| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC102S80V750KGD |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | T/T, L/C, D/A, D/P |
HACC102S80V750KGD - Capacitor MOS de Deriva Térmica Casi Cero de 1000 pF, 80V, KGD Sonda en Oblea Capa Única
En resumen: El HACC102S80V750KGD es un capacitor MOS de capa única soldable por hilo con una capacidad nominal de 1000 pF ±10% a 80V CC con un dieléctrico COG/NPO de deriva térmica casi cero. Cada chip se sondea al 100% en oblea y se envía como Known Good Die (KGD) para un alto rendimiento de ensamblaje en circuitos de RF, telecomunicaciones e industriales de alta temperatura.
1. Deriva Térmica Casi Cero y Altos Coeficientes de Temperatura
2. Calidad 100% Sonda en Oblea y KGD (Known Good Die)
| Parámetro | Valor | Condición de Prueba |
| Capacitancia nominal | 1000 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms, 25°C |
| Voltaje CC nominal | 80V | Continuo, -55°C a +125°C |
| Voltaje de aislamiento dieléctrico | >200V (>2.5× nominal) | 5 s de permanencia, probado al 100% |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | COG/NPO, -55°C a +125°C |
| Corriente de fuga | <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C | 80V CC |
| Factor Q | >2000 @ 1 MHz | Típico |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ohm | Desvinculado |
| ESL intrínseca del chip | <0.05 nH | Desvinculado de parámetros S |
| Dimensiones del chip | 0.75 × 0.75 × 0.20 mm | ±25 µm |
| Temperatura de operación | -55°C a +125°C | Paramétrico completo |
| Calidad | 100% sonda en oblea, KGD | Cribado a nivel de oblea |
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