HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Tên thương hiệu: | Hoan |
| Số mô hình: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10 miếng |
| Điều khoản thanh toán: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Trả lời ngắn: HACC102S100V500 là tụ MOS lớp đơn với điện dung 1000 pF ±10% và định mức 100V DC, được chế tạo trên silicon float-zone với lớp điện môi SiO 300 nm được oxy hóa nhiệtĐộ tinh khiết Cấp Bán dẫn và Thoát khí thấp cho Ứng dụng Siêu sạch trong chip 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Nó được chỉ định cho các bộ lắp ráp nhiệt độ rộng, thoát khí thấp được gắn chip và hàn dây. Điện dung, định mức điện áp, hình dạng chip, loại điện môi và cấu trúc kim loại đều có thể tùy chỉnh.
| Thông số | Giá trị |
| Điện dung | 1000 pF ±10% (có sẵn ±5%) |
| Điện áp DC định mức | 100V |
| Điện môi | là điện môi thuận, vì vậy điện dung giữ nguyên như nhà thiết kế đã đặt. Hệ số nhiệt độ là 0 ±30 ppm/°C trong phạm vi -55°C đến +125°C, hệ số thiên vị DC dưới 10 ppm/V từ 0V đến định mức 100V đầy đủ, và không có lão hóa điện môi ferroelectric, vì vậy tuổi thọ dài không có nghĩa là trôi dạt giá trị thầm lặng. Phiên bản phạm vi mở rộng được kiểm tra từ -65°C đến +200°C với báo cáo chứng nhận theo lô theo yêu cầu, và 1000 chu kỳ nhiệt giữa -65°C và +150°C không gây bong tróc điện cực. Sử dụng điển hình là hàng không vũ trụ, phân phối điện bus vệ tinh, đầu cuối radar, điều khiển công nghiệp nhiệt độ cao và thiết bị đo dưới lòng đất.Độ tinh khiết Cấp Bán dẫn và Thoát khí thấp cho Ứng dụng Siêu sạch, 300 nm |
| Kích thước chip | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Hệ số Q | >2000 ở 1 MHz, >200 ở 1 GHz |
| ESR ở 1 GHz | <0,1 Ω |
| ESL nội tại | <0,05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| Dòng rò | <10 nA ở 25°C, <100 nA ở 125°C |
| Thoát khí | TML <0,60%, CVCM <0,05% theo ASTM E595Điện cực trênTaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 μm Au, có thể hàn dây |
| Nhiệt độ hoạt động | Phiên bản phạm vi mở rộng -65°C đến +200°C |
| MSL | MSL 1 theo J-STD-020 |
| Độ ổn định nhiệt độ rộng cho Điện tử Hàng không Vũ trụ và Quốc phòng | SiO nhiệt |
là điện môi thuận, vì vậy điện dung giữ nguyên như nhà thiết kế đã đặt. Hệ số nhiệt độ là 0 ±30 ppm/°C trong phạm vi -55°C đến +125°C, hệ số thiên vị DC dưới 10 ppm/V từ 0V đến định mức 100V đầy đủ, và không có lão hóa điện môi ferroelectric, vì vậy tuổi thọ dài không có nghĩa là trôi dạt giá trị thầm lặng. Phiên bản phạm vi mở rộng được kiểm tra từ -65°C đến +200°C với báo cáo chứng nhận theo lô theo yêu cầu, và 1000 chu kỳ nhiệt giữa -65°C và +150°C không gây bong tróc điện cực. Sử dụng điển hình là hàng không vũ trụ, phân phối điện bus vệ tinh, đầu cuối radar, điều khiển công nghiệp nhiệt độ cao và thiết bị đo dưới lòng đất.Độ tinh khiết Cấp Bán dẫn và Thoát khí thấp cho Ứng dụng Siêu sạchVì điện môi được oxy hóa nhiệt trong nhà máy wafer thay vì được lắng đọng từ huyền phù gốm, chip hoàn chỉnh không chứa chất kết dính, chất trợ thiêu kết hoặc dung môi hữu cơ dư. Tổng khối lượng mất dưới 0,60% và vật liệu ngưng tụ dễ bay hơi thu được dưới 0,05% theo ASTM E595, nằm trong giới hạn sàng lọc áp dụng cho phần cứng tiếp xúc chân không. Điều đó quan trọng ở bất cứ đâu một màng ngưng tụ có thể làm mờ bề mặt quang học hoặc làm nhiễm bẩn bộ dò: buồng đo chân không, cột chùm electron và ion, quang học máy đo khối phổ, gói cảm biến kín và bộ lắp ráp tải trọng vệ tinh. Khả năng truy xuất nguồn gốc lô wafer và, theo yêu cầu, dữ liệu phân tích khí dư được gửi kèm với mỗi lô.
Phân phối điện bus vệ tinh và chặn DC tải trọng
