Kondensator MOS 1000 pF z dryftem termicznym bliskim zeru, badany na płytce, KGD, jednowarstwowy chip do zastosowań RF w wysokich temperaturach

HACC102S80V750KGD - Kondensator MOS o niemal zerowym dryfie termicznym 1000 pF, 80V, KGD z sondowaniem na płytce, jednowarstwowy chip

W skrócie: HACC102S80V750KGD to jednowarstwowy kondensator MOS z możliwością połączenia drutowego, o pojemności znamionowej 1000 pF ±10% przy 80V DC z dielektrykiem COG/NPO o niemal zerowym dryfie termicznym. Każdy chip jest w 100% sprawdzany na płytce i dostarczany jako znany dobry chip (KGD) dla wysokiej wydajności montażu w wysokotemperaturowych obwodach RF, telekomunikacyjnych i przemysłowych.

Kluczowe zalety wydajnościowe

1. Niemal zerowy dryf termiczny i wysokie współczynniki temperaturowe

• Dielektryk klasy I COG/NPO ze współczynnikiem TCC 0 ±30 ppm/°C w zakresie od -55°C do +125°C, zapewniający zmienność pojemności poniżej ±0.3% w całym zakresie
• Niemal zerowy współczynnik dryfu DC (<10 ppm/V), zapobiegający rozstrojeniu sieci dopasowujących pod obciążeniem
• Zerowe starzenie, dzięki czemu pojemność pozostaje stabilna przez cały okres użytkowania produktu
• Nadaje się do obwodów VCO, teesów bias i precyzyjnych filtrów pracujących w podwyższonych temperaturach

2. Jakość 100% sondowania na płytce i KGD (Known Good Die)

• Każdy chip jest elektrycznie sprawdzany na poziomie płytki pod kątem pojemności, upływu i przebicia przed docięciem
• Dostarczany jako znany dobry chip (KGD) dla maksymalnej wydajności w konstrukcjach hybrydowych, MCM i chip-on-board
• Napięcie przebicia dielektryka >200V (>2.5× znamionowe), testowane w 100% produkcji
• Bardzo niski prąd upływu: <10 nA @ 25°C i <100 nA @ 125°C przy pełnym obciążeniu 80V DC
• Metalizacja górna TaN/TiW/Ni/Au ( ≥2.5 µm Au) i spód TiW-Pt-Au do uniwersalnego mocowania chipów, z możliwością połączenia drutowego
• Identyfikowalność partii i dane S-parametrów dostarczane dla każdej partii produkcyjnej

Typowe specyfikacje

Zastosowania

• Wysokotemperaturowe obwody RF i mikrofalowe
• Odwzajemnianie zasilania wzmacniaczy mocy
• Precyzyjne filtry i obwody rezonansowe VCO
• Moduły telekomunikacyjne, przemysłowe i pomiarowe