مكثف MOS أحادي الطبقة فائق الصغر بسعة 100 بيكوفاراد ورقاقة ذات بصمة 0.25 مم بجهد 50 فولت للتكامل عالي الكثافة للنظام

مكثف شريحة MOS أحادي الطبقة فائق الصغر HACC101S50V250 بسعة 100 بيكوفاراد و 50 فولت

إجابة قصيرة:HACC101S50V250 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 100 بيكوفاراد ±10% وتصنيف جهد تيار مستمر 50 فولت، مبني على سيليكون ذو منطقة عائمة مع طبقة عازلة من SiO2 حرارية بسمك 300 نانومتر في شريحة بحجم 0.25 × 0.25 × 0.10 ملم. يتم وضعه عن طريق لصق الشريحة وتوصيله عن طريق ربط الأسلاك، ويستخدم حيث تكون مساحة اللوحة أو الركيزة هي القيد التصميمي المحدد. السعة، تصنيف الجهد، هندسة الشريحة، نوع العازل، ومجموعة المعادن قابلة للتخصيص._{, 300 نانومتر} عازل في شريحة بحجم 0.25 × 0.25 × 0.10 ملم. يتم وضعه عن طريق لصق الشريحة وتوصيله عن طريق ربط الأسلاك، ويستخدم حيث تكون مساحة اللوحة أو الركيزة هي القيد التصميمي المحدد. السعة، تصنيف الجهد، هندسة الشريحة، نوع العازل، ومجموعة المعادن قابلة للتخصيص.

المواصفات في لمحة

يتم نمو العازل في مصنع رقائق على سيليكون ذي منطقة عائمة بدلاً من ترسيبه من ملاط سيراميكي، لذلك لا تحمل الشريحة النهائية أي مادة رابطة أو مساعد تلبيد أو بقايا مركبات عضوية. يقل إجمالي فقدان الكتلة عن 1.0% والمواد المتطايرة القابلة للتكثيف المجمعة أقل من 0.10%، ضمن حدود فحص ASTM E595 المطبقة على الأجهزة المعرضة للفراغ. هذا مهم حيث يمكن لفيلم متكثف أن يغيم سطحًا بصريًا أو يلوث كاشفًا، على سبيل المثال في غرف الأدوات الفراغية، وأعمدة شعاع الإلكترون والأيونات، وبصريات مطياف الكتلة، وحزم المستشعرات المغلقة. يتم توفير وثائق تتبع دفعة الرقائق مع كل شحنة.

توافق فائق لربط الأسلاك لتجميع عالي الإنتاجية

الإلكترود العلوي هو طبقة TiW-Pt-Au مرشوشة مع ما لا يقل عن 2.5 ميكرومتر من الذهب. ينتشر الذهب المرن 40-100 ميجاوات من الطاقة فوق الصوتية عبر الوسادة بدلاً من دفعها إلى العازل، وهو السبب المعتاد للتكسير والاختراق في الأجزاء ذات الأغشية الرقيقة. قوة السحب النموذجية أعلى من 6 جرام للقوة لسلك ذهب بقطر 25 ميكرومتر. تغطي نافذة العملية ربط الكرة الحراري بالذهب بقطر 18-25 ميكرومتر عند درجة حرارة مرحلة 120-150 درجة مئوية وربط الوتد بالموجات فوق الصوتية بالألمنيوم بقطر 25 ميكرومتر عند درجة حرارة الغرفة، ويمنع حاجز البلاتين تسرب الذهب أثناء إعادة تدفق اليوتكتيك.

التطبيقات النموذجية

اقتران وتجاوز وحدات الإرسال والاستقبال ذات المصفوفة الطورية

• حجب التيار المستمر ومقاومة تفريغ المصرف لمضخمات الطاقة GaN و GaAs
• شبكات مطابقة الأقمار الصناعية من نطاق L إلى نطاق Ka
• وحدات الواجهة الأمامية للرادار و V2X (76-81 جيجاهرتز)
• أدوات فراغية، بصريات أيونية، وواجهات أمامية لمطياف الكتلة
• حجب التيار المستمر للمحولات البصرية (100G/400G QSFP-DD، OSFP)
• أنظمة فرعية للترددات الراديوية الطبية مثل إلكترونيات ملفات التصوير بالرنين المغناطيسي