Ультракомпактный 100 пФ однослойный МОП-конденсаторный чип с посадочным местом 0,25 мм, 50 В для высокоплостной системной интеграции

HACC101S50V250 Ультра-компактный однослойный МОП-конденсатор 100 пФ 50В

Короткий ответ: HACC101S50V250 — это однослойный МОП-конденсатор с емкостью 100 пФ ±10% и номинальным напряжением 50В постоянного тока, изготовленный на кремнии, выращенном методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком SiO 2 толщиной 300 нм в корпусе размером 0,25 x 0,25 x 0,10 мм. Он устанавливается методом крепления кристалла и подключается проволочной разваркой, и используется там, где площадь платы или подложки является ограничивающим конструктивным фактором. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.₂ диэлектрик в корпусе размером 0,25 x 0,25 x 0,10 мм. Он устанавливается методом крепления кристалла и подключается проволочной разваркой, и используется там, где площадь платы или подложки является ограничивающим конструктивным фактором. Емкость, номинальное напряжение, геометрия корпуса, тип диэлектрика и металлизация могут быть изменены по индивидуальному заказу.

Спецификации вкратце

Полупроводниковая чистота и низкое газовыделение для сверхчистых применений

Диэлектрик выращивается на кремнии, выращенном методом зонной плавки, в фабрике пластин, а не наносится из керамической суспензии, поэтому готовый кристалл не содержит связующего, спекающего агента или остаточного органического носителя. Общая потеря массы составляет менее 1,0%, а собранные летучие конденсируемые материалы — менее 0,10%, что соответствует пределам испытаний ASTM E595, применяемым к оборудованию, подвергаемому воздействию вакуума. Это важно там, где конденсированная пленка может запотевать оптическую поверхность или загрязнять детектор, например, в вакуумных измерительных камерах, электронных и ионных пучковых колоннах, оптике масс-спектрометров и герметичных датчиковых упаковках. Документация по прослеживаемости партий пластин поставляется с каждой партией.

Превосходная совместимость с проволочной разваркой для высокопроизводительной сборки

Верхний электрод представляет собой напыленный слой TiW-Pt-Au с золотом не менее 2,5 мкм. Пластичное золото распределяет 40-100 мВт ультразвуковой энергии по площадке, а не направляет ее в диэлектрик, что обычно является причиной образования кратеров и пробоев на тонкопленочных компонентах. Типичная прочность на разрыв составляет более 6 гс для золотой проволоки диаметром 25 мкм. Технологический диапазон охватывает термозвуковую шариковую разварку золотой проволокой диаметром 18-25 мкм при температуре подложки 120-150°C и ультразвуковую клиновую разварку алюминиевой проволокой диаметром 25 мкм при комнатной температуре, а платиновый барьер предотвращает выщелачивание золота во время эвтектического оплавления.

Типичные области применения

• Связывание и шунтирование в приемопередающих модулях с фазированной решеткой
• Блокировка постоянного тока и развязка по питанию стока в мощных усилителях GaN и GaAs
• Согласующие цепи спутниковых нагрузок L-диапазона до Ka-диапазона
• Фронтальные модули радаров и V2X (76-81 ГГц)
• Вакуумные измерительные приборы, ионная оптика и фронтальные части масс-спектрометров
• Блоки постоянного тока оптических трансиверов (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Медицинские ВЧ-подсистемы, такие как электроника МРТ-катушек