Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Capacitor MOS KGD de 1000 pF con deriva térmica cercana a cero, sondado en oblea, capa única para RF de alta temperatura

Capacitor MOS KGD de 1000 pF con deriva térmica cercana a cero, sondado en oblea, capa única para RF de alta temperatura

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC102S80V750KGD
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/A, D/P
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015
Sensibilidad de humedad:
MSL 1 (vida útil ilimitada del piso según J-STD-020)
Cobertura de prueba a nivel de oblea:
100 % de capacitancia, fugas y averías sondeadas en la oblea
Grado de calidad:
KGD (Known Good Die), 100% oblea probada y apantallada
Aplicaciones:
RF de alta temperatura, redes polarizadas de amplificadores de potencia, módulos industriales y de t
Resaltar:

Condensador MOS de 1000 pF

,

Condensador MOS de deriva térmica cercana a cero

,

Condensador MOS de RF de alta temperatura

Descripción de producto

HACC102S80V750KGD - Capacitor MOS de Deriva Térmica Casi Cero de 1000 pF, 80V, KGD Sonda en Oblea Capa Única

En resumen: El HACC102S80V750KGD es un capacitor MOS de capa única soldable por hilo con una capacidad nominal de 1000 pF ±10% a 80V CC con un dieléctrico COG/NPO de deriva térmica casi cero. Cada chip se sondea al 100% en oblea y se envía como Known Good Die (KGD) para un alto rendimiento de ensamblaje en circuitos de RF, telecomunicaciones e industriales de alta temperatura.


Ventajas Clave de Rendimiento

1. Deriva Térmica Casi Cero y Altos Coeficientes de Temperatura

  • Dieléctrico Clase I COG/NPO con TCC de 0 ±30 ppm/°C en el rango de -55°C a +125°C, lo que proporciona una variación de capacitancia inferior a ±0.3% en todo el rango
  • Coeficiente de polarización CC casi cero (<10 ppm/V), lo que evita la desafinación de las redes de adaptación bajo polarización
  • Cero envejecimiento, por lo que la capacitancia se mantiene estable durante toda la vida útil del producto
  • Adecuado para tanques VCO, tees de polarización y filtros de precisión que operan a temperaturas elevadas

2. Calidad 100% Sonda en Oblea y KGD (Known Good Die)

  • Cada chip se sondea eléctricamente a nivel de oblea para capacitancia, fuga y ruptura antes del corte
  • Suministrado como Known Good Die para un rendimiento máximo en ensamblajes híbridos, MCM y chip-on-board
  • Voltaje de aislamiento dieléctrico >200V (>2.5× nominal), probado al 100% en producción
  • Fuga ultrabaja: <10 nA @ 25°C y <100 nA @ 125°C con polarización CC completa de 80V
  • Metalización superior soldable por hilo TaN/TiW/Ni/Au (≥2.5 µm Au) y parte posterior TiW-Pt-Au para unión universal de chips
  • Trazabilidad de lotes y datos de parámetros S proporcionados por lote de producción


Especificaciones Típicas

Parámetro Valor Condición de Prueba
Capacitancia nominal 1000 pF ±10% 1 MHz, 1.0 Vrms, 25°C
Voltaje CC nominal 80V Continuo, -55°C a +125°C
Voltaje de aislamiento dieléctrico >200V (>2.5× nominal) 5 s de permanencia, probado al 100%
TCC 0 ±30 ppm/°C COG/NPO, -55°C a +125°C
Corriente de fuga <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C 80V CC
Factor Q >2000 @ 1 MHz Típico
ESR @ 1 GHz <0.1 Ohm Desvinculado
ESL intrínseca del chip <0.05 nH Desvinculado de parámetros S
Dimensiones del chip 0.75 × 0.75 × 0.20 mm ±25 µm
Temperatura de operación -55°C a +125°C Paramétrico completo
Calidad 100% sonda en oblea, KGD Cribado a nivel de oblea


Aplicaciones

  • Circuitos de RF y microondas de alta temperatura
  • Desacoplamiento de red de polarización de amplificadores de potencia
  • Filtros de precisión y circuitos de tanque VCO
  • Módulos de telecomunicaciones, industriales e instrumentación


Capacitor MOS KGD de 1000 pF con deriva térmica cercana a cero, sondado en oblea, capa única para RF de alta temperatura