت

إجابة قصيرة:HACC102S100V500 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 1000 بيكوفاراد ±10% وتقييم جهد تيار مستمر 100 فولت، مبني على سيليكون ذو منطقة عائمة مع طبقة عازلة SiO2 حرارية بسمك 300 نانومتر في شريحة بحجم 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم. تم تحديده للتطبيقات ذات درجات الحرارة الواسعة، والتجميعات ذات الانبعاثات المنخفضة التي يتم ربطها بالرقاقة ولحامها بالأسلاك. يمكن تخصيص السعة، وتقييم الجهد، وهندسة الشريحة، ونوع العازل، ومجموعة المعادن.نقاء بدرجة أشباه الموصلات وانبعاثات منخفضة للتطبيقات فائقة النظافة العازل في شريحة بحجم 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم. تم تحديده للتطبيقات ذات درجات الحرارة الواسعة، والتجميعات ذات الانبعاثات المنخفضة التي يتم ربطها بالرقاقة ولحامها بالأسلاك. يمكن تخصيص السعة، وتقييم الجهد، وهندسة الشريحة، ونوع العازل، ومجموعة المعادن.


المواصفات في لمحة

المعلمة القيمة
السعة 1000 بيكوفاراد ±10% (متوفر ±5%)
جهد التيار المستمر المقنن 100 فولت
العازل هو مادة كهروحرارية، لذا تظل السعة في المكان الذي وضعها فيه المصمم. معامل درجة الحرارة هو 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية عبر نطاق -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية، معامل انحياز التيار المستمر أقل من 10 جزء في المليون/فولت من 0 فولت إلى كامل تقييم 100 فولت، ولا يوجد شيخوخة كهروحرارية، لذا فإن العمر التشغيلي الطويل لا يعني انحرافًا صامتًا في القيمة. تم اختبار البناء ذي النطاق الممتد من -65 درجة مئوية إلى +200 درجة مئوية مع تقرير تأهيل لكل دفعة عند الطلب، و1000 دورة حرارية بين -65 درجة مئوية و+150 درجة مئوية لا تنتج أي تقشير للإلكترود. الاستخدام النموذجي هو في إلكترونيات الطيران، وتوزيع طاقة حافلات الأقمار الصناعية، وواجهات الرادار الأمامية، وأدوات التحكم الصناعية ذات درجات الحرارة العالية، وأجهزة القياس تحت السطح.نقاء بدرجة أشباه الموصلات وانبعاثات منخفضة للتطبيقات فائقة النظافة، 300 نانومتر
حجم الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم
عامل الجودة >2000 عند 1 ميجاهرتز، >200 عند 1 جيجاهرتز
مقاومة السلسلة المكافئة عند 1 جيجاهرتز <0.1 أوم
حث ذاتي للسلسلة المكافئة <0.05 نانوهنري
معامل درجة حرارة السعة 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية
التسرب <10 نانو أمبير عند 25 درجة مئوية، <100 نانو أمبير عند 125 درجة مئوية
الانبعاثات فقدان الكتلة الكلي (TML) <0.60%، المواد المتكثفة المتطايرة (CVCM) <0.05% حسب ASTM E595الإلكترود العلويTaN/TiW/Ni/Au، ≥2.5 ميكرومتر Au، قابل للحام بالأسلاك
درجة حرارة التشغيل نطاق ممتد -65 درجة مئوية إلى +200 درجة مئوية
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL 1 حسب J-STD-020
استقرار واسع النطاق لدرجات الحرارة للإلكترونيات الفضائية والدفاعية حراري SiO


2

هو مادة كهروحرارية، لذا تظل السعة في المكان الذي وضعها فيه المصمم. معامل درجة الحرارة هو 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية عبر نطاق -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية، معامل انحياز التيار المستمر أقل من 10 جزء في المليون/فولت من 0 فولت إلى كامل تقييم 100 فولت، ولا يوجد شيخوخة كهروحرارية، لذا فإن العمر التشغيلي الطويل لا يعني انحرافًا صامتًا في القيمة. تم اختبار البناء ذي النطاق الممتد من -65 درجة مئوية إلى +200 درجة مئوية مع تقرير تأهيل لكل دفعة عند الطلب، و1000 دورة حرارية بين -65 درجة مئوية و+150 درجة مئوية لا تنتج أي تقشير للإلكترود. الاستخدام النموذجي هو في إلكترونيات الطيران، وتوزيع طاقة حافلات الأقمار الصناعية، وواجهات الرادار الأمامية، وأدوات التحكم الصناعية ذات درجات الحرارة العالية، وأجهزة القياس تحت السطح.نقاء بدرجة أشباه الموصلات وانبعاثات منخفضة للتطبيقات فائقة النظافةنظرًا لأن العازل ينمو حراريًا في مصنع رقاقات بدلاً من ترسيبه من ملاط سيراميكي، فإن الشريحة النهائية لا تحتوي على أي مادة رابطة أو مساعد تلبيد أو مركبات عضوية متبقية. يقل إجمالي فقدان الكتلة عن 0.60% والمواد المتكثفة المتطايرة المجمعة أقل من 0.05% حسب ASTM E595، وهي ضمن حدود الفحص المطبقة على الأجهزة المعرضة للفراغ. هذا مهم في أي مكان يمكن أن يشكل فيه فيلم متكثف ضبابًا على سطح بصري أو يلوث كاشفًا: غرف الأدوات الفراغية، أعمدة شعاع الإلكترون والأيونات، بصريات مطياف الكتلة، حزم المستشعرات المغلقة، وتجميعات حمولات الأقمار الصناعية. يتم شحن تتبع دفعة الرقاقات، وعند الطلب، بيانات تحليل الغاز المتبقي مع كل دفعة.


التطبيقات النموذجية

توزيع طاقة حافلات الأقمار الصناعية وحجب التيار المستمر للحمولة


فصل إمداد وحدة الإرسال/الاستقبال ذات المصفوفة الطورية

  • شبكات مطابقة واجهات الرادار من نطاق X إلى نطاق Ka
  • إلكترونيات الطيران والتحكم في المحركات في درجات حرارة مرتفعة
  • أدوات القياس الفراغية، بصريات الأيونات وواجهات مطياف الكتلة
  • أدوات القياس تحت السطح والحرارية الأرضية
  • فصل انحياز المصرف لـ GaN-on-SiC HEMT (إمداد 28-50 فولت)



مكثف MOS أحادي الطبقة واسع النطاق 1000 بيكوفاراد منخفض الانبعاثات للاستخدام في الإلكترونيات الدفاعية للطيران والفضاء