Condensateur MOS monocouche 1000 pF à large plage de température, faible dégazage, pour l'électronique aérospatiale et de défense

HACC102S100V500 puce de condensateur MOS à large température 1000 pF 100V à couche unique

Réponse courte:le HACC102S100V500 est un condensateur MOS à couche simple avec une capacité de 1000 pF ± 10% et une puissance de 100 V de courant continu, construit sur du silicium de zone flottante avec un SiO thermiquement cultivé à 300 nm₂Il est spécifié pour les ensembles à haute température et à faible dégagement de gaz qui sont fixés à la matrice et liés par câble.le type diélectrique et la pile de métallisation sont tous personnalisables.

Les spécifications en un coup d'œil

Stabilité à haute température pour l'aérospatiale et l'électronique de défense

SiO thermique₂Le coefficient de température est de 0 ± 30 ppm/°C dans la plage de -55°C à +125°C,Coefficient de biais en courant continu inférieur à 10 ppm/V de 0 V à la puissance nominale complète de 100 V, et il n'y a pas de vieillissement ferroélectrique, de sorte qu'une longue durée de vie ne signifie pas une dérive de valeur silencieuse.et 1000 cycles thermiques entre -65°C et +150°C ne produisent aucune délamination de l'électrodeL'utilisation typique est l'avionique, la distribution d'énergie par bus satellite, les avant-parties radar, les commandes industrielles à haute température et l'instrumentation à trou.

Pureté de qualité semi-conducteur et faible dégazage pour les applications ultra-propres

Comme le diélectrique est cultivé thermiquement dans un fabricant de plaquettes au lieu d'être déposé à partir d'une suspension céramique, la puce finie ne contient pas de liant, d'aide au frittage ou de véhicule organique résiduel.La perte de masse totale est inférieure à 00,60% et les matériaux volatils condensés collectés à moins de 0,05% par ASTM E595, bien au-delà des limites de dépistage appliquées aux matériels exposés au vide.Cela importe partout où un film condensé brouillerait une surface optique ou contaminerait un détecteur: chambres d'instrumentation sous vide, colonnes de faisceaux d'électrons et d'ions, optique de spectromètre de masse, ensembles de capteurs scellés et ensembles de charge utile par satellite.données d'analyse des gaz résiduels avec chaque lot.

Applications typiques

• Distribution d'énergie par bus satellite et blocage de la charge utile en courant continu
• Découplement de l'alimentation du module émetteur/récepteur en matrice de phases
• Réseaux de correspondance de radar front-end de la bande X à la bande Ka
• Avionique et électronique de commande de moteur à température élevée
• Instrumentation sous vide, optique ionique et spectromètre de masse
• Instruments de détection et géothermique
• Découplement de déviation de drainage HEMT GaN-sur-SiC (alimentation 28 à 50 V)