Capacitor MOS de Camada Única Ultra-Compacto 100 pF Chip com Pegada de 0,25 mm 50V para Integração de Sistema de Alta Densidade

HACC101S50V250 Ultra-compacto 100 pF 50V chip de condensador MOS de camada única

Resposta curta:O HACC101S50V250 é um condensador MOS de camada única com 100 pF ± 10% de capacidade e uma classificação de 50 V de CC, construído em silício de zona flutuante com um SiO de 300 nm cultivado termicamente₂é colocado por colagem por matrizes e ligado por ligação de fios e é utilizado quando a área da placa ou do substrato é a restrição de projeto limitante.tensão nominal, a geometria do chip, o tipo dielétrico e a pilha de metalização são todos personalizáveis.

Especificações de uma olhada

Pureza de grau de semicondutor e baixa emissão de gases para aplicações ultralimpas

O dielétrico é cultivado em uma fábrica de wafer em silício de zona flutuante, em vez de ser depositado a partir de uma lama cerâmica, de modo que o chip acabado não carrega aglutinante, auxílio de sinterização ou veículo orgânico residual.Perda de massa total inferior a 10,0% e materiais condensáveis voláteis coletados com menos de 0,10%, dentro dos limites de triagem da norma ASTM E595, aplicados a equipamentos expostos ao vácuo.Isso importa onde um filme condensado iria borbulhar uma superfície óptica ou contaminar um detectorA documentação de rastreabilidade do lote de wafer é fornecida com cada remessa.

Compatibilidade superior de ligação de fios para montagem de alto rendimento

O eletrodo superior é uma pilha de TiW-Pt-Au pulverizada com pelo menos 2,5 μm de ouro.que é a causa habitual de crateração e ligação através de peças de película finaA força de tração típica é superior a 6 gf para fio de ouro de 25 μm.A janela de processo abrange a ligação de esferas termo-sônicas Au de 18-25 μm a 120-150 °C e a ligação de cunhas ultra-sônicas Al de 25 μm a temperatura ambiente, e a barreira Pt impede a lixiviação do ouro durante o refluxo eutético.

Aplicações típicas

• Acoplamento e desvio de módulos de transmissão/recepção em matriz de fases
• Bloqueio de corrente contínua do amplificador de potência GaN e GaAs e desacoplamento do desvio de drenagem
• Redes de correspondência de carga útil por satélite de banda L para banda Ka
• Modulos de radar e de front-end V2X (76-81 GHz)
• Instrumentação a vácuo, óptica iónica e espectrómetro de massa
• Blocos de transceptor óptico de corrente contínua (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Subsistemas médicos de RF, tais como eletrónica de bobinas de ressonância magnética