| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HACC102S100V500 |
| Adedi: | 10 Adet |
| Ödeme Koşulları: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Kısa cevap: HACC102S100V500, 1000 pF ±10% kapasitanslı ve 100V DC dereceli, float-zone silikon üzerine 300 nm termal olarak büyütülmüş SiOYarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz Salınımı dielektrikli, 0.50 x 0.50 x 0.15 mm çipte tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Geniş sıcaklık, düşük gaz salınımlı, die attached ve wire bonded montajlar için belirtilmiştir. Kapasitans, voltaj derecesi, çip geometrisi, dielektrik tipi ve metalizasyon yığını özelleştirilebilir.
| Parametre | Değer |
| Kapasitans | 1000 pF ±10% (±%5 mevcut) |
| Nominal DC voltajı | 100V |
| Dielektrik | dielektriği dielektriktir, bu nedenle kapasitans tasarımcının koyduğu yerde kalır. Sıcaklık katsayısı, -55°C ila +125°C aralığında 0 ±30 ppm/°C'dir, DC bias katsayısı 0V ila tam 100V derecesine kadar 10 ppm/V'nin altındadır ve ferroelektrik yaşlanma yoktur, bu nedenle uzun hizmet ömrü sessiz değer kayması anlamına gelmez. Genişletilmiş menzil yapısı, -65°C ila +200°C arasında test edilmiştir ve talep üzerine parti başına yeterlilik raporu mevcuttur ve -65°C ile +150°C arasındaki 1000 termal döngüde elektrot delaminasyonu olmaz. Tipik kullanım aviyonik, uydu veri yolu güç dağıtımı, radar ön uçları, yüksek sıcaklık endüstriyel kontroller ve sondaj içi enstrümantasyon.Yarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz Salınımı, 300 nm |
| Çip boyutu | 0.50 x 0.50 x 0.15 mm |
| Q faktörü | >2000 @ 1 MHz, >200 @ 1 GHz |
| 1 GHz'de ESR | <0.1 Ω |
| İçsel ESL | <0.05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| Kaçak | <10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C |
| Gaz salınımı | TML <0.60%, CVCM <0.05% ASTM E595'e göreÜst elektrotTaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au, tel bağlanabilir |
| Çalışma sıcaklığı | -65°C ila +200°C genişletilmiş menzil yapısı |
| MSL | MSL 1 J-STD-020'e göre |
| Havacılık ve Savunma Elektronikleri için Geniş Sıcaklık Stabilitesi | Termal SiO |
dielektriği dielektriktir, bu nedenle kapasitans tasarımcının koyduğu yerde kalır. Sıcaklık katsayısı, -55°C ila +125°C aralığında 0 ±30 ppm/°C'dir, DC bias katsayısı 0V ila tam 100V derecesine kadar 10 ppm/V'nin altındadır ve ferroelektrik yaşlanma yoktur, bu nedenle uzun hizmet ömrü sessiz değer kayması anlamına gelmez. Genişletilmiş menzil yapısı, -65°C ila +200°C arasında test edilmiştir ve talep üzerine parti başına yeterlilik raporu mevcuttur ve -65°C ile +150°C arasındaki 1000 termal döngüde elektrot delaminasyonu olmaz. Tipik kullanım aviyonik, uydu veri yolu güç dağıtımı, radar ön uçları, yüksek sıcaklık endüstriyel kontroller ve sondaj içi enstrümantasyon.Yarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz SalınımıDielektrik, seramik bulamaçtan kaplanmak yerine bir wafer fabrikasında termal olarak büyütüldüğü için, bitmiş çip bağlayıcı, sinterleme yardımcısı veya artık organik araç içermez. Toplam kütle kaybı %0.60'ın altında ve toplanan uçucu yoğunlaşabilir malzemeler ASTM E595'e göre %0.05'in altındadır, bu da vakumda maruz kalan donanıma uygulanan tarama limitlerinin oldukça içindedir. Bu, yoğunlaşmış bir filmin optik bir yüzeyi buğulandıracağı veya bir dedektörü kirleteceği her yerde önemlidir: vakum enstrüman odaları, elektron ve iyon ışın kolonları, kütle spektrometresi optikleri, sızdırmaz sensör paketleri ve uydu yük montajları. Wafer parti izlenebilirliği ve talep üzerine artık gaz analizi verileri her partiyle birlikte gönderilir.
Uydu veri yolu güç dağıtımı ve yük DC engelleme
![]()