HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC101S50V250 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी |
संक्षिप्त उत्तर: HACC101S50V250 एक सिंगल लेयर MOS कैपेसिटर है जिसमें 100 pF ±10% कैपेसिटेंस और 50V DC रेटिंग है, जो फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर 300 nm थर्मल रूप से विकसित SiO पर बनाया गया है2 डाइइलेक्ट्रिक 0.25 x 0.25 x 0.10 मिमी चिप में है। इसे डाई अटैच द्वारा रखा जाता है और वायर बॉन्डिंग द्वारा जोड़ा जाता है, और इसका उपयोग वहां किया जाता है जहां बोर्ड या सब्सट्रेट क्षेत्र सीमित डिज़ाइन बाधा है। कैपेसिटेंस, वोल्टेज रेटिंग, चिप ज्यामिति, डाइइलेक्ट्रिक प्रकार और मेटलाइजेशन स्टैक सभी अनुकूलन योग्य हैं।
| पैरामीटर | मान |
| कैपेसिटेंस | 100 pF ±10% (±5% उपलब्ध) |
| रेटेड डीसी वोल्टेज | 50V |
| डाइइलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, 300 nm |
| चिप का आकार | 0.25 x 0.25 x 0.10 मिमी |
| Q फैक्टर | >2000 @ 1 मेगाहर्ट्ज, >200 @ 1 गीगाहर्ट्ज |
| 1 गीगाहर्ट्ज पर ईएसआर | <0.1 Ω |
| आंतरिक ईएसएल | <0.05 एनएच |
| टीसीसी | 0 ±30 पीपीएम/°C |
| लीकेज | <10 एनए @ 25°C |
| टॉप इलेक्ट्रोड | TiW-Pt-Au, ≥2.5 µm Au, वायर बॉन्डेबल |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C से +125°C |
| एमएसएल | जे-एसटीडी-020 के अनुसार एमएसएल 1 |
डाइइलेक्ट्रिक को सिरेमिक स्लरी से जमा करने के बजाय फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन पर वेफर फैब में विकसित किया जाता है, इसलिए तैयार चिप में कोई बाइंडर, सिंटरिंग एड या अवशिष्ट कार्बनिक वाहन नहीं होता है। कुल द्रव्यमान हानि 1.0% से कम है और ASTM E595 स्क्रीनिंग सीमाओं के भीतर एकत्र किए गए वाष्पशील संघनित सामग्री 0.10% से कम है, जो वैक्यूम-एक्सपोज़्ड हार्डवेयर पर लागू होती है। यह वहां मायने रखता है जहां एक संघनित फिल्म एक ऑप्टिकल सतह को फॉग कर सकती है या डिटेक्टर को दूषित कर सकती है, उदाहरण के लिए वैक्यूम इंस्ट्रूमेंट चैंबर, इलेक्ट्रॉन और आयन बीम कॉलम, मास स्पेक्ट्रोमीटर ऑप्टिक्स और सील किए गए सेंसर पैकेज। वेफर लॉट ट्रेसिबिलिटी दस्तावेज़ीकरण प्रत्येक शिपमेंट के साथ आपूर्ति की जाती है।
टॉप इलेक्ट्रोड एक स्पटर किया हुआ TiW-Pt-Au स्टैक है जिसमें कम से कम 2.5 µm सोना होता है। डक्टाइल सोना 40-100 mW अल्ट्रासोनिक ऊर्जा को पैड पर फैलाता है बजाय इसे डाइइलेक्ट्रिक में चलाने के, जो पतली-फिल्म भागों पर क्रेटरिंग और बॉन्ड-थ्रू का सामान्य कारण है। 25 µm सोने के तार के लिए विशिष्ट पुल शक्ति 6 gf से ऊपर है। प्रक्रिया विंडो 18-25 µm Au थर्मोसोनिक बॉल बॉन्डिंग को 120-150°C स्टेज तापमान पर और 25 µm Al अल्ट्रासोनिक वेज बॉन्डिंग को कमरे के तापमान पर कवर करती है, और Pt बैरियर यूटैक्टिक रीफ्लो के दौरान सोने के लीचिंग को रोकता है।
