HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HACC101S50V250 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | T/T، L/C، D/A، D/P |
پاسخ کوتاه: HACC101S50V250 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 100 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ نامی 50 ولت DC است که بر روی سیلیکون با روش فلوت-زون با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی به ضخامت 300 نانومتر در یک تراشه 0.25 × 0.25 × 0.10 میلی‌متر ساخته شده است. این قطعه با اتصال تراشه و سیم‌بندی نصب می‌شود و در مواردی که مساحت برد یا زیرلایه محدودیت طراحی است، استفاده می‌شود. ظرفیت، ولتاژ نامی، هندسه تراشه، نوع دی‌الکتریک و لایه‌های فلزی قابل سفارشی‌سازی هستند.2 دی‌الکتریک در یک تراشه 0.25 × 0.25 × 0.10 میلی‌متر. این قطعه با اتصال تراشه و سیم‌بندی نصب می‌شود و در مواردی که مساحت برد یا زیرلایه محدودیت طراحی است، استفاده می‌شود. ظرفیت، ولتاژ نامی، هندسه تراشه، نوع دی‌الکتریک و لایه‌های فلزی قابل سفارشی‌سازی هستند.
| پارامتر | مقدار |
| ظرفیت | 100 پیکوفاراد ±10% (±5% موجود است) |
| ولتاژ نامی DC | 50 ولت |
| دی‌الکتریک | SiO2 حرارتی2، 300 نانومتر |
| اندازه تراشه | 0.25 × 0.25 × 0.10 میلی‌متر |
| ضریب Q | >2000 در 1 مگاهرتز، >200 در 1 گیگاهرتز |
| ESR در 1 گیگاهرتز | <0.1 اهم |
| ESL ذاتی | <0.05 نانو هانری |
| TCC | 0 ±30 ppm/درجه سانتی‌گراد |
| نشتی | <10 نانو آمپر در 25 درجه سانتی‌گراد |
| الکترود بالایی | TiW-Pt-Au، ≥2.5 میکرومتر طلا، قابل سیم‌بندی |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد |
| MSL | MSL 1 طبق J-STD-020 |
دی‌الکتریک در یک کارخانه ویفر بر روی سیلیکون فلوت-زون رشد داده می‌شود به جای اینکه از دوغاب سرامیکی رسوب داده شود، بنابراین تراشه نهایی فاقد چسباننده، کمک ذوب یا باقیمانده حلال آلی است. مجموع اتلاف جرم کمتر از 1.0% و مواد قابل میعان فرار جمع‌آوری شده کمتر از 0.10% است که در محدودیت‌های غربالگری ASTM E595 اعمال شده به سخت‌افزار در معرض خلاء قرار دارد. این امر در مواردی که یک لایه میعان شده می‌تواند سطح نوری را مه‌آلود کند یا آشکارساز را آلوده کند، مانند محفظه‌های ابزار دقیق خلاء، ستون‌های پرتو الکترونی و یونی، اپتیک طیف‌سنج جرمی و بسته‌های سنسور مهر و موم شده، اهمیت دارد. مستندات ردیابی بچ ویفر با هر محموله ارائه می‌شود.
الکترود بالایی یک لایه TiW-Pt-Au اسپاتر شده با حداقل 2.5 میکرومتر طلا است. طلای انعطاف‌پذیر 40-100 میلی‌وات انرژی اولتراسونیک را در سراسر پد پخش می‌کند به جای اینکه آن را به دی‌الکتریک وارد کند، که علت معمول حفره‌زایی و سوراخ شدن در قطعات فیلم نازک است. استحکام کششی معمول برای سیم طلای 25 میکرومتری بیش از 6 گرم نیرو است. پنجره فرآیند شامل اتصال گوی ترموسونیک طلای 18-25 میکرومتری در دمای 120-150 درجه سانتی‌گراد و اتصال گوه آلومینیومی 25 میکرومتری اولتراسونیک در دمای اتاق است و سد پلاتین از نشت طلا در طول ذوب مجدد یوتکتیک جلوگیری می‌کند.
