| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC102S80V750KGD |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
HACC102S80V750KGD - Drift térmico quase zero 1000 pF MOS condensador, 80V, chip de camada única KGD Wafer probed
Em resumo:O HACC102S80V750KGD é um condensador MOS de camada única ligável a fio, com 1000 pF ± 10% a 80 V DC, com um dielétrico COG/NPO de deriva térmica próximo de zero.Todas as matrizes são 100% sondas de wafer e enviadas como Known Good Die (KGD) para alto rendimento de montagem em RF de alta temperatura, telecomunicações e circuitos industriais.
1. Quase-zero de deriva térmica e coeficientes de alta temperatura
2. Qualidade de Wafer 100% probada e KGD (Known Good Die)
| Parâmetro | Valor | Condição de ensaio |
| Capacidade nominal | 1000 pF ± 10% | 1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C |
| Tensão nominal de CC | 80 V | Continuo, de -55°C a +125°C |
| Voltagem de resistência dielétrica | > 200 V (> 2,5 × nominal) | 5 s de duração, 100% testado |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | COG/NPO, -55°C a +125°C |
| Corrente de fuga | < 10 nA @ 25°C; < 100 nA @ 125°C | 80 V CC |
| Fator Q | > 2000 @ 1 MHz | Tipico |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ohm | Desintegrado |
| ESL de chip intrínseco | < 0,05 nH | Parâmetro S desintegrado |
| Dimensões do chip | 00,75 × 0,75 × 0,20 mm | ± 25 μm |
| Temperatura de funcionamento | -55°C a +125°C | Parâmetro completo |
| Qualidade | 100% de wafer sondado, KGD | Revisão ao nível da bolacha |
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