خازن MOS با انحراف حرارتی نزدیک به صفر 1000 پیکوفاراد، کاوش شده روی ویفر، KGD، تک لایه، تراشه برای RF دمای بالا

HACC102S80V750KGD - خازن MOS با رانش حرارتی نزدیک به صفر 1000 پیکوفاراد، 80 ولت، KGD کاوش شده روی ویفر تک لایه

به طور خلاصه: HACC102S80V750KGD یک خازن MOS تک لایه قابل سیم‌بندی است که با ظرفیت 1000 پیکوفاراد ±10% در ولتاژ 80 ولت DC و دی‌الکتریک COG/NPO با رانش حرارتی نزدیک به صفر رتبه‌بندی شده است. هر تراشه 100% روی ویفر کاوش شده و به عنوان Known Good Die (KGD) برای بازده مونتاژ بالا در مدارهای RF، مخابراتی و صنعتی با دمای بالا عرضه می‌شود.

مزایای کلیدی عملکرد

1. رانش حرارتی نزدیک به صفر و ضرایب دمایی بالا

• دی‌الکتریک کلاس I COG/NPO با TCC 0 ±30 ppm/°C در محدوده دمایی 55- تا 125+ درجه سانتی‌گراد، که تغییر ظرفیت را کمتر از ±0.3% در کل محدوده ارائه می‌دهد
• ضریب بایاس DC نزدیک به صفر (<10 ppm/V)، که از عدم تنظیم شبکه‌های تطبیق تحت بایاس جلوگیری می‌کند
• عدم پیری، بنابراین ظرفیت در طول عمر محصول پایدار می‌ماند
• مناسب برای مخازن VCO، بایاس تی و فیلترهای دقیق که در دماهای بالا کار می‌کنند

2. کیفیت 100% کاوش شده روی ویفر و KGD (Known Good Die)

• هر تراشه در سطح ویفر برای ظرفیت، نشتی و شکست الکتریکی قبل از برش، کاوش الکتریکی می‌شود
• به عنوان Known Good Die برای حداکثر بازده در ساخت‌های هیبریدی، MCM و چیپ روی برد عرضه می‌شود
• ولتاژ تحمل دی‌الکتریک >200 ولت (>2.5 برابر ولتاژ نامی)، 100% تست تولید
• نشتی فوق‌العاده کم: <10 نانوآمپر در 25 درجه سانتی‌گراد و <100 نانوآمپر در 125 درجه سانتی‌گراد در بایاس کامل 80 ولت DC
• متالیزاسیون بالایی قابل سیم‌بندی TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 میکرومتر Au) و پشت TiW-Pt-Au برای اتصال جهانی تراشه
• قابلیت ردیابی لات و داده‌های S-parameter برای هر لات تولید ارائه می‌شود

مشخصات معمول

کاربردها

• مدارهای RF و مایکروویو با دمای بالا
• جداسازی شبکه بایاس تقویت کننده توان
• فیلترهای دقیق و مدارهای مخزن VCO
• ماژول‌های مخابراتی، صنعتی و ابزار دقیق