Ultra-Kompakt 100 pF Tek Katmanlı MOS Kondansatör Çip 0.25 mm Ayak İzi 50V Yüksek Yoğunluklu Sistem Entegrasyonu İçin

HACC101S50V250 Ultra-Kompakt 100 pF 50V Tek Katmanlı MOS Kapasitör Çip

Kısa cevap: HACC101S50V250, %10 toleranslı 100 pF kapasitanslı ve 50V DC dereceli tek katmanlı bir MOS kapasitördür. 300 nm termal olarak büyütülmüş SiO₂ dielektrik ile 0.25 x 0.25 x 0.10 mm boyutlarında bir çip üzerine üretilmiştir. Çip, die attach ile yerleştirilir ve tel bağlama ile bağlanır. Kart veya alt tabaka alanının sınırlayıcı tasarım kısıtlaması olduğu yerlerde kullanılır. Kapasitans, voltaj derecesi, çip geometrisi, dielektrik tipi ve metalizasyon yığını özelleştirilebilir.

Özellikler Bir Bakışta

Ultra-Temiz Uygulamalar İçin Yarı İletken Sınıfı Saflık ve Düşük Gaz Salınımı

Dielektrik, seramik bulamaçtan ziyade float-zone silikon üzerinde bir wafer fabrikasında büyütülür, bu nedenle bitmiş çip bağlayıcı, sinterleme yardımcısı veya artık organik taşıyıcı içermez. Toplam kütle kaybı %1.0'ın altındadır ve toplanan uçucu yoğunlaşabilir malzemeler %0.10'un altındadır, bu da vakumda maruz kalan donanıma uygulanan ASTM E595 tarama sınırları içindedir. Bu, örneğin vakum enstrüman odaları, elektron ve iyon ışın kolonları, kütle spektrometresi optikleri ve sızdırmaz sensör paketleri gibi yoğunlaşmış bir filmin optik bir yüzeyi buğulandıracağı veya bir dedektörü kirleteceği yerlerde önemlidir. Wafer lotu izlenebilirlik belgeleri her sevkiyatla birlikte sağlanır.

Üstün Tel-Bağlama Uyumluluğu ile Yüksek Verimli Montaj

Üst elektrot, en az 2.5 µm altına sahip, püskürtülmüş bir TiW-Pt-Au yığınıdır. Sünek altın, enerjiyi dielektriğe sürmek yerine ped boyunca 40-100 mW ultrasonik enerji yayar, bu da ince film parçalarındaki çukurlaşma ve bağlama delinmesinin yaygın nedenidir. Tipik çekme mukavemeti, 25 µm altın tel için 6 gf'nin üzerindedir. İşlem penceresi, 120-150°C tabla sıcaklığında 18-25 µm Au termosonik top bağlama ve oda sıcaklığında 25 µm Al ultrasonik kama bağlama işlemlerini kapsar ve Pt bariyeri, ötektik yeniden akış sırasında altının sızmasını önler.

Tipik Uygulamalar

• Faz dizili alıcı-verici modül kuplajı ve baypası
• GaN ve GaAs güç amplifikatörü DC engelleme ve drenaj besleme ayrımı
• Uydu L-bandından Ka-bandına kadar yük eşleştirme ağları
• Radar ve V2X ön uç modülleri (76-81 GHz)
• Vakum enstrümantasyonu, iyon optikleri ve kütle spektrometresi ön uçları
• Optik alıcı-verici DC blokları (100G/400G QSFP-DD, OSFP)
• Tıbbi RF alt sistemleri (örneğin MRI bobin elektroniği)