| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАСС102С100В500 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П |
Краткий ответ:HACC102S100V500 — это однокристальный МОП-конденсатор с емкостью 1000 пФ ±10% и номинальным напряжением 100 В постоянного тока, изготовленный на кремнии, выращенном методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком из SiO₂ толщиной 300 нм в корпусе размером 0,50 x 0,50 x 0,15 мм. Он предназначен для применений в широком диапазоне температур, с низким газовыделением, с креплением кристалла и проволочными выводами. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых применений диэлектрик в корпусе размером 0,50 x 0,50 x 0,15 мм. Он предназначен для применений в широком диапазоне температур, с низким газовыделением, с креплением кристалла и проволочными выводами. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.
| Параметр | Значение |
| Емкость | 1000 пФ ±10% (доступно ±5%) |
| Номинальное напряжение постоянного тока | 100 В |
| Диэлектрик | является параэлектриком, поэтому емкость остается такой, какой ее установил разработчик. Температурный коэффициент составляет 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, коэффициент по постоянному напряжению ниже 10 ppm/V от 0 В до полного номинального значения 100 В, и отсутствует ферроэлектрическое старение, поэтому длительный срок службы не означает скрытого дрейфа значений. Расширенная сборка тестируется в диапазоне от -65°C до +200°C с отчетом о квалификации на каждую партию по запросу, а 1000 термических циклов между -65°C и +150°C не вызывают отслоения электродов. Типичное применение: авионика, распределение питания шины спутника, передние части радаров, высокотемпературные промышленные системы управления и приборы для буровых скважин.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых применений, 300 нм |
| Размер корпуса | 0,50 x 0,50 x 0,15 мм |
| Добротность | >2000 при 1 МГц, >200 при 1 ГГц |
| Эквивалентное последовательное сопротивление при 1 ГГц | <0,1 Ом |
| Собственная индуктивность | <0,05 нГн |
| ТКЕ | 0 ±30 ppm/°C |
| Ток утечки | <10 нА при 25°C, <100 нА при 125°C |
| Газовыделение | TML <0,60%, CVCM <0,05% по ASTM E595Верхний электродTaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 мкм Au, для проволочных выводов |
| Рабочая температура | Расширенный диапазон сборки от -65°C до +200°C |
| MSL | MSL 1 по J-STD-020 |
| Стабильность в широком диапазоне температур для аэрокосмической и оборонной электроники | Термический SiO |
является параэлектриком, поэтому емкость остается такой, какой ее установил разработчик. Температурный коэффициент составляет 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, коэффициент по постоянному напряжению ниже 10 ppm/V от 0 В до полного номинального значения 100 В, и отсутствует ферроэлектрическое старение, поэтому длительный срок службы не означает скрытого дрейфа значений. Расширенная сборка тестируется в диапазоне от -65°C до +200°C с отчетом о квалификации на каждую партию по запросу, а 1000 термических циклов между -65°C и +150°C не вызывают отслоения электродов. Типичное применение: авионика, распределение питания шины спутника, передние части радаров, высокотемпературные промышленные системы управления и приборы для буровых скважин.Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых примененийПоскольку диэлектрик термически выращивается на фабрике пластин, а не наносится из керамической суспензии, готовый кристалл не содержит связующего, спекающего агента или остаточного органического носителя. Общая потеря массы составляет менее 0,60%, а собранные летучие конденсируемые материалы — менее 0,05% по ASTM E595, что значительно ниже пределов скрининга, применяемых к оборудованию, работающему в вакууме. Это важно везде, где конденсированная пленка может запотеть оптическую поверхность или загрязнить детектор: вакуумные камеры приборов, колонны электронных и ионных пучков, оптика масс-спектрометров, герметичные корпуса датчиков и сборки полезной нагрузки спутников. Прослеживаемость партий пластин и, по запросу, данные анализа остаточных газов поставляются с каждой партией.
Распределение питания шины спутника и блокировка постоянного тока полезной нагрузки
![]()