고밀도 시스템 통합을 위한 초소형 100 pF 단층 MOS 커패시터 칩 0.25 mm 풋프린트 50V

HACC101S50V250 초소형 100pF 50V 단일 계층 MOS 콘덴시터 칩

짧은 대답:HACC101S50V250는 100pF ±10% 용량과 50V DC 등급을 가진 단일 계층 MOS 콘덴시터로, 300nm 열성 성장 SiO를 가진 부동 영역 실리콘으로 구성되어 있습니다.₂0.25 x 0.25 x 0.10mm 칩에 다이 일렉트릭을 넣고 와이어 결합으로 연결하고 판 또는 기판 면적이 제한적인 설계 제약이있는 곳에서 사용됩니다. 용량,정압 등급, 칩 기하학, 다이 일렉트릭 유형 및 금속화 스택은 모두 사용자 정의됩니다.

한눈에 볼 때

반도체 수준의 순수성 및 초정화 애플리케이션을 위한 낮은 배출가스

다이엘렉트릭은 세라믹 매립물에서 퇴적되는 대신 플로트존 실리콘에 웨이퍼 팩트에서 자란다. 따라서 완성된 칩에는 결합 물질, 시너지 보조물질 또는 잔류 유기체가 없다.전체 질량 손실은 1보다 작습니다.0.0% 및 0.10% 이하의 휘발성 응축 물질을 수집하여 진공에 노출된 하드웨어에 적용되는 ASTM E595 스크리닝 한도 내에서 수집했다.가밀화된 필름이 광적 표면을 흐리게 하거나 검출기를 오염시킬 때, 예를 들어 진공 계기실, 전자 및 이온 빔 기둥, 질량 분광 광학 및 밀폐 된 센서 패키지. 웨이퍼 롯 추적기록은 각 배송과 함께 제공됩니다.

고출력 조립을 위한 우수한 와이어 결합 호환성

위 전극은 적어도 2.5μm의 금을 가진 TiW-Pt-Au 스프터 스택입니다. 유연한 금은 40-100mW의 초음파 에너지를 패드 전체에 퍼뜨립니다.이것은 얇은 필름 부분에서 크레이터와 결합의 일반적인 원인입니다.전형적인 당기는 힘은 25 μm 금 유선에 6gf 이상입니다.프로세스 창은 120-150 °C 단계 온도에서 18-25 μm Au 열음 공 결합과 방 온도에서 25 μm Al 초음파 윙 결합을 포함합니다., 그리고 Pt 장벽은 eutectic 재흐름 중에 금의 침착을 방지합니다.

전형적 사용법

• 단계 배열 송신/ 수신 모듈 결합 및 우회
• GaN 및 GaAs 전력 증폭기 DC 차단 및 배수 편향 분리
• 위성 L 대역에서 Ka 대역의 유료 화물 매칭 네트워크
• 레이더 및 V2X 프론트엔드 모듈 (76-81 GHz)
• 진공 기기, 이온 광학 및 질량 분광기 전단
• 광전도체 DC 블록 (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• 의료용 RF 서브시스템, 예를 들어 MRI 코일 전자