| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC102S80V750KGD |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | T/T, L/C, D/A, D/P |
HACC102S80V750KGD - Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle 1000 pF, 80V, KGD sondé sur tranche monocouche
En bref : Le HACC102S80V750KGD est un condensateur MOS monocouche soudable par fil, d'une capacité nominale de 1000 pF ±10% à 80V DC, avec un diélectrique COG/NPO à dérive thermique quasi nulle. Chaque puce est sondée à 100% sur tranche et expédiée en tant que Known Good Die (KGD) pour un rendement d'assemblage élevé dans les circuits RF, télécom et industriels haute température.
1. Dérive thermique quasi nulle et coefficients de température élevés
Chaque puce est sondée électriquement au niveau de la tranche pour la capacité, la fuite et la claquage avant la découpe
| Condition de test | Capacité nominale | 1000 pF ±10% |
| 1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C | Tension DC nominale | 80V |
| Continue, -55°C à +125°C | Tension de tenue du diélectrique | >200V (>2,5× nominale) |
| 5 s de maintien, testé à 100% | TCC | 0 ±30 ppm/°C |
| COG/NPO, -55°C à +125°C | Courant de fuite | <10 nA @ 25°C ; <100 nA @ 125°C |
| 80V DC | Facteur Q | >2000 @ 1 MHz |
| Typique | ESR @ 1 GHz | <0,1 Ohm |
| Dé-embedded | ESL intrinsèque de la puce | <0,05 nH |
| Dé-embedded S-paramètres | Dimensions de la puce | 0,75 × 0,75 × 0,20 mm |
| ±25 µm | Température de fonctionnement | -55°C à +125°C |
| Paramétrique complet | Qualité | 100% sondé sur tranche, KGD |
| Filtrage au niveau de la tranche | Applications | Circuits RF et micro-ondes haute température |
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