| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC102S100V500 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | T/T, L/C, D/A, D/P |
সংক্ষিপ্ত উত্তর: HACC102S100V500 হল একটি সিঙ্গেল লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যার ১০০০ pF ±১০% ক্যাপাসিট্যান্স এবং ১০০V ডিসি রেটিং, যা ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর ৩০0 nm থার্মালি গ্রোন SiOসেমিকন্ডাক্টর-গ্রেড বিশুদ্ধতা এবং আল্ট্রা-ক্লিন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য লো আউটগ্যাসিং ডাইইলেকট্রিক সহ ০.৫০ x ০.৫০ x ০.১৫ মিমি চিপে তৈরি। এটি ওয়াইড-টেম্পারেচার, লো-আউটগ্যাসিং অ্যাসেম্বলির জন্য নির্দিষ্ট করা হয়েছে যা ডাই অ্যাটাচড এবং ওয়্যার বন্ডেড। ক্যাপাসিট্যান্স, ভোল্টেজ রেটিং, চিপ জ্যামিতি, ডাইইলেকট্রিক টাইপ এবং মেটালাইজেশন স্ট্যাক সবই কাস্টমাইজযোগ্য।
| প্যারামিটার | মান |
| ক্যাপাসিট্যান্স | ১০০০ pF ±১০% (±৫% উপলব্ধ) |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | ১০০V |
| ডাইইলেকট্রিক | প্যারা-ইলেকট্রিক, তাই ক্যাপাসিট্যান্স সেখানেই থাকে যেখানে ডিজাইনার এটি রেখেছে। তাপমাত্রা সহগ -৫৫°C থেকে +১২৫°C রেঞ্জ জুড়ে ০ ±৩০ পিপিএম/°C, ডিসি বায়াস সহগ ০V থেকে সম্পূর্ণ ১০০V রেটিং পর্যন্ত ১০ পিপিএম/V এর নিচে, এবং কোনও ফেরোইলেকট্রিক বার্ধক্য নেই, তাই দীর্ঘ পরিষেবা জীবন মানে নীরব মান বিচ্যুতি নয়। এক্সটেন্ডেড-রেঞ্জ বিল্ডটি -৬৫°C থেকে +২০০°C পর্যন্ত পরীক্ষা করা হয় এবং অনুরোধে প্রতি লটে একটি কোয়ালিফিকেশন রিপোর্ট থাকে, এবং -৬৫°C এবং +১৫০°C এর মধ্যে ১০০০টি থার্মাল সাইকেল কোনও ইলেকট্রোড ডিল্যামিনেশন তৈরি করে না। সাধারণ ব্যবহার হল অ্যাভিওনিক্স, স্যাটেলাইট বাস পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন, রাডার ফ্রন্ট-এন্ড, উচ্চ-তাপমাত্রার শিল্প নিয়ন্ত্রণ এবং ডাউন-হোল ইন্সট্রুমেন্টেশন।সেমিকন্ডাক্টর-গ্রেড বিশুদ্ধতা এবং আল্ট্রা-ক্লিন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য লো আউটগ্যাসিং, ৩০০ nm |
| চিপের আকার | ০.৫০ x ০.৫০ x ০.১৫ মিমি |
| Q ফ্যাক্টর | ১ MHz এ >২০০০, ১ GHz এ >২০০ |
| ১ GHz এ ESR | <০.১ Ω |
| ইন্ট্রিনসিক ESL | <০.০৫ nH |
| TCC | ০ ±৩০ পিপিএম/°C |
| লিকেজ | ২৫°C এ <১০ nA, ১২৫°C এ <১০০ nA |
| আউটগ্যাসিং | TML <০.৬০%, CVCM <০.০৫% ASTM E595 অনুযায়ীটপ ইলেকট্রোডTaN/TiW/Ni/Au, ≥২.৫ μm Au, ওয়্যার বন্ডেবল |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -৬৫°C থেকে +২০০°C এক্সটেন্ডেড-রেঞ্জ বিল্ড |
| MSL | MSL ১ J-STD-020 অনুযায়ী |
| মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা ইলেকট্রনিক্সের জন্য ওয়াইড-টেম্পারেচার স্ট্যাবিলিটি | থার্মাল SiO |
প্যারা-ইলেকট্রিক, তাই ক্যাপাসিট্যান্স সেখানেই থাকে যেখানে ডিজাইনার এটি রেখেছে। তাপমাত্রা সহগ -৫৫°C থেকে +১২৫°C রেঞ্জ জুড়ে ০ ±৩০ পিপিএম/°C, ডিসি বায়াস সহগ ০V থেকে সম্পূর্ণ ১০০V রেটিং পর্যন্ত ১০ পিপিএম/V এর নিচে, এবং কোনও ফেরোইলেকট্রিক বার্ধক্য নেই, তাই দীর্ঘ পরিষেবা জীবন মানে নীরব মান বিচ্যুতি নয়। এক্সটেন্ডেড-রেঞ্জ বিল্ডটি -৬৫°C থেকে +২০০°C পর্যন্ত পরীক্ষা করা হয় এবং অনুরোধে প্রতি লটে একটি কোয়ালিফিকেশন রিপোর্ট থাকে, এবং -৬৫°C এবং +১৫০°C এর মধ্যে ১০০০টি থার্মাল সাইকেল কোনও ইলেকট্রোড ডিল্যামিনেশন তৈরি করে না। সাধারণ ব্যবহার হল অ্যাভিওনিক্স, স্যাটেলাইট বাস পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন, রাডার ফ্রন্ট-এন্ড, উচ্চ-তাপমাত্রার শিল্প নিয়ন্ত্রণ এবং ডাউন-হোল ইন্সট্রুমেন্টেশন।সেমিকন্ডাক্টর-গ্রেড বিশুদ্ধতা এবং আল্ট্রা-ক্লিন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য লো আউটগ্যাসিংযেহেতু ডাইইলেকট্রিকটি সিরামিক স্লারি থেকে জমা না করে একটি ওয়েফার ফ্যাব-এ থার্মালি গ্রোন করা হয়, তাই সমাপ্ত চিপে কোনও বাইন্ডার, সিন্টারিং এইড বা অবশিষ্ট জৈব বাহক থাকে না। মোট ভর হ্রাস ০.৬০% এর নিচে এবং সংগৃহীত উদ্বায়ী ঘনীভূত পদার্থ ASTM E595 অনুযায়ী ০.০৫% এর নিচে, যা ভ্যাকুয়াম-এক্সপোজড হার্ডওয়্যারে প্রয়োগ করা স্ক্রিনিং সীমার মধ্যে রয়েছে। এটি যেখানেই একটি ঘনীভূত ফিল্ম একটি অপটিক্যাল পৃষ্ঠকে কুয়াশাচ্ছন্ন করবে বা একটি ডিটেক্টরকে দূষিত করবে সেখানে গুরুত্বপূর্ণ: ভ্যাকুয়াম ইন্সট্রুমেন্ট চেম্বার, ইলেকট্রন এবং আয়ন বিম কলাম, মাস স্পেকট্রোমিটার অপটিক্স, সিল করা সেন্সর প্যাকেজ এবং স্যাটেলাইট পেলোড অ্যাসেম্বলি। ওয়েফার লট ট্রেসেবিলিটি এবং অনুরোধে, অবশিষ্ট গ্যাস বিশ্লেষণ ডেটা প্রতিটি লটের সাথে পাঠানো হয়।
স্যাটেলাইট বাস পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন এবং পেলোড ডিসি ব্লকিং
![]()