HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC101S50V250 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | T/T, L/C, D/A, D/P |
সংক্ষিপ্ত উত্তর:HACC101S50V250 হল একটি সিঙ্গেল লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যার 100 pF ±10% ক্যাপাসিট্যান্স এবং 50V DC রেটিং, যা ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর 300 nm থার্মালি গ্রোন SiO2 ডাইইলেকট্রিক সহ 0.25 x 0.25 x 0.10 মিমি চিপে তৈরি। এটি ডাই অ্যাটাচ দ্বারা স্থাপন করা হয় এবং ওয়্যার বন্ডিং দ্বারা সংযুক্ত করা হয়, এবং এটি সেখানে ব্যবহৃত হয় যেখানে বোর্ড বা সাবস্ট্রেট এলাকা হল সীমাবদ্ধ নকশার সীমাবদ্ধতা। ক্যাপাসিট্যান্স, ভোল্টেজ রেটিং, চিপ জ্যামিতি, ডাইইলেকট্রিক টাইপ এবং মেটালাইজেশন স্ট্যাক সবই কাস্টমাইজযোগ্য।
| প্যারামিটার | মান |
| ক্যাপাসিট্যান্স | 100 pF ±10% (±5% উপলব্ধ) |
| রেটেড ডিসি ভোল্টেজ | 50V |
| ডাইইলেকট্রিক | থার্মাল SiO2, 300 nm |
| চিপের আকার | 0.25 x 0.25 x 0.10 মিমি |
| Q ফ্যাক্টর | 1 MHz এ >2000, 1 GHz এ >200 |
| 1 GHz এ ESR | <0.1 Ω |
| ইন্ট্রিনসিক ESL | <0.05 nH |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| লিকেজ | 25°C এ <10 nA |
| টপ ইলেকট্রোড | TiW-Pt-Au, ≥2.5 µm Au, ওয়্যার বন্ডেবল |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C থেকে +125°C |
| MSL | MSL 1 প্রতি J-STD-020 |
ডাইইলেকট্রিকটি সিরামিক স্লারি থেকে জমা করার পরিবর্তে ফ্লোট-জোন সিলিকনের উপর একটি ওয়েফার ফ্যাব-এ জন্মানো হয়, তাই সমাপ্ত চিপটিতে কোনও বাইন্ডার, সিন্টারিং এইড বা অবশিষ্ট জৈব বাহক থাকে না। মোট ভর হ্রাস 1.0% এর কম এবং সংগৃহীত উদ্বায়ী ঘনীভূত পদার্থ 0.10% এর কম, যা ভ্যাকুয়াম-এক্সপোজড হার্ডওয়্যারের জন্য প্রয়োগ করা ASTM E595 স্ক্রীনিং সীমার মধ্যে। এটি গুরুত্বপূর্ণ যেখানে একটি ঘনীভূত ফিল্ম একটি অপটিক্যাল পৃষ্ঠকে কুয়াশাচ্ছন্ন করবে বা একটি ডিটেক্টরকে দূষিত করবে, উদাহরণস্বরূপ ভ্যাকুয়াম ইন্সট্রুমেন্ট চেম্বার, ইলেকট্রন এবং আয়ন বিম কলাম, মাস স্পেকট্রোমিটার অপটিক্স এবং সিল করা সেন্সর প্যাকেজ। ওয়েফার লট ট্রেসেবিলিটি ডকুমেন্টেশন প্রতিটি চালানের সাথে সরবরাহ করা হয়।
টপ ইলেকট্রোড হল একটি স্পাটার্ড TiW-Pt-Au স্ট্যাক যার অন্তত 2.5 µm সোনা রয়েছে। নমনীয় সোনা প্যাডের উপর 40-100 mW আল্ট্রাসনিক শক্তি ছড়িয়ে দেয়, এটিকে ডাইইলেকট্রিকের মধ্যে চালিত করার পরিবর্তে, যা পাতলা-ফিল্ম অংশগুলিতে ক্রেটারিং এবং বন্ড-থ্রু-এর সাধারণ কারণ। 25 µm সোনার তারের জন্য সাধারণ পুল শক্তি 6 gf এর উপরে। প্রক্রিয়া উইন্ডো 120-150°C স্টেজ তাপমাত্রা এবং 25 µm Al আল্ট্রাসনিক ওয়েজ বন্ডিংয়ে 18-25 µm Au থার্মোসনিক বল বন্ডিং এবং ঘরের তাপমাত্রায় কভার করে, এবং Pt বাধা ইউটেকটিক রিফ্লোর সময় সোনা লিচিং প্রতিরোধ করে।
