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Capacitores MOS
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Capacitor MOS com Deriva Térmica Próxima de Zero de 1000 pF, Sonda de Wafer, KGD Monocamada, Chip para RF de Alta Temperatura

Capacitor MOS com Deriva Térmica Próxima de Zero de 1000 pF, Sonda de Wafer, KGD Monocamada, Chip para RF de Alta Temperatura

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC102S80V750KGD
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: T/T,L/C,D/A,D/P
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015
Sensibilidade de umidade:
MSL 1 (vida útil ilimitada de acordo com J-STD-020)
Cobertura de teste em nível de wafer:
100% de capacitância, vazamento e quebra sondados no wafer
Nota de qualidade:
KGD (Known Good Die), 100% wafer sondado e selecionado
Aplicativos:
RF de alta temperatura, redes de polarização de amplificador de potência, módulos industriais e de t
Destacar:

Capacitor MOS de 1000 pF

,

Capacitor MOS com Deriva Térmica Próxima de Zero

,

Capacitor MOS para RF de Alta Temperatura

Descrição do produto

HACC102S80V750KGD - Drift térmico quase zero 1000 pF MOS condensador, 80V, chip de camada única KGD Wafer probed

Em resumo:O HACC102S80V750KGD é um condensador MOS de camada única ligável a fio, com 1000 pF ± 10% a 80 V DC, com um dielétrico COG/NPO de deriva térmica próximo de zero.Todas as matrizes são 100% sondas de wafer e enviadas como Known Good Die (KGD) para alto rendimento de montagem em RF de alta temperatura, telecomunicações e circuitos industriais.


Principais vantagens de desempenho

1. Quase-zero de deriva térmica e coeficientes de alta temperatura

  • Dieléctrico COG/NPO de classe I com TCC de 0 ± 30 ppm/°C entre -55°C e + 125°C, dando variação de capacitância inferior a ± 0,3% em toda a gama
  • Coeficiente de desvio de corrente contínua próximo de zero (< 10 ppm/V), evitando a desafinação de redes correspondentes sob desvio
  • Zero envelhecimento, para que a capacitância permaneça estável durante toda a vida do produto
  • Adequado para tanques de COV, filtros de pressão e filtros de precisão que operam a temperaturas elevadas

2. Qualidade de Wafer 100% probada e KGD (Known Good Die)

  • Cada dado é eletricamente sondado ao nível da bolacha para capacitância, vazamento e quebra antes de dicas
  • Fornecido como matriz Known Good para rendimento máximo em híbridos, MCM e construções de chip-on-board
  • Tensão de resistência dielétrica > 200 V (> 2,5 × nominal), 100% de produção testada
  • Fusão ultra-baixa: < 10 nA @ 25°C e < 100 nA @ 125°C a 80 V de distorção de corrente contínua
  • Metalização superior de TaN/TiW/Ni/Au ligável a fio (≥ 2,5 μm Au) e parte posterior de TiW-Pt-Au para fixação universal por estampação
  • Traçabilidade do lote e dados do parâmetro S fornecidos por lote de produção


Especificações típicas

Parâmetro Valor Condição de ensaio
Capacidade nominal 1000 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C
Tensão nominal de CC 80 V Continuo, de -55°C a +125°C
Voltagem de resistência dielétrica > 200 V (> 2,5 × nominal) 5 s de duração, 100% testado
TCC 0 ± 30 ppm/°C COG/NPO, -55°C a +125°C
Corrente de fuga < 10 nA @ 25°C; < 100 nA @ 125°C 80 V CC
Fator Q > 2000 @ 1 MHz Tipico
ESR @ 1 GHz < 0,1 Ohm Desintegrado
ESL de chip intrínseco < 0,05 nH Parâmetro S desintegrado
Dimensões do chip 00,75 × 0,75 × 0,20 mm ± 25 μm
Temperatura de funcionamento -55°C a +125°C Parâmetro completo
Qualidade 100% de wafer sondado, KGD Revisão ao nível da bolacha


Aplicações

  • Circuitos de RF e microondas de alta temperatura
  • Desacoplagem da rede de distorção do amplificador de potência
  • Filtros de precisão e circuitos de tanques VCO
  • Módulos de telecomunicações, industriais e de instrumentação


Capacitor MOS com Deriva Térmica Próxima de Zero de 1000 pF, Sonda de Wafer, KGD Monocamada, Chip para RF de Alta Temperatura