Chip Kapasitor MOS Lapisan Tunggal Ultra-Kompak 100 pF Jejak 0,25 mm 50V untuk Integrasi Sistem Kepadatan Tinggi

HACC101S50V250 Ultra-Compact 100 pF 50V Single Layer MOS Capacitor Chip

Jawaban singkat: HACC101S50V250 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal dengan kapasitansi 100 pF ±10% & peringkat DC 50V, dibangun di atas silikon float-zone dengan SiO termal 300 nm₂ dielektrik dalam chip 0,25 x 0,25 x 0,10 mm. Dipasang dengan die attach dan dihubungkan dengan wire bonding, dan digunakan di mana area papan atau substrat adalah kendala desain yang membatasi. Kapasitansi, peringkat tegangan, geometri chip, jenis dielektrik, dan tumpukan metalisasi semuanya dapat disesuaikan.

Spesifikasi Sekilas

Kemurnian Tingkat Semikonduktor dan Pengeluaran Gas Rendah untuk Aplikasi Ultra-Bersih

Dielektrik ditumbuhkan di pabrik wafer pada silikon float-zone alih-alih dideposisikan dari bubur keramik, sehingga chip jadi tidak mengandung pengikat, bantuan sintering, atau kendaraan organik sisa. Total kehilangan massa kurang dari 1,0% dan bahan terkondensasi yang mudah menguap terkumpul kurang dari 0,10%, di dalam batas penyaringan ASTM E595 yang diterapkan pada perangkat keras yang terpapar vakum. Hal itu penting di mana film terkondensasi akan mengaburkan permukaan optik atau mengkontaminasi detektor, misalnya ruang instrumen vakum, kolom berkas elektron dan ion, optik spektrometer massa, dan paket sensor tertutup. Dokumentasi ketertelusuran lot wafer disertakan dengan setiap pengiriman.

Kompatibilitas Wire-Bonding Unggul untuk Perakitan Hasil Tinggi

Elektroda atas adalah tumpukan TiW-Pt-Au yang disputter dengan setidaknya 2,5 µm emas. Emas yang lentur menyebarkan energi ultrasonik 40-100 mW ke seluruh bantalan alih-alih mendorongnya ke dalam dielektrik, yang merupakan penyebab umum kawah dan tembus pada bagian film tipis. Kekuatan tarik tipikal di atas 6 gf untuk kawat emas 25 µm. Jendela proses mencakup pengikatan bola thermosonik Au 18-25 µm pada suhu tahap 120-150°C dan pengikatan baji ultrasonik Al 25 µm pada suhu kamar, dan penghalang Pt mencegah pelindian emas selama peleburan eutektik.

Aplikasi Khas

• Penggandengan dan bypass modul pemancar/penerima phased-array
• Pemblokiran DC dan dekupling bias drain penguat daya GaN dan GaAs
• Jaringan pencocokan muatan satelit L-band hingga Ka-band
• Modul depan radar dan V2X (76-81 GHz)
• Instrumentasi vakum, optik ion, dan ujung depan spektrometer massa
• Blok DC transceiver optik (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Sub-sistem RF medis seperti elektronik koil MRI