ใกล้ศูนย์ความเคลื่อนไหวทางอุณหภูมิ 1000 pF MOS Capacitor Wafer Probed KGD ชิปชั้นเดียวสําหรับ RF อุณหภูมิสูง

HACC102S80V750KGD - ตัวเก็บประจุ MOS ที่มีการดริฟท์ความร้อนใกล้ศูนย์ 1000 pF, 80V, Wafer Probed KGD Single Layer Chip

โดยสรุป: HACC102S80V750KGD เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวที่สามารถต่อสายได้ มีค่า 1000 pF ±10% ที่ 80V DC พร้อมไดอิเล็กทริก COG/NPO ที่มีการดริฟท์ความร้อนใกล้ศูนย์ ทุกชิปได้รับการทดสอบที่ระดับเวเฟอร์ 100% และจัดส่งเป็น Known Good Die (KGD) เพื่อให้ได้ผลผลิตในการประกอบสูงในวงจร RF, โทรคมนาคม และอุตสาหกรรมที่มีอุณหภูมิสูง

ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพหลัก

1. การดริฟท์ความร้อนใกล้ศูนย์ & สัมประสิทธิ์อุณหภูมิสูง

• ไดอิเล็กทริก Class I COG/NPO ที่มี TCC 0 ±30 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +125°C ทำให้ค่าความจุเปลี่ยนแปลงน้อยกว่า ±0.3% ในช่วงเต็ม
• สัมประสิทธิ์ไบแอส DC ใกล้ศูนย์ (<10 ppm/V) ป้องกันการปรับจูนเครือข่ายการจับคู่ภายใต้ไบแอส
• ไม่มีการเสื่อมสภาพ (Zero aging) ดังนั้นค่าความจุจะคงที่ตลอดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์
• เหมาะสำหรับวงจร VCO, ไบแอสที และฟิลเตอร์ความแม่นยำที่ทำงานที่อุณหภูมิสูง

2. การทดสอบที่ระดับเวเฟอร์ 100% & คุณภาพ KGD (Known Good Die)

• ทุกชิปได้รับการทดสอบทางไฟฟ้าที่ระดับเวเฟอร์สำหรับค่าความจุ, การรั่วไหล และการทนแรงดันก่อนการตัด
• จัดส่งเป็น Known Good Die เพื่อให้ได้ผลผลิตสูงสุดในการประกอบแบบไฮบริด, MCM และชิปบนบอร์ด
• แรงดันไฟฟ้าทนไดอิเล็กทริก >200V (>2.5× พิกัด) ทดสอบการผลิต 100%
• การรั่วไหลต่ำมาก: <10 nA @ 25°C และ <100 nA @ 125°C ที่ไบแอส DC เต็ม 80V
• การเคลือบโลหะด้านบนแบบต่อสายได้ TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 µm Au) และด้านหลัง TiW-Pt-Au สำหรับการยึดชิปแบบสากล
• มีการติดตามรุ่นและข้อมูล S-parameter ต่อรุ่นการผลิต

ข้อมูลจำเพาะทั่วไป

การใช้งาน

• วงจร RF และไมโครเวฟอุณหภูมิสูง
• การแยกวงจรไบแอสของแอมพลิฟายเออร์กำลัง
• ฟิลเตอร์ความแม่นยำและวงจร VCO tank
• โมดูลโทรคมนาคม, อุตสาหกรรม และเครื่องมือวัด