নিকট-শূন্য তাপীয় ড্রিফট ১০০০ pF MOS ক্যাপাসিটর ওয়েফার প্রোবড KGD একক স্তর চিপ উচ্চ তাপমাত্রার RF এর জন্য

HACC102S80V750KGD - প্রায়-শূন্য তাপীয় ড্রিফ্ট ১০০০ pF MOS ক্যাপাসিটর, ৮০V, ওয়েফার প্রোবড KGD সিঙ্গেল লেয়ার চিপ

সংক্ষেপে: HACC102S80V750KGD হল একটি ওয়্যার-বন্ডেবল সিঙ্গেল লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যা ১০০০ pF ±১০% ৮০V DC রেটযুক্ত এবং প্রায়-শূন্য তাপীয় ড্রিফ্ট COG/NPO ডাইইলেকট্রিক সহ। প্রতিটি ডাই ১০০% ওয়েফার প্রোবড এবং Known Good Die (KGD) হিসাবে পাঠানো হয় উচ্চ তাপমাত্রা RF, টেলিকম এবং শিল্প সার্কিটে উচ্চ অ্যাসেম্বলি ইল্ডের জন্য।

মূল পারফরম্যান্স সুবিধা

১. প্রায়-শূন্য তাপীয় ড্রিফ্ট এবং উচ্চ তাপমাত্রা সহগ

• ক্লাস I COG/NPO ডাইইলেকট্রিক TCC সহ ০ ±৩০ ppm/°C -৫৫°C থেকে +১২৫°C পর্যন্ত, সম্পূর্ণ পরিসরে ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তন ±০.৩% এর নিচে
• প্রায়-শূন্য DC বায়াস সহগ (<১০ ppm/V), বায়াসের অধীনে ম্যাচিং নেটওয়ার্কের ডি-টিউনিং প্রতিরোধ করে
• শূন্য এজিং, তাই ক্যাপাসিট্যান্স পণ্যের পুরো জীবনকাল জুড়ে স্থিতিশীল থাকে
• উচ্চ তাপমাত্রায় চালিত VCO ট্যাঙ্ক, বায়াস টি এবং প্রিসিশন ফিল্টারগুলির জন্য উপযুক্ত

২. ১০০% ওয়েফার প্রোবড এবং KGD (Known Good Die) গুণমান

• প্রতিটি ডাই ডাইসিংয়ের আগে ক্যাপাসিট্যান্স, লিকেজ এবং ব্রেকডাউনের জন্য বৈদ্যুতিকভাবে ওয়েফার স্তরে প্রোব করা হয়
• হাইব্রিড, MCM এবং চিপ-অন-বোর্ড বিল্ডগুলিতে সর্বোচ্চ ইল্ডের জন্য Known Good Die হিসাবে সরবরাহ করা হয়
• ডাইইলেকট্রিক উইথস্ট্যান্ডিং ভোল্টেজ >২০০V (>২.৫× রেটযুক্ত), ১০০% উৎপাদন পরীক্ষিত
• আল্ট্রা-লো লিকেজ: <১০ nA @ ২৫°C এবং <১০০ nA @ ১২৫°C সম্পূর্ণ ৮০V DC বায়াসে
• ওয়্যার-বন্ডেবল TaN/TiW/Ni/Au টপ মেটালাইজেশন (≥২.৫ µm Au) এবং TiW-Pt-Au ব্যাকসাইড সার্বজনীন ডাই অ্যাটাচের জন্য
• লট ট্রেসেবিলিটি এবং S-প্যারামিটার ডেটা প্রতি উৎপাদন লটে সরবরাহ করা হয়

সাধারণ স্পেসিফিকেশন

অ্যাপ্লিকেশন

• উচ্চ তাপমাত্রা RF এবং মাইক্রোওয়েভ সার্কিট
• পাওয়ার এমপ্লিফায়ার বায়াস নেটওয়ার্ক ডিকাপলিং
• প্রিসিশন ফিল্টার এবং VCO ট্যাঙ্ক সার্কিট
• টেলিকম, শিল্প এবং ইন্সট্রুমেন্টেশন মডিউল