Wielkich temperatur 1000 pF jednowarstwowy kondensator MOS o niskiej emisji gazu dla elektroniki obrony lotniczej

HACC102S100V500 Szerokotemperaturowy Kondensator MOS Jednowarstwowy 1000 pF 100V Chip

Krótka odpowiedź: HACC102S100V500 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 1000 pF ±10% i napięciu znamionowym 100V DC, wykonany na krzemie typu float-zone z dielektrykiem SiO₂ o grubości 300 nm, termicznie narastającym, w chipie o wymiarach 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Jest przeznaczony do montażu w szerokim zakresie temperatur, o niskiej emisji gazów, z mocowaniem na płytce i połączeniami drutowymi. Pojemność, napięcie znamionowe, geometria chipa, rodzaj dielektryka i układ metalizacji są konfigurowalne._{Czystość klasy półprzewodnikowej i niska emisja gazów dla zastosowań ultra-czystych} dielektryku w chipie o wymiarach 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Jest przeznaczony do montażu w szerokim zakresie temperatur, o niskiej emisji gazów, z mocowaniem na płytce i połączeniami drutowymi. Pojemność, napięcie znamionowe, geometria chipa, rodzaj dielektryka i układ metalizacji są konfigurowalne.

Specyfikacje w skrócie

2

jest paraelektrykiem, więc pojemność pozostaje tam, gdzie umieścił ją projektant. Współczynnik temperaturowy wynosi 0 ±30 ppm/°C w zakresie od -55°C do +125°C, współczynnik napięcia DC jest poniżej 10 ppm/V od 0V do pełnego napięcia znamionowego 100V, i nie ma starzenia ferroelektrycznego, więc długa żywotność nie oznacza cichego dryfu wartości. Wersja rozszerzona jest testowana w zakresie od -65°C do +200°C z raportem kwalifikacyjnym na partię na żądanie, a 1000 cykli termicznych między -65°C a +150°C nie powoduje delaminacji elektrody. Typowe zastosowania to awionika, dystrybucja zasilania magistrali satelitarnych, przednie stopnie radarów, wysokotemperaturowe sterowanie przemysłowe i aparatura do zastosowań podziemnych._{Czystość klasy półprzewodnikowej i niska emisja gazów dla zastosowań ultra-czystych}Ponieważ dielektryk jest termicznie narastający w fabryce płytek, a nie osadzany z zawiesiny ceramicznej, gotowy chip nie zawiera spoiwa, środka spulchniającego ani pozostałego nośnika organicznego. Całkowita utrata masy wynosi poniżej 0,60%, a zebrane skondensowane materiały lotne poniżej 0,05% wg ASTM E595, znacznie poniżej limitów przesiewowych stosowanych do sprzętu wystawionego na działanie próżni. Ma to znaczenie wszędzie tam, gdzie skondensowana warstwa mogłaby zaparować powierzchnię optyczną lub zanieczyścić detektor: komory aparatury próżniowej, kolumny wiązek elektronów i jonów, optyka spektrometrów masowych, zamknięte pakiety czujników i zespoły ładunków satelitarnych. Identyfikowalność partii płytek i, na żądanie, dane analizy gazów resztkowych są dostarczane z każdą partią.

Typowe zastosowania

Dystrybucja zasilania magistrali satelitarnych i blokowanie DC ładunku

Odwzajemnianie zasilania modułów nadawczo-odbiorczych z fazowaną anteną

• Sieci dopasowujące przednie stopnie radarów od pasma X do Ka
• Elektronika awioniki i sterowania silnikiem w podwyższonych temperaturach
• Aparatura próżniowa, optyka jonowa i przednie stopnie spektrometrów masowych
• Aparatura do zastosowań podziemnych i geotermalnych
• Odwzajemnianie zasilania drenażu HEMT GaN-on-SiC (zasilanie 28-50V)