Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Однослойный МОП-конденсатор с широким температурным диапазоном на 1000 пФ с низким газовыделением для аэрокосмической и оборонной электроники

Однослойный МОП-конденсатор с широким температурным диапазоном на 1000 пФ с низким газовыделением для аэрокосмической и оборонной электроники

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАСС102С100В500
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, ASTM E595 Outgassing Tested
Тип монтажа:
Склеивание проволокой / эвтектика AuSn, проводящая эпоксидная смола или спеченное серебро
Прочность натяжения проволочной связки:
>6 гс для проволоки Au 25 мкм (MIL-STD-883, метод 2011.7)
Оценка ESD:
Класс 0 (HBM) согласно JESD22-A114
Чувствительность влаги:
1 MSL согласно J-STD-020
Выделить:

МОП-конденсатор на 1000 пФ для аэрокосмической промышленности

,

Однослойный МОП-конденсатор с низким газовыделением

,

МОП-конденсатор с широким температурным диапазоном для оборонной электроники

Характер продукции

Широкотемпературный однокристальный МОП-конденсатор HACC102S100V500 на 1000 пФ, 100 В

Краткий ответ:HACC102S100V500 — это однокристальный МОП-конденсатор с емкостью 1000 пФ ±10% и номинальным напряжением 100 В постоянного тока, изготовленный на кремнии, выращенном методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком из SiO₂ толщиной 300 нм в корпусе размером 0,50 x 0,50 x 0,15 мм. Он предназначен для применений в широком диапазоне температур, с низким газовыделением, с креплением кристалла и проволочными выводами. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых применений диэлектрик в корпусе размером 0,50 x 0,50 x 0,15 мм. Он предназначен для применений в широком диапазоне температур, с низким газовыделением, с креплением кристалла и проволочными выводами. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.


Краткие характеристики

Параметр Значение
Емкость 1000 пФ ±10% (доступно ±5%)
Номинальное напряжение постоянного тока 100 В
Диэлектрик является параэлектриком, поэтому емкость остается такой, какой ее установил разработчик. Температурный коэффициент составляет 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, коэффициент по постоянному напряжению ниже 10 ppm/V от 0 В до полного номинального значения 100 В, и отсутствует ферроэлектрическое старение, поэтому длительный срок службы не означает скрытого дрейфа значений. Расширенная сборка тестируется в диапазоне от -65°C до +200°C с отчетом о квалификации на каждую партию по запросу, а 1000 термических циклов между -65°C и +150°C не вызывают отслоения электродов. Типичное применение: авионика, распределение питания шины спутника, передние части радаров, высокотемпературные промышленные системы управления и приборы для буровых скважин.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых применений, 300 нм
Размер корпуса 0,50 x 0,50 x 0,15 мм
Добротность >2000 при 1 МГц, >200 при 1 ГГц
Эквивалентное последовательное сопротивление при 1 ГГц <0,1 Ом
Собственная индуктивность <0,05 нГн
ТКЕ 0 ±30 ppm/°C
Ток утечки <10 нА при 25°C, <100 нА при 125°C
Газовыделение TML <0,60%, CVCM <0,05% по ASTM E595Верхний электродTaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 мкм Au, для проволочных выводов
Рабочая температура Расширенный диапазон сборки от -65°C до +200°C
MSL MSL 1 по J-STD-020
Стабильность в широком диапазоне температур для аэрокосмической и оборонной электроники Термический SiO


2

является параэлектриком, поэтому емкость остается такой, какой ее установил разработчик. Температурный коэффициент составляет 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, коэффициент по постоянному напряжению ниже 10 ppm/V от 0 В до полного номинального значения 100 В, и отсутствует ферроэлектрическое старение, поэтому длительный срок службы не означает скрытого дрейфа значений. Расширенная сборка тестируется в диапазоне от -65°C до +200°C с отчетом о квалификации на каждую партию по запросу, а 1000 термических циклов между -65°C и +150°C не вызывают отслоения электродов. Типичное применение: авионика, распределение питания шины спутника, передние части радаров, высокотемпературные промышленные системы управления и приборы для буровых скважин.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых примененийПоскольку диэлектрик термически выращивается на фабрике пластин, а не наносится из керамической суспензии, готовый кристалл не содержит связующего, спекающего агента или остаточного органического носителя. Общая потеря массы составляет менее 0,60%, а собранные летучие конденсируемые материалы — менее 0,05% по ASTM E595, что значительно ниже пределов скрининга, применяемых к оборудованию, работающему в вакууме. Это важно везде, где конденсированная пленка может запотеть оптическую поверхность или загрязнить детектор: вакуумные камеры приборов, колонны электронных и ионных пучков, оптика масс-спектрометров, герметичные корпуса датчиков и сборки полезной нагрузки спутников. Прослеживаемость партий пластин и, по запросу, данные анализа остаточных газов поставляются с каждой партией.


Типичные применения

Распределение питания шины спутника и блокировка постоянного тока полезной нагрузки


Развязка питания в приемопередающих модулях фазированной решетки

  • Согласующие цепи передних частей радаров в диапазоне от X до Ka
  • Авионика и электроника управления двигателем при повышенных температурах
  • Вакуумные приборы, ионная оптика и передние части масс-спектрометров
  • Приборы для буровых скважин и геотермальные приборы
  • Развязка по стоку HEMT GaN-on-SiC (питание 28-50 В)



Однослойный МОП-конденсатор с широким температурным диапазоном на 1000 пФ с низким газовыделением для аэрокосмической и оборонной электроники