1000 pF Single Layer MOS Capacitor Low Outgassing Chip Suhu Lebar untuk Elektronika Pertahanan Dirgantara

HACC102S100V500 Wide-Temperature 1000 pF 100V Single Layer MOS Capacitor Chip

Jawaban singkat: HACC102S100V500 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal dengan kapasitansi 1000 pF ±10% dan peringkat DC 100V, dibangun di atas silikon float-zone dengan SiO termal yang tumbuh 300 nm₂ dielektrik dalam chip 0,50 x 0,50 x 0,15 mm. Ini ditentukan untuk rakitan suhu lebar, rendah pengeluaran gas yang dipasang dengan die dan diikat kawat. Kapasitansi, peringkat tegangan, geometri chip, jenis dielektrik, dan tumpukan metalisasi semuanya dapat disesuaikan.

Spesifikasi Sekilas

Stabilitas Suhu Lebar untuk Elektronik Dirgantara dan Pertahanan

Termal SiO₂ bersifat paraelektrik, sehingga kapasitansi tetap pada tempatnya yang ditentukan oleh desainer. Koefisien suhu adalah 0 ±30 ppm/°C di seluruh rentang -55°C hingga +125°C, koefisien bias DC di bawah 10 ppm/V dari 0V hingga peringkat penuh 100V, dan tidak ada penuaan ferroelektrik, sehingga masa pakai yang lama tidak berarti pergeseran nilai yang senyap. Bangunan rentang lebar diuji dari -65°C hingga +200°C dengan laporan kualifikasi per lot berdasarkan permintaan, dan 1000 siklus termal antara -65°C dan +150°C tidak menghasilkan delaminasi elektroda. Penggunaan umum adalah avionik, distribusi daya bus satelit, front-end radar, kontrol industri suhu tinggi, dan instrumentasi down-hole.

Kemurnian Tingkat Semikonduktor dan Pengeluaran Gas Rendah untuk Aplikasi Ultra-Bersih

Karena dielektrik tumbuh secara termal di pabrik wafer alih-alih disimpan dari bubur keramik, chip jadi tidak mengandung pengikat, pembantu sintering, atau kendaraan organik sisa. Total kehilangan massa kurang dari 0,60% dan bahan terkondensasi yang mudah menguap terkumpul kurang dari 0,05% per ASTM E595, jauh di dalam batas penyaringan yang diterapkan pada perangkat keras yang terpapar vakum. Itu penting di mana pun film terkondensasi akan mengaburkan permukaan optik atau mengkontaminasi detektor: ruang instrumen vakum, kolom berkas elektron dan ion, optik spektrometer massa, paket sensor tertutup, dan rakitan muatan satelit. Ketertelusuran lot wafer dan, berdasarkan permintaan, data analisis gas sisa dikirimkan dengan setiap lot.

Aplikasi Khas

• Distribusi daya bus satelit dan pemblokiran DC muatan
• Dekopling catu daya modul pemancar/penerima phased-array
• Jaringan pencocokan front-end radar dari X-band hingga Ka-band
• Elektronik kontrol avionik dan mesin pada suhu tinggi
• Instrumen vakum, optik ion, dan front-end spektrometer massa
• Instrumen down-hole dan panas bumi
• Dekopling bias drain HEMT GaN-on-SiC (catu daya 28-50V)