高密度システム統合用の超小型100 pF単層MOSコンデンサチップ 0.25 mmフットプリント 50V

HACC101S50V250 超小型 100 pF 50V 単層MOSコンデンサチップ

短答: HACC101S50V250 は、浮遊ゾーンシリコン上に300 nmの熱酸化SiO₂誘電体を備えた単層MOSコンデンサで、静電容量は100 pF ±10%、DC定格電圧は50V、チップサイズは0.25 x 0.25 x 0.10 mmです。ダイアタッチで配置され、ワイヤボンディングで接続され、基板または基板面積が設計上の制約となる場所で使用されます。静電容量、電圧定格、チップ形状、誘電体タイプ、金属化スタックはすべてカスタマイズ可能です。

仕様概要

超クリーン用途向けの半導体グレードの純度と低アウトガス

誘電体は、セラミックスラリーから堆積されるのではなく、浮遊ゾーンシリコン上のウェハーファブで成長されるため、完成したチップにはバインダー、焼結助剤、または残留有機ビークルが含まれていません。総質量損失は1.0%未満、真空暴露ハードウェアに適用されるASTM E595スクリーニング制限内の収集可能な揮発性凝縮性物質は0.10%未満です。これは、例えば真空計測器チャンバー、電子およびイオンビームコラム、質量分析計光学系、密閉センサーパッケージなど、凝縮膜が光学表面を曇らせたり検出器を汚染したりする可能性がある場合に重要です。ウェハーロットトレーサビリティ文書は、各出荷時に提供されます。

優れたワイヤボンディング互換性による高収率アセンブリ

トップ電極は、少なくとも2.5 μmの金を持つスパッタリングされたTiW-Pt-Auスタックです。延性のある金は、誘電体にエネルギーを集中させるのではなく、パッド全体に40-100 mWの超音波エネルギーを分散させ、これは薄膜部品のクレーター発生やボンド貫通の一般的な原因です。典型的なプル強度は、25 μmの金線で6 gf以上です。プロセスウィンドウは、120-150℃のステージ温度での18-25 μmのAu熱超音波ボールボンディングと、室温での25 μmのAl超音波ウェッジボンディングをカバーし、Ptバリアは共晶リフロー中の金の浸出を防ぎます。

主な用途

• フェーズドアレイ送受信モジュールのカップリングおよびバイパス
• GaNおよびGaAsパワーアンプのDCブロッキングおよびドレインバイアスデカップリング
• 衛星LバンドからKaバンドまでのペイロード整合ネットワーク
• レーダーおよびV2Xフロントエンドモジュール (76-81 GHz)
• 真空計測器、イオン光学系、質量分析計フロントエンド
• 光トランシーバーDCブロック (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• 医療用RFサブシステム (MRIコイルエレクトロニクスなど)