Condensador MOS de capa única ultra compacto de 100 pF, chip con huella de 0,25 mm, 50 V para integración de sistemas de alta densidad

HACC101S50V250 Capacitor MOS de capa única ultra-compacto de 100 pF y 50V

Respuesta corta: el HACC101S50V250 es un condensador MOS de capa única con una capacitancia de 100 pF ±10% y una clasificación de CC de 50V, construido sobre silicio de zona flotante con un SiO térmicamente crecido de 300 nm₂ dieléctrico en un chip de 0.25 x 0.25 x 0.10 mm. Se coloca mediante montaje de troquel y se conecta mediante unión de alambre, y se utiliza donde el área de la placa o el sustrato es la restricción de diseño limitante. La capacitancia, la clasificación de voltaje, la geometría del chip, el tipo de dieléctrico y la pila de metalización son personalizables.

Especificaciones de un vistazo

Pureza de grado semiconductor y baja emisión para aplicaciones ultra limpias

El dieléctrico se cultiva en una fábrica de obleas sobre silicio de zona flotante en lugar de depositarse a partir de una suspensión cerámica, por lo que el chip terminado no contiene aglutinante, ayuda de sinterización ni vehículo orgánico residual. La pérdida total de masa es inferior al 1.0% y los materiales volátiles condensables recolectados son inferiores al 0.10%, dentro de los límites de cribado ASTM E595 aplicados al hardware expuesto al vacío. Esto es importante donde una película condensada podría empañar una superficie óptica o contaminar un detector, por ejemplo, cámaras de instrumentos de vacío, columnas de haces de electrones e iones, óptica de espectrómetros de masas y paquetes de sensores sellados. Se proporciona documentación de trazabilidad del lote de obleas con cada envío.

Compatibilidad superior de unión de alambre para un ensamblaje de alto rendimiento

El electrodo superior es una pila de TiW-Pt-Au pulverizada con al menos 2.5 µm de oro. El oro dúctil distribuye 40-100 mW de energía ultrasónica a través de la almohadilla en lugar de dirigirla al dieléctrico, que es la causa habitual de craterización y rotura en piezas de película delgada. La resistencia de tracción típica es superior a 6 gf para alambre de oro de 25 µm. La ventana del proceso cubre la unión de bolas termo-sónicas de Au de 18-25 µm a una temperatura de etapa de 120-150 °C y la unión de cuña ultrasónica de Al de 25 µm a temperatura ambiente, y la barrera de Pt evita la lixiviación de oro durante la fusión eutéctica.

Aplicaciones típicas

• Acoplamiento y derivación de módulos de transmisión/recepción de phased array
• Bloqueo de CC y desacoplamiento de polarización de drenaje de amplificadores de potencia GaN y GaAs
• Redes de adaptación de carga útil de satélite de banda L a banda Ka
• Módulos frontales de radar y V2X (76-81 GHz)
• Instrumentación de vacío, óptica de iones y frontales de espectrómetros de masas
• Bloqueos de CC de transceptores ópticos (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Subsistemas de RF médicos, como electrónica de bobina de MRI