Condensateur MOS monocouche ultra-compact de 100 pF, puce avec empreinte de 0,25 mm, 50 V pour une intégration système haute densité

Condensateur MOS monocouche ultra-compact HACC101S50V250 de 100 pF, 50V

Réponse courte :Le HACC101S50V250 est un condensateur MOS monocouche avec une capacité de 100 pF ±10% et une tension nominale de 50V CC, fabriqué sur silicium à zone flottante avec une couche de SiO thermique de 300 nm₂ diélectrique dans une puce de 0,25 x 0,25 x 0,10 mm. Il est placé par fixation de puce et connecté par soudage de fils, et il est utilisé lorsque la surface de la carte ou du substrat est la contrainte de conception limitante. La capacité, la tension nominale, la géométrie de la puce, le type de diélectrique et la pile de métallisation sont tous personnalisables.

Spécifications en un coup d'œil

Pureté de qualité semi-conducteur et faible dégazage pour les applications ultra-propres

Le diélectrique est cultivé dans une fabrique de plaquettes sur silicium à zone flottante au lieu d'être déposé à partir d'une suspension céramique, de sorte que la puce finie ne contient pas de liant, d'aide au frittage ou de véhicule organique résiduel. La perte de masse totale est inférieure à 1,0% et les matériaux volatils condensables collectés sont inférieurs à 0,10%, dans les limites de criblage ASTM E595 appliquées au matériel exposé au vide. Cela est important là où un film condensé pourrait voiler une surface optique ou contaminer un détecteur, par exemple dans les chambres d'instruments sous vide, les colonnes de faisceaux d'électrons et d'ions, les optiques de spectromètres de masse et les boîtiers de capteurs scellés. La documentation de traçabilité des lots de plaquettes est fournie avec chaque expédition.

Compatibilité supérieure de soudage par fil pour un assemblage à haut rendement

L'électrode supérieure est une pile TiW-Pt-Au pulvérisée avec au moins 2,5 µm d'or. L'or ductile répartit 40-100 mW d'énergie ultrasonique sur le pad au lieu de la diriger dans le diélectrique, ce qui est la cause habituelle de la formation de cratères et de la traversée sur les pièces à couches minces. La résistance à la traction typique est supérieure à 6 gf pour un fil d'or de 25 µm. La fenêtre de processus couvre le soudage par billes thermosoniques d'Au de 18-25 µm à une température de platine de 120-150°C et le soudage par coin ultrasonique d'Al de 25 µm à température ambiante, et la barrière de Pt empêche la lixiviation de l'or pendant le refusion eutectique.

Applications typiques

• Couplage et dérivation de modules émetteurs-récepteurs à réseau phasé
• Blocage CC et découplage de polarisation de drain pour amplificateurs de puissance GaN et GaAs
• Réseaux d'adaptation de charge de satellites bande L à bande Ka
• Modules frontaux radar et V2X (76-81 GHz)
• Instrumentation sous vide, optique ionique et frontaux de spectromètres de masse
• Blocs CC de transceivers optiques (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Sous-systèmes RF médicaux tels que l'électronique de bobine IRM