HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HACC102S100V500 |
| ขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T,L/C,D/A,D/P |
คำตอบสั้นๆ: HACC102S100V500 เป็นตัวเก็บประจุ MOS ชั้นเดียว มีความจุ 1000 pF ±10% และพิกัดแรงดัน DC 100V สร้างบนซิลิคอนแบบ float-zone พร้อมฉนวน SiO ที่เติบโตด้วยความร้อนหนา 300 nmความบริสุทธิ์ระดับเซมิคอนดักเตอร์และการปล่อยก๊าซต่ำสำหรับการใช้งานที่สะอาดเป็นพิเศษ ในชิปขนาด 0.50 x 0.50 x 0.15 มม. ได้รับการออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิหลากหลาย การปล่อยก๊าซต่ำ การยึดติดด้วยไดอิเล็กทริกและการเชื่อมต่อด้วยลวด สามารถปรับแต่งค่าความจุ พิกัดแรงดัน รูปทรงชิป ชนิดฉนวน และโครงสร้างโลหะได้ทั้งหมด
| พารามิเตอร์ | ค่า |
| ความจุ | 1000 pF ±10% (มีแบบ ±5% ให้เลือก) |
| แรงดัน DC ที่กำหนด | 100V |
| ฉนวน | เป็นฉนวนแบบพาราอิเล็กทริก ดังนั้นค่าความจุจะคงที่ตามที่ผู้ออกแบบกำหนดไว้ ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิคือ 0 ±30 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +125°C ค่าสัมประสิทธิ์แรงดัน DC ต่ำกว่า 10 ppm/V ตั้งแต่ 0V ถึงพิกัดเต็ม 100V และไม่มีการเสื่อมสภาพแบบเฟอร์โรอิเล็กทริก ดังนั้นอายุการใช้งานที่ยาวนานจึงไม่ส่งผลให้ค่าค่อยๆ เปลี่ยนแปลง รุ่นพิเศษได้รับการทดสอบตั้งแต่ -65°C ถึง +200°C พร้อมรายงานการรับรองต่อล็อตตามคำขอ และการหมุนเวียนความร้อน 1000 ครั้งระหว่าง -65°C และ +150°C ไม่ทำให้ขั้วไฟฟ้าหลุดลอก การใช้งานทั่วไปคือ ระบบการบิน ยานอวกาศ ระบบกระจายกำลัง ระบบเรดาร์ควบคุมอุตสาหกรรมอุณหภูมิสูง และเครื่องมือวัดใต้ดินความบริสุทธิ์ระดับเซมิคอนดักเตอร์และการปล่อยก๊าซต่ำสำหรับการใช้งานที่สะอาดเป็นพิเศษ, 300 nm |
| ขนาดชิป | 0.50 x 0.50 x 0.15 มม. |
| ค่า Q | >2000 ที่ 1 MHz, >200 ที่ 1 GHz |
| ESR ที่ 1 GHz | <0.1 Ω |
| ESL โดยธรรมชาติ | <0.05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| การรั่วไหล | <10 nA ที่ 25°C, <100 nA ที่ 125°C |
| การปล่อยก๊าซ | TML <0.60%, CVCM <0.05% ตามมาตรฐาน ASTM E595ขั้วไฟฟ้าด้านบนTaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au, เชื่อมต่อด้วยลวดได้ |
| อุณหภูมิใช้งาน | -65°C ถึง +200°C รุ่นพิเศษ |
| MSL | MSL 1 ตามมาตรฐาน J-STD-020 |
| ความเสถียรที่อุณหภูมิหลากหลายสำหรับอิเล็กทรอนิกส์การบินและอวกาศและการป้องกันประเทศ | Thermal SiO |
เป็นฉนวนแบบพาราอิเล็กทริก ดังนั้นค่าความจุจะคงที่ตามที่ผู้ออกแบบกำหนดไว้ ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิคือ 0 ±30 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +125°C ค่าสัมประสิทธิ์แรงดัน DC ต่ำกว่า 10 ppm/V ตั้งแต่ 0V ถึงพิกัดเต็ม 100V และไม่มีการเสื่อมสภาพแบบเฟอร์โรอิเล็กทริก ดังนั้นอายุการใช้งานที่ยาวนานจึงไม่ส่งผลให้ค่าค่อยๆ เปลี่ยนแปลง รุ่นพิเศษได้รับการทดสอบตั้งแต่ -65°C ถึง +200°C พร้อมรายงานการรับรองต่อล็อตตามคำขอ และการหมุนเวียนความร้อน 1000 ครั้งระหว่าง -65°C และ +150°C ไม่ทำให้ขั้วไฟฟ้าหลุดลอก การใช้งานทั่วไปคือ ระบบการบิน ยานอวกาศ ระบบกระจายกำลัง ระบบเรดาร์ควบคุมอุตสาหกรรมอุณหภูมิสูง และเครื่องมือวัดใต้ดินความบริสุทธิ์ระดับเซมิคอนดักเตอร์และการปล่อยก๊าซต่ำสำหรับการใช้งานที่สะอาดเป็นพิเศษเนื่องจากฉนวนถูกสร้างขึ้นด้วยความร้อนในโรงงานผลิตเวเฟอร์แทนที่จะถูกเคลือบจากสารละลายเซรามิก ชิปสำเร็จรูปจึงไม่มีสารยึดเกาะ สารช่วยเผาผนึก หรือสารอินทรีย์ตกค้าง มวลรวมที่สูญเสียต่ำกว่า 0.60% และวัสดุที่ควบแน่นได้ที่ระเหยได้ต่ำกว่า 0.05% ตามมาตรฐาน ASTM E595 ซึ่งอยู่ภายในขีดจำกัดการคัดกรองที่ใช้กับฮาร์ดแวร์ที่สัมผัสกับสุญญากาศ สิ่งนี้มีความสำคัญในทุกที่ที่ฟิล์มที่ควบแน่นอาจทำให้พื้นผิวเลนส์ขุ่นมัวหรือปนเปื้อนตัวตรวจจับ: ห้องปฏิบัติการสุญญากาศ คอลัมน์ลำแสงอิเล็กตรอนและไอออน ออปติกของเครื่องวัดมวล แพ็คเกจเซ็นเซอร์แบบปิด และชุดประกอบเพย์โหลดของดาวเทียม การตรวจสอบย้อนกลับของล็อตเวเฟอร์ และข้อมูลการวิเคราะห์ก๊าซตกค้างตามคำขอจะจัดส่งพร้อมกับแต่ละล็อต
การกระจายกำลังของยานอวกาศและบล็อก DC ของเพย์โหลด
