Ultra-kompakter 100 pF Einschicht-MOS-Kondensator-Chip 0,25 mm Footprint 50V für hochdichte Systemintegration

HACC101S50V250 Ultra-Kompakter 100 pF 50V Einzelschicht-MOS-Kondensator-Chip

Kurzantwort: Der HACC101S50V250 ist ein Einzelschicht-MOS-Kondensator mit 100 pF ±10% Kapazität und einer Nennspannung von 50 V DC, gefertigt auf Float-Zone-Silizium mit einer thermisch gewachsenen SiO-Schicht von 300 nm₂ Dielektrikum in einem 0,25 x 0,25 x 0,10 mm Chip. Er wird per Die-Attach platziert und per Drahtbonden verbunden und wird dort eingesetzt, wo die Platinen- oder Substratfläche die einschränkende Designbedingung darstellt. Kapazität, Spannungsfestigkeit, Chipgeometrie, Dielektrikumtyp und Metallisierungsschicht sind alle anpassbar.

Spezifikationen im Überblick

Halbleiterreine Reinheit und geringe Ausgasung für ultra-saubere Anwendungen

Das Dielektrikum wird in einer Wafer-Fabrik auf Float-Zone-Silizium gewachsen, anstatt aus einer Keramikschlämme abgeschieden zu werden, sodass der fertige Chip keinen Binder, Sinterhilfsstoff oder restliches organisches Bindemittel enthält. Der Gesamtmassenverlust liegt unter 1,0 % und die gesammelten flüchtigen kondensierbaren Materialien unter 0,10 %, innerhalb der ASTM E595-Prüfgrenzen für Vakuum-exponierte Hardware. Das ist wichtig, wo ein kondensierter Film eine optische Oberfläche beschlagen oder einen Detektor kontaminieren würde, zum Beispiel in Vakuum-Instrumentenkammern, Elektronen- und Ionenstrahlröhren, Massenspektrometeroptiken und versiegelten Sensorpaketen. Wafer-Chargen-Rückverfolgbarkeitsdokumentation wird mit jeder Lieferung geliefert.

Überlegene Drahtbond-Kompatibilität für hochertragreiche Montage

Die obere Elektrode ist eine gesputterte TiW-Pt-Au-Schicht mit mindestens 2,5 µm Gold. Das duktile Gold verteilt 40-100 mW Ultraschallenergie über das Pad, anstatt sie in das Dielektrikum zu treiben, was die übliche Ursache für Kraterbildung und Durchbruch bei Dünnschichtbauteilen ist. Die typische Zugfestigkeit liegt über 6 gf für 25 µm Golddraht. Das Prozessfenster umfasst 18-25 µm Au thermosonisches Kugelbonden bei 120-150°C Stufentemperatur und 25 µm Al Ultraschallkeilbonden bei Raumtemperatur, und die Pt-Barriere verhindert Goldauslaugung während des eutektischen Reflows.

Typische Anwendungen

• Kopplung und Bypass von Phased-Array-Sende-/Empfangsmodulen
• DC-Blockierung und Drain-Bias-Entkopplung von GaN- und GaAs-Leistungsverstärkern
• Anpassungsnetzwerke für Satelliten-L-Band bis Ka-Band-Nutzlasten
• Radar- und V2X-Front-End-Module (76-81 GHz)
• Vakuum-Instrumentierung, Ionenoptik und Massenspektrometer-Front-Ends
• Optische Transceiver DC-Blöcke (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Medizinische HF-Subsysteme wie MRI-Spulen-Elektronik