รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว Ultra-Compact 100 pF ชิป 0.25 มม. ฟุตพริ้นท์ 50V สำหรับการรวมระบบความหนาแน่นสูง

Name: ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว Ultra-Compact 100 pF ชิป 0.25 มม. ฟุตพริ้นท์ 50V สำหรับการรวมระบบความหนาแน่นสูง
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S50V250
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC101S50V250
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T,L/C,D/A,D/P

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015

ช่วงความจุ:

10 pF ถึง 1,000 pF บนแพลตฟอร์มนี้

แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ:

50โวลต์ดีซี

ขนาดชิป:

0.25 x 0.25 x 0.10 มม. (±20 µm)

ประเภทการติดตั้ง:

อีพ็อกซี่แบบยึดติดด้วยลวด / แบบนำไฟฟ้าหรือแบบติด Die AuSn Eutectic

ระดับ ESD:

คลาส 0 (HBM) ต่อ JESD22-A114

ความไวต่อความชื้น:

MSL 1 ต่อ J-STD-020

เน้น:

ชิปความแข็ง MOS 100 pF

ตัวเก็บประจุ MOS ฟุตพริ้นท์ 0.25 มม.

ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 50V

คําอธิบายสินค้า

HACC101S50V250 ชิป MOS Capacitor ชิปขนาดเล็ก 100 pF 50V ชั้นเดียว

คําตอบสั้นๆHACC101S50V250 เป็นตัวประกอบ MOS ชั้นเดียวที่มีความจุ 100 pF ± 10% และความจุ 50V DC ที่สร้างขึ้นจากซิลิคอนโซนพลอยที่มี SiO ที่ปลูกด้วยความร้อน 300 nm₂หน่วยไฟฟ้าในชิปขนาด 0.25 x 0.25 x 0.10 มิลลิเมตร มันถูกวางโดยการติดต่อและเชื่อมต่อด้วยสายเชื่อม และมันถูกใช้ในกรณีที่พื้นที่แผ่นหรือพื้นที่รองพื้นที่เป็นข้อจํากัดการออกแบบระดับความดัน, จีโอมติกชิป, ประเภท dielectric และสตั๊ก metallization ทั้งหมดสามารถปรับปรุง

รายละเอียดการใช้งาน

ปริมาตร	มูลค่า
ความจุ	100 pF ± 10% (± 5% สามารถใช้ได้)
ความแรงดันแบบเรียงลําดับ	50V
ไดเอเลคทริก	SiO ความร้อน₂, 300 นม
ขนาดชิป	0.25 x 0.25 x 0.10 มิลลิเมตร
ปัจจัย Q	> 2000 ที่ 1 MHz, > 200 ที่ 1 GHz
ESR ในระดับ 1 GHz	< 0.1 Ω
ESL ในตัว	< 0.05 nH
TCC	0 ± 30 ppm/°C
การรั่วไหล	< 10 nA ในอุณหภูมิ 25°C
อิเล็กตรอดด้านบน	TiW-Pt-Au, ≥ 2,5 μm Au, สามารถเชื่อมสาย
อุณหภูมิการทํางาน	-55°C ถึง +125°C
MSL	MSL 1 ต่อ J-STD-020

ความบริสุทธิ์ในระดับครึ่งตัวนําและการออกก๊าซที่ต่ําสําหรับการใช้งานที่สะอาดมาก

ไดเอเลคทริกถูกปลูกในโรงงานวอฟเฟอร์บนซิลิคอนโซนลอยแทนที่จะถูกฝากจากสารสับซ้อนเซรามิก ดังนั้นชิปที่เสร็จสิ้นจึงไม่บรรจุสารผูก, สูตรช่วยในการซินเตอร์หรือสารสารอินทรีย์ที่เหลือการสูญเสียมวลรวมต่ํากว่า 10.0% และเก็บวัสดุที่ระบายได้ลุกลุกต่ํากว่า 0.10% ภายในขีดจํากัดการกรองของ ASTM E595 ที่ใช้กับฮาร์ดแวร์ที่เผชิญกับความว่างนั่นสําคัญเมื่อฟิล์มหมึ้มจะหมอกผิวแสงหรือปนเปื้อนตัวตรวจจับตัวอย่างเช่น ห้องเครื่องมือระยะว่าง คอลัมน์ไฟฟ้าอิเล็กตรอนและไอออน ออตติกส์เมตรขนาดมวล และแพคเกจเซ็นเซอร์ที่ปิด

ความเหมาะสมกับการผูกสายไฟฟ้าที่สูงกว่าสําหรับการประกอบผลิตสูง

อิเล็กทรอัดด้านบนเป็น TiW-Pt-Au ที่มีทองคําอย่างน้อย 2.5 μm ทองเหลืองกระชากกระจาย 40-100 mW ของพลังงาน ultrasonic ท่ามกลางแผ่นแทนที่จะขับมันไปใน dielectricซึ่งเป็นสาเหตุปกติของการเกิดหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มหุ้มความแรงดึงแบบปกติสูงกว่า 6 gf สําหรับสายทอง 25 μmหน้าต่างกระบวนการครอบคลุม 18-25 μm Au เทอร์โมซอนบอลการผูกพันที่ 120-150 °C อุณหภูมิเวทีและ 25 μm Al อัลตรัสซอน wedge การผูกพันที่อุณหภูมิห้อง, และ Pt barrier ป้องกันการล้างทองคําในระหว่างการไหลกลับ eutectic

การใช้งานทั่วไป

การเชื่อมโยงและเลี่ยงโอนโมดูลส่ง/รับแบบเรียงระยะ
GaN และ GaAs เครื่องเสริมพลังงาน ป้องกัน DC และการแยกความคัดค้านการระบายน้ํา
เครือข่ายการสอดคล้องน้ําหนักทางดาวเทียมในช่วง L-band กับช่วง Ka
โมดูลด้านหน้าเรดาร์และ V2X (76-81 GHz)
อุปกรณ์สูตรสูตรสูตรสูตรสูตรสูตรสูตรสูตรสูตรสูตร
โทรรับแสงบล็อก DC (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
ระบบย่อย RF ของทางการแพทย์ เช่น อิเล็กทรอนิกส์รุม MRI

ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว Ultra-Compact 100 pF ชิป 0.25 มม. ฟุตพริ้นท์ 50V สำหรับการรวมระบบความหนาแน่นสูง

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS