Εξαιρετικά Συμπαγής 100 pF Μονοστρωματικός Πυκνωτής MOS Τσιπ 0.25 mm Πέλμα 50V για Ενσωμάτωση Συστημάτων Υψηλής Πυκνότητας

HACC101S50V250 Εξαιρετικά Συμπαγές 100 pF 50V Μονοστρωματικό Πυκνωτής MOS Chip

Σύντομη απάντηση: το HACC101S50V250 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS με χωρητικότητα 100 pF ±10% και ονομαστική τάση 50V DC, κατασκευασμένος σε πυρίτιο float-zone με θερμικά αναπτυγμένο SiO 300 nm₂ διηλεκτρικό σε chip 0,25 x 0,25 x 0,10 mm. Τοποθετείται με die attach και συνδέεται με wire bonding, και χρησιμοποιείται όπου η επιφάνεια της πλακέτας ή του υποστρώματος είναι ο περιοριστικός σχεδιαστικός παράγοντας. Η χωρητικότητα, η ονομαστική τάση, η γεωμετρία του chip, ο τύπος του διηλεκτρικού και η στοίβα μεταλλώσεων είναι όλα προσαρμόσιμα.

Προδιαγραφές με μια ματιά

Καθαρότητα Ημιαγωγού και Χαμηλή Εκπομπή Αερίων για Εξαιρετικά Καθαρές Εφαρμογές

Το διηλεκτρικό αναπτύσσεται σε ένα wafer fab σε πυρίτιο float-zone αντί να εναποτίθεται από κεραμική λάσπη, έτσι ώστε το τελικό chip να μην περιέχει συνδετικό υλικό, ενισχυτικό πυροσυσσωμάτωσης ή υπολειμματικό οργανικό όχημα. Η συνολική απώλεια μάζας είναι κάτω από 1,0% και τα συλλεγόμενα πτητικά συμπυκνώσιμα υλικά κάτω από 0,10%, εντός των ορίων ελέγχου ASTM E595 που εφαρμόζονται σε υλικό εκτεθειμένο σε κενό. Αυτό έχει σημασία όπου μια συμπυκνωμένη μεμβράνη θα μπορούσε να θαμπώσει μια οπτική επιφάνεια ή να μολύνει έναν ανιχνευτή, για παράδειγμα θαλάμους οργάνων κενού, στήλες δέσμης ηλεκτρονίων και ιόντων, οπτικά φασματομέτρου μάζας και σφραγισμένες συσκευασίες αισθητήρων. Παρέχεται τεκμηρίωση ιχνηλασιμότητας παρτίδας Wafer με κάθε αποστολή.

Ανώτερη Συμβατότητα Wire-Bonding για Συναρμολόγηση Υψηλής Απόδοσης

Το άνω ηλεκτρόδιο είναι μια στοίβα TiW-Pt-Au με ψεκασμό με τουλάχιστον 2,5 μm χρυσού. Ο εύκαμπτος χρυσός διαχέει 40-100 mW υπερηχητικής ενέργειας σε όλη την επιφάνεια αντί να την οδηγεί στο διηλεκτρικό, που είναι η συνήθης αιτία δημιουργίας κρατήρων και διάτρησης σε λεπτά φιλμ. Η τυπική αντοχή έλξης είναι πάνω από 6 gf για χρυσό σύρμα 25 μm. Το παράθυρο διεργασίας καλύπτει θερμοσονική συγκόλληση με μπάλα Au 18-25 μm σε θερμοκρασία σταδίου 120-150°C και συγκόλληση με σφήνα Al 25 μm με υπερήχους σε θερμοκρασία δωματίου, και το φράγμα Pt αποτρέπει την έκπλυση χρυσού κατά την ευτηκτική αναρροή.

Τυπικές Εφαρμογές

• Σύζευξη και παράκαμψη μονάδων μετάδοσης/λήψης φασικής mατριδας
• Αποκοπή DC και αποσύζευξη πόλωσης αποχέτευσης ενισχυτών ισχύος GaN και GaAs
• Δίκτυα αντιστοίχισης δορυφορικών φορτίων L-band έως Ka-band
• Μονάδες εμπρόσθιου μέρους ραντάρ και V2X (76-81 GHz)
• Όργανα κενού, οπτικά ιόντων και εμπρόσθια μέρη φασματομέτρων μάζας
• Αποκοπές DC οπτικών διατάξεων (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Ιατρικά υποσυστήματα RF όπως ηλεκτρονικά πηνίων MRI