| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी |
संक्षिप्त उत्तर: HACC102S100V500 एक सिंगल लेयर MOS कैपेसिटर है जिसमें 1000 pF ±10% कैपेसिटेंस और 100V DC रेटिंग है, जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर 300 nm थर्मल रूप से विकसित SiOसेमीकंडक्टर-ग्रेड शुद्धता और अल्ट्रा-क्लीन अनुप्रयोगों के लिए कम आउटगैसिंग डाइइलेक्ट्रिक के साथ 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी चिप में बनाया गया है। इसे वाइड-टेम्परेचर, लो-आउटगैसिंग असेंबली के लिए निर्दिष्ट किया गया है जो डाई अटैच्ड और वायर बॉन्डेड हैं। कैपेसिटेंस, वोल्टेज रेटिंग, चिप ज्यामिति, डाइइलेक्ट्रिक प्रकार और मेटलाइजेशन स्टैक सभी अनुकूलन योग्य हैं।
| पैरामीटर | मान |
| कैपेसिटेंस | 1000 pF ±10% (±5% उपलब्ध) |
| रेटेड डीसी वोल्टेज | 100V |
| डाइइलेक्ट्रिक | पैराइलेक्ट्रिक है, इसलिए कैपेसिटेंस वहीं रहता है जहाँ डिज़ाइनर ने इसे रखा था। तापमान गुणांक -55°C से +125°C रेंज में 0 ±30 पीपीएम/°C है, डीसी बायस गुणांक 0V से पूर्ण 100V रेटिंग तक 10 पीपीएम/V से नीचे है, और कोई फेरोइलेक्ट्रिक एजिंग नहीं है, इसलिए लंबी सेवा जीवन का मतलब मौन मूल्य बहाव नहीं है। एक्सटेंडेड-रेंज बिल्ड का परीक्षण -65°C से +200°C तक किया जाता है, जिसमें प्रति लॉट योग्यता रिपोर्ट अनुरोध पर उपलब्ध होती है, और -65°C और +150°C के बीच 1000 थर्मल चक्रों से कोई इलेक्ट्रोड डेलैमिनेशन नहीं होता है। विशिष्ट उपयोग एवियोनिक्स, सैटेलाइट बस पावर डिस्ट्रीब्यूशन, रडार फ्रंट-एंड, हाई-टेम्परेचर इंडस्ट्रियल कंट्रोल और डाउन-होल इंस्ट्रूमेंटेशन है।सेमीकंडक्टर-ग्रेड शुद्धता और अल्ट्रा-क्लीन अनुप्रयोगों के लिए कम आउटगैसिंग, 300 nm |
| चिप का आकार | 0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी |
| Q फैक्टर | >2000 @ 1 मेगाहर्ट्ज, >200 @ 1 गीगाहर्ट्ज |
| 1 गीगाहर्ट्ज पर ईएसआर | <0.1 Ω |
| आंतरिक ईएसएल | <0.05 एनएच |
| टीसीसी | 0 ±30 पीपीएम/°C |
| लीकेज | <10 एनए @ 25°C, <100 एनए @ 125°C |
| आउटगैसिंग | टीएमएल <0.60%, सीवीसीएम <0.05% प्रति ASTM E595टॉप इलेक्ट्रोडTaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au, वायर बॉन्डेबल |
| ऑपरेटिंग तापमान | -65°C से +200°C एक्सटेंडेड-रेंज बिल्ड |
| एमएसएल | जे-एसटीडी-020 के अनुसार एमएसएल 1 |
| एयरोस्पेस और रक्षा इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए वाइड-टेम्परेचर स्थिरता | थर्मल SiO |
पैराइलेक्ट्रिक है, इसलिए कैपेसिटेंस वहीं रहता है जहाँ डिज़ाइनर ने इसे रखा था। तापमान गुणांक -55°C से +125°C रेंज में 0 ±30 पीपीएम/°C है, डीसी बायस गुणांक 0V से पूर्ण 100V रेटिंग तक 10 पीपीएम/V से नीचे है, और कोई फेरोइलेक्ट्रिक एजिंग नहीं है, इसलिए लंबी सेवा जीवन का मतलब मौन मूल्य बहाव नहीं है। एक्सटेंडेड-रेंज बिल्ड का परीक्षण -65°C से +200°C तक किया जाता है, जिसमें प्रति लॉट योग्यता रिपोर्ट अनुरोध पर उपलब्ध होती है, और -65°C और +150°C के बीच 1000 थर्मल चक्रों से कोई इलेक्ट्रोड डेलैमिनेशन नहीं होता है। विशिष्ट उपयोग एवियोनिक्स, सैटेलाइट बस पावर डिस्ट्रीब्यूशन, रडार फ्रंट-एंड, हाई-टेम्परेचर इंडस्ट्रियल कंट्रोल और डाउन-होल इंस्ट्रूमेंटेशन है।सेमीकंडक्टर-ग्रेड शुद्धता और अल्ट्रा-क्लीन अनुप्रयोगों के लिए कम आउटगैसिंगक्योंकि डाइइलेक्ट्रिक को सिरेमिक स्लरी से जमा करने के बजाय वेफर फैब में थर्मल रूप से विकसित किया जाता है, तैयार चिप में कोई बाइंडर, सिंटरिंग एड या अवशिष्ट कार्बनिक वाहन नहीं होता है। कुल द्रव्यमान हानि 0.60% से कम और एकत्र वाष्पशील संघनित सामग्री 0.05% से कम प्रति ASTM E595 है, जो वैक्यूम-एक्सपोज़्ड हार्डवेयर पर लागू स्क्रीनिंग सीमाओं के भीतर अच्छी तरह से है। यह कहीं भी मायने रखता है जहाँ एक संघनित फिल्म एक ऑप्टिकल सतह को फॉग कर सकती है या एक डिटेक्टर को दूषित कर सकती है: वैक्यूम इंस्ट्रूमेंट चैंबर, इलेक्ट्रॉन और आयन बीम कॉलम, मास स्पेक्ट्रोमीटर ऑप्टिक्स, सील सेंसर पैकेज और सैटेलाइट पेलोड असेंबली। वेफर लॉट ट्रेसिबिलिटी और, अनुरोध पर, अवशिष्ट गैस विश्लेषण डेटा प्रत्येक लॉट के साथ शिप होते हैं।
सैटेलाइट बस पावर डिस्ट्रीब्यूशन और पेलोड डीसी ब्लॉकिंग
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