उच्च तापमान आरएफ के लिए निकट-शून्य थर्मल बहाव 1000 पीएफ एमओएस कैपेसिटर वेफर प्रोबेड केजीडी एकल परत चिप

HACC102S80V750KGD - शून्य-निकट तापीय बहाव 1000 pF MOS कैपेसिटर, 80V, वेफर प्रोब्ड KGD सिंगल लेयर चिप

संक्षेप में: HACC102S80V750KGD एक वायर-बॉन्डेबल सिंगल लेयर MOS कैपेसिटर है जो 1000 pF ±10% 80V DC पर रेटेड है जिसमें शून्य-निकट तापीय बहाव COG/NPO डाइइलेक्ट्रिक है। प्रत्येक डाई 100% वेफर प्रोब्ड है और उच्च तापमान RF, दूरसंचार और औद्योगिक सर्किट में उच्च असेंबली यील्ड के लिए ज्ञात गुड डाई (KGD) के रूप में शिप की जाती है।

मुख्य प्रदर्शन लाभ

1. शून्य-निकट तापीय बहाव और उच्च तापमान गुणांक

• क्लास I COG/NPO डाइइलेक्ट्रिक TCC के साथ 0 ±30 ppm/°C -55°C से +125°C तक, पूर्ण रेंज पर ±0.3% से कम कैपेसिटेंस भिन्नता देता है
• शून्य-निकट DC बायस गुणांक (<10 ppm/V), बायस के तहत मिलान नेटवर्क के डीट्यूनिंग को रोकता है
• शून्य एजिंग, इसलिए कैपेसिटेंस उत्पाद के पूरे जीवनकाल में स्थिर रहता है
• ऊंचे तापमान पर काम करने वाले VCO टैंक, बायस टीज़ और प्रिसिजन फिल्टर के लिए उपयुक्त

2. 100% वेफर प्रोब्ड और KGD (ज्ञात गुड डाई) गुणवत्ता

• प्रत्येक डाई को डाइसिंग से पहले कैपेसिटेंस, लीकेज और ब्रेकडाउन के लिए इलेक्ट्रिकल रूप से वेफर स्तर पर प्रोब किया जाता है
• हाइब्रिड, MCM और चिप-ऑन-बोर्ड बिल्ड में अधिकतम यील्ड के लिए ज्ञात गुड डाई के रूप में आपूर्ति की जाती है
• डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज >200V (>2.5× रेटेड), 100% उत्पादन परीक्षण
• अल्ट्रा-लो लीकेज: <10 nA @ 25°C और <100 nA @ 125°C पूर्ण 80V DC बायस पर
• वायर-बॉन्डेबल TaN/TiW/Ni/Au टॉप मेटलाइजेशन (≥2.5 µm Au) और यूनिवर्सल डाई अटैच के लिए TiW-Pt-Au बैकसाइड
• लॉट ट्रेसिबिलिटी और एस-पैरामीटर डेटा प्रति उत्पादन लॉट प्रदान किया जाता है

विशिष्ट विनिर्देश

अनुप्रयोग

• उच्च तापमान RF और माइक्रोवेव सर्किट
• पावर एम्पलीफायर बायस नेटवर्क डीकपलिंग
• प्रिसिजन फिल्टर और VCO टैंक सर्किट
• दूरसंचार, औद्योगिक और इंस्ट्रूमेंटेशन मॉड्यूल