Ultra-Compacte 100 pF Enkele Laags MOS Condensator Chip 0,25 mm Voetafdruk 50V voor High-Density Systeemintegratie

HACC101S50V250 Ultra-Compact 100 pF 50V Single Layer MOS Condensator Chip

Kort antwoord: de HACC101S50V250 is een enkellaagse MOS-condensator met een capaciteit van 100 pF ±10% en een nominale spanning van 50V DC, gebouwd op float-zone silicium met een 300 nm thermisch gegroeide SiO₂ diëlektricum in een 0,25 x 0,25 x 0,10 mm chip. Het wordt geplaatst door die attach en verbonden door middel van draadbonding, en het wordt gebruikt waar de bord- of substraatoppervlakte de beperkende ontwerpeis is. Capaciteit, spanningsbereik, chipgeometrie, diëlektricumtype en metallisatiestack zijn allemaal aanpasbaar.

Specificaties in één oogopslag

Halfgeleiderkwaliteit Zuiverheid en Lage Ontgassing voor Ultra-Schone Toepassingen

Het diëlektricum wordt gegroeid in een waferfabriek op float-zone silicium in plaats van te worden afgezet uit een keramische slurry, zodat de voltooide chip geen binder, sinterhulpmiddel of resterend organisch voertuig bevat. Het totale massaverlies is minder dan 1,0% en verzamelde vluchtige condenseerbare materialen minder dan 0,10%, binnen de ASTM E595-screeninglimieten die worden toegepast op vacuüm-blootgestelde hardware. Dat is belangrijk waar een gecondenseerde film een optisch oppervlak zou beslaan of een detector zou verontreinigen, bijvoorbeeld vacuüm-instrumentkamers, elektronen- en ionenbundelkolommen, massaspectrometeroptiek en afgedichte sensorpakketten. Wafer-lot traceerbaarheidsdocumentatie wordt bij elke zending geleverd.

Superieure Draad-Bonding Compatibiliteit voor Hoge Assemblage-Opbrengst

De bovenste elektrode is een gesputterde TiW-Pt-Au-stack met ten minste 2,5 µm goud. Het ductiele goud verspreidt 40-100 mW ultrasone energie over het pad in plaats van het in het diëlektricum te drijven, wat de gebruikelijke oorzaak is van kratervorming en doorbraak bij dunne-filmonderdelen. De typische treksterkte is boven de 6 gf voor 25 µm gouddraad. Het procesvenster omvat 18-25 µm Au thermosonische balbonding bij 120-150°C stage temperatuur en 25 µm Al ultrasone wigbonding bij kamertemperatuur, en de Pt-barrière voorkomt gouduitloging tijdens eutectische reflow.

Typische Toepassingen

• Koppeling en bypass van phased-array zend-/ontvangstmodules
• GaN en GaAs power amplifier DC-blokkering en drain bias ontkoppeling
• Satelliet L-band tot Ka-band payload matching netwerken
• Radar en V2X front-end modules (76-81 GHz)
• Vacuüm instrumentatie, ionenoptica en massaspectrometer front-ends
• Optische transceiver DC-blokken (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Medische RF-subsystemen zoals MRI-spoel-elektronica