Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Geniş Sıcaklık 1000 pF Tek Katmanlı MOS Kapasitör Düşük Gaz Çıkaran Çip Havacılık Savunma Elektroniği İçin

Geniş Sıcaklık 1000 pF Tek Katmanlı MOS Kapasitör Düşük Gaz Çıkaran Çip Havacılık Savunma Elektroniği İçin

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC102S100V500
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: T/T,L/C,D/A,D/P
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, ASTM E595 Outgassing Tested
Montaj Tipi:
Tel Bağlanabilir / AuSn Ötektik, İletken Epoksi veya Sinterlenmiş Gümüş
Tel Bağ Çekme Dayanımı:
25 µm Au tel için >6 gf (MIL-STD-883 Yöntemi 2011.7)
ESD Derecelendirmesi:
JESD22-A114'e göre Sınıf 0 (HBM)
Nem Hassasiyeti:
J-STD-020'ye göre MSL 1
Vurgulamak:

1000 pF MOS kapasitör havacılık

,

tek katmanlı MOS kapasitör düşük gaz çıkaran

,

geniş sıcaklık MOS kapasitör savunma elektroniği

Ürün Tanımı

HACC102S100V500 Geniş Sıcaklık 1000 pF 100V Tek Katmanlı MOS Kapasitör Çip

Kısa cevap: HACC102S100V500, 1000 pF ±10% kapasitanslı ve 100V DC dereceli, float-zone silikon üzerine 300 nm termal olarak büyütülmüş SiOYarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz Salınımı dielektrikli, 0.50 x 0.50 x 0.15 mm çipte tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Geniş sıcaklık, düşük gaz salınımlı, die attached ve wire bonded montajlar için belirtilmiştir. Kapasitans, voltaj derecesi, çip geometrisi, dielektrik tipi ve metalizasyon yığını özelleştirilebilir.


Genel Bakış Özellikleri

Parametre Değer
Kapasitans 1000 pF ±10% (±%5 mevcut)
Nominal DC voltajı 100V
Dielektrik dielektriği dielektriktir, bu nedenle kapasitans tasarımcının koyduğu yerde kalır. Sıcaklık katsayısı, -55°C ila +125°C aralığında 0 ±30 ppm/°C'dir, DC bias katsayısı 0V ila tam 100V derecesine kadar 10 ppm/V'nin altındadır ve ferroelektrik yaşlanma yoktur, bu nedenle uzun hizmet ömrü sessiz değer kayması anlamına gelmez. Genişletilmiş menzil yapısı, -65°C ila +200°C arasında test edilmiştir ve talep üzerine parti başına yeterlilik raporu mevcuttur ve -65°C ile +150°C arasındaki 1000 termal döngüde elektrot delaminasyonu olmaz. Tipik kullanım aviyonik, uydu veri yolu güç dağıtımı, radar ön uçları, yüksek sıcaklık endüstriyel kontroller ve sondaj içi enstrümantasyon.Yarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz Salınımı, 300 nm
Çip boyutu 0.50 x 0.50 x 0.15 mm
Q faktörü >2000 @ 1 MHz, >200 @ 1 GHz
1 GHz'de ESR <0.1 Ω
İçsel ESL <0.05 nH
TCC 0 ±30 ppm/°C
Kaçak <10 nA @ 25°C, <100 nA @ 125°C
Gaz salınımı TML <0.60%, CVCM <0.05% ASTM E595'e göreÜst elektrotTaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au, tel bağlanabilir
Çalışma sıcaklığı -65°C ila +200°C genişletilmiş menzil yapısı
MSL MSL 1 J-STD-020'e göre
Havacılık ve Savunma Elektronikleri için Geniş Sıcaklık Stabilitesi Termal SiO


2

dielektriği dielektriktir, bu nedenle kapasitans tasarımcının koyduğu yerde kalır. Sıcaklık katsayısı, -55°C ila +125°C aralığında 0 ±30 ppm/°C'dir, DC bias katsayısı 0V ila tam 100V derecesine kadar 10 ppm/V'nin altındadır ve ferroelektrik yaşlanma yoktur, bu nedenle uzun hizmet ömrü sessiz değer kayması anlamına gelmez. Genişletilmiş menzil yapısı, -65°C ila +200°C arasında test edilmiştir ve talep üzerine parti başına yeterlilik raporu mevcuttur ve -65°C ile +150°C arasındaki 1000 termal döngüde elektrot delaminasyonu olmaz. Tipik kullanım aviyonik, uydu veri yolu güç dağıtımı, radar ön uçları, yüksek sıcaklık endüstriyel kontroller ve sondaj içi enstrümantasyon.Yarı İletken Sınıfı Saflık ve Ultra Temiz Uygulamalar İçin Düşük Gaz SalınımıDielektrik, seramik bulamaçtan kaplanmak yerine bir wafer fabrikasında termal olarak büyütüldüğü için, bitmiş çip bağlayıcı, sinterleme yardımcısı veya artık organik araç içermez. Toplam kütle kaybı %0.60'ın altında ve toplanan uçucu yoğunlaşabilir malzemeler ASTM E595'e göre %0.05'in altındadır, bu da vakumda maruz kalan donanıma uygulanan tarama limitlerinin oldukça içindedir. Bu, yoğunlaşmış bir filmin optik bir yüzeyi buğulandıracağı veya bir dedektörü kirleteceği her yerde önemlidir: vakum enstrüman odaları, elektron ve iyon ışın kolonları, kütle spektrometresi optikleri, sızdırmaz sensör paketleri ve uydu yük montajları. Wafer parti izlenebilirliği ve talep üzerine artık gaz analizi verileri her partiyle birlikte gönderilir.


Tipik Uygulamalar

Uydu veri yolu güç dağıtımı ve yük DC engelleme


Faz dizili alıcı/verici modül besleme ayrımı

  • X-bandından Ka-bandına radar ön uç eşleştirme ağları
  • Yüksek sıcaklıkta aviyonik ve motor kontrol elektroniği
  • Vakum enstrümantasyonu, iyon optikleri ve kütle spektrometresi ön uçları
  • Sondaj içi ve jeotermal enstrümantasyon
  • GaN-on-SiC HEMT drenaj bias ayrımı (28-50V besleme)



Geniş Sıcaklık 1000 pF Tek Katmanlı MOS Kapasitör Düşük Gaz Çıkaran Çip Havacılık Savunma Elektroniği İçin