Condensatore MOS monostrato ultra-compatto da 100 pF, chip con ingombro di 0,25 mm, 50 V per integrazione di sistemi ad alta densità

Condensatore MOS multistrato singolo HACC101S50V250 Ultra-Compatto 100 pF 50V

Risposta breve: l'HACC101S50V250 è un condensatore MOS monostrato con capacità di 100 pF ±10% e una tensione nominale di 50V DC, realizzato su silicio float-zone con SiO termicamente cresciuto di 300 nm₂ dielettrico in un chip da 0,25 x 0,25 x 0,10 mm. Viene posizionato tramite attacco a chip e collegato tramite legatura a filo, ed è utilizzato dove l'area della scheda o del substrato è il vincolo di progettazione limitante. Capacità, tensione nominale, geometria del chip, tipo di dielettrico e stack di metallizzazione sono tutti personalizzabili.

Specifiche a colpo d'occhio

Purezza di grado semiconduttore e basso degassamento per applicazioni ultra-pulite

Il dielettrico viene fatto crescere in una fabbrica di wafer su silicio float-zone invece di essere depositato da una sospensione ceramica, quindi il chip finito non contiene leganti, coadiuvanti di sinterizzazione o veicolo organico residuo. La perdita di massa totale è inferiore all'1,0% e i materiali condensabili volatili raccolti sono inferiori allo 0,10%, entro i limiti di screening ASTM E595 applicati all'hardware esposto al vuoto. Ciò è importante dove una pellicola condensata potrebbe appannare una superficie ottica o contaminare un rilevatore, ad esempio camere per strumenti a vuoto, colonne di fasci di elettroni e ioni, ottiche di spettrometri di massa e pacchetti di sensori sigillati. La documentazione di tracciabilità del lotto di wafer viene fornita con ogni spedizione.

Compatibilità superiore con la legatura a filo per un assemblaggio ad alta resa

L'elettrodo superiore è uno stack TiW-Pt-Au depositato a sputtering con almeno 2,5 µm di oro. L'oro duttile diffonde 40-100 mW di energia ultrasonica sul pad invece di dirigerla nel dielettrico, che è la causa usuale di craterizzazione e rottura sui componenti a film sottile. La resistenza di trazione tipica è superiore a 6 gf per filo d'oro da 25 µm. La finestra di processo copre la legatura a sfera termosonica di Au da 18-25 µm a una temperatura dello stadio di 120-150°C e la legatura a cuneo ultrasonica di Al da 25 µm a temperatura ambiente, e la barriera di Pt impedisce la lisciviazione dell'oro durante la ricottura eutettica.

Applicazioni tipiche

• Accoppiamento e bypass del modulo trasmettitore/ricevitore a phased array
• Blocco DC e disaccoppiamento della polarizzazione di drain per amplificatori di potenza GaN e GaAs
• Reti di adattamento per payload satellitari da banda L a banda Ka
• Moduli front-end radar e V2X (76-81 GHz)
• Strumentazione per vuoto, ottiche ioniche e front-end di spettrometri di massa
• Blocchi DC per transceiver ottici (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Sottosistemi RF medicali come l'elettronica delle bobine MRI