ゼロに近い熱漂流 1000 pF MOS コンデンサータ ウェーファー 探査 KGD 高温RFのための単層チップ

HACC102S80V750KGD - Near-Zero Thermal Drift 1000 pF MOSコンデンサ、80V、ウェーハプローブ済みKGD単層チップ

要約: HACC102S80V750KGDは、ワイヤボンディング可能な単層MOSコンデンサで、定格1000 pF ±10%、80V DC、ニアゼロサーマルドリフトのCOG/NPO誘電体です。各ダイは100%ウェーハプローブ済みで、高温RF、通信、産業用回路での高い組み立て歩留まりのためにKnown Good Die (KGD)として出荷されます。

主な性能上の利点

1. Near-Zero Thermal Drift & High Temperature Coefficients

• クラスI COG/NPO誘電体、TCC 0 ±30 ppm/℃ (-55℃～+125℃)、全範囲で静電容量変動が±0.3%未満
• ニアゼロDCバイアス係数 (<10 ppm/V)、バイアス下でのマッチングネットワークのデチューニングを防止
• ゼロエイジング、製品寿命全体で静電容量が安定
• 高温でのVCOタンク、バイアステ、高精度フィルタに適しています

2. 100% Wafer Probed & KGD (Known Good Die) Quality

• 各ダイは、ダイシング前に静電容量、リーク、ブレークダウンについてウェーハレベルで電気的にプローブされます
• ハイブリッド、MCM、チップオンボードビルドでの歩留まりを最大化するためのKnown Good Dieとして供給
• 誘電体耐圧 >200V (>定格の2.5倍)、100%生産テスト済み
• 超低リーク: <10 nA @ 25℃、<100 nA @ 125℃ (定格80V DCバイアス時)
• ワイヤボンディング可能なTaN/TiW/Ni/Auトップメタライゼーション (≥2.5 μm Au) およびユニバーサルダイアタッチ用のTiW-Pt-Auバックサイド
• 生産ロットごとのロットトレーサビリティおよびSパラメータデータを提供

代表的な仕様

アプリケーション

• 高温RFおよびマイクロ波回路
• パワーアンプバイアスネットワークデカップリング
• 高精度フィルタおよびVCOタンク回路
• 通信、産業、計測モジュール