HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC101S50V250 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | T/T, L/C, D/A, D/P |
Krótka odpowiedź:HACC101S50V250 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 100 pF ± 10% i nominalnej mocy prądu stałego 50 V, zbudowany na krzemu w strefie pływającej o temperaturze SiO 300 nm2jest umieszczany przez przymocowanie i połączony przez wiązanie drutu i jest stosowany, gdy powierzchnia płyty lub podłoża jest ograniczającym ograniczeniem projektowym.napięcie nominalne, geometria chipów, typ dielektryczny i metalizacja są dostosowywalne.
| Parametry | Wartość |
| Pojemność | 100 pF ±10% (±5% dostępne) |
| Narysowane napięcie prądu stałego | 50 V |
| Elektryczne | SiO cieplny2, 300 nm |
| Wielkość chipa | 00,25 x 0,25 x 0,10 mm |
| Czynnik Q | > 2000 przy 1 MHz, > 200 przy 1 GHz |
| ESR w 1 GHz | < 0,1 Ω |
| ESL wewnętrzny | < 0,05 nH |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C |
| Wyciek | < 10 nA w temperaturze 25°C |
| Elektroda górna | TiW-Pt-Au, ≥2,5 μm Au, wiązane z drutem |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C |
| MSL | MSL 1 na J-STD-020 |
Dielektryczny jest hodowany w fabryce płytek na krzemowym pływającym, zamiast być odkładany z ceramicznego nawozu, więc gotowy układ nie zawiera żadnego wiążącego, pomocnika do spiekania ani pozostałego nośnika organicznego.Całkowita utrata masy jest mniejsza niż 10,0% i zebranych lotnych materiałów kondensacyjnych poniżej 0,10%, w granicach granic przesiewowych ASTM E595, stosowanych do sprzętu narażonego na próżnię.To ma znaczenie, gdy skondensowany film może zagłuszyć powierzchnię optyczną lub skazić detektor.Na przykład komory przyrządów próżniowych, kolumny wiązki elektronów i jonów, optyka spektrometru masy i zamknięte opakowania czujników.
Górna elektroda to rozpylanie TiW-Pt-Au z co najmniej 2,5 μm złota, które rozprzestrzenia 40-100 mW energii ultradźwiękowej przez podłogę zamiast napędzać ją do dielektryku.który jest zwykłą przyczyną kraterów i wiązania na częściach o cienkiej warstwieTypowa siła przyciągania wynosi ponad 6 gf dla drutu złota o długości 25 μm.Okno procesu obejmuje 18-25 μm Au termozonowe wiązanie kulkowe w temperaturze 120-150 °C i 25 μm Al ultradźwiękowe wiązanie klinowe w temperaturze pokojowej, a bariera Pt zapobiega wydalania złota podczas euektyki.
