Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle de 1000 pF, sondé sur tranche, KGD, monocouche, puce pour RF haute température

Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle de 1000 pF, sondé sur tranche, KGD, monocouche, puce pour RF haute température

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC102S80V750KGD
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: T/T, L/C, D/A, D/P
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015
Sensibilité d'humidité:
MSL 1 (durée de vie illimitée selon J-STD-020)
Couverture des tests au niveau de la tranche:
Capacité à 100 %, fuites et pannes détectées sur la plaquette
Qualité de qualité:
KGD (Known Good Die), plaquette 100 % sondée et criblée
Applications:
RF haute température, réseaux de polarisation d'amplificateur de puissance, modules de télécommu
Mettre en évidence:

Condensateur MOS 1 000 pF

,

Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle

,

Condensateur MOS RF haute température

Description de produit

HACC102S80V750KGD - Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle 1000 pF, 80V, KGD sondé sur tranche monocouche

En bref : Le HACC102S80V750KGD est un condensateur MOS monocouche soudable par fil, d'une capacité nominale de 1000 pF ±10% à 80V DC, avec un diélectrique COG/NPO à dérive thermique quasi nulle. Chaque puce est sondée à 100% sur tranche et expédiée en tant que Known Good Die (KGD) pour un rendement d'assemblage élevé dans les circuits RF, télécom et industriels haute température.


Avantages clés en termes de performances

1. Dérive thermique quasi nulle et coefficients de température élevés

  • Diélectrique de classe I COG/NPO avec un TCC de 0 ±30 ppm/°C sur la plage de -55°C à +125°C, offrant une variation de capacité inférieure à ±0,3% sur toute la plage
  • Coefficient de polarisation DC quasi nul (<10 ppm/V), empêchant le désaccord des réseaux d'adaptation sous polarisationAucun vieillissement, la capacité reste donc stable pendant toute la durée de vie du produit
  • Adapté aux circuits oscillants (VCO), aux circuits d'alimentation et aux filtres de précision fonctionnant à des températures élevées
  • 2. Qualité 100% sondée sur tranche et KGD (Known Good Die)

Chaque puce est sondée électriquement au niveau de la tranche pour la capacité, la fuite et la claquage avant la découpe

  • Fourni en tant que Known Good Die pour un rendement maximal dans les assemblages hybrides, MCM et chip-on-board
  • Tension de tenue du diélectrique >200V (>2,5× nominale), testé en production à 100%
  • Courant de fuite ultra-faible : <10 nA @ 25°C et <100 nA @ 125°C sous une polarisation DC complète de 80V
  • Métallisation supérieure soudable par fil TaN/TiW/Ni/Au (≥2,5 µm Au) et face arrière TiW-Pt-Au pour une fixation universelle de la puceTraçabilité des lots et données S-paramètres fournies par lot de production
  • Spécifications typiques
  • Paramètre


Valeur

Condition de test Capacité nominale 1000 pF ±10%
1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C Tension DC nominale 80V
Continue, -55°C à +125°C Tension de tenue du diélectrique >200V (>2,5× nominale)
5 s de maintien, testé à 100% TCC 0 ±30 ppm/°C
COG/NPO, -55°C à +125°C Courant de fuite <10 nA @ 25°C ; <100 nA @ 125°C
80V DC Facteur Q >2000 @ 1 MHz
Typique ESR @ 1 GHz <0,1 Ohm
Dé-embedded ESL intrinsèque de la puce <0,05 nH
Dé-embedded S-paramètres Dimensions de la puce 0,75 × 0,75 × 0,20 mm
±25 µm Température de fonctionnement -55°C à +125°C
Paramétrique complet Qualité 100% sondé sur tranche, KGD
Filtrage au niveau de la tranche Applications Circuits RF et micro-ondes haute température


Découplage de réseau de polarisation d'amplificateur de puissance

  • Filtres de précision et circuits oscillants (VCO)
  • Modules télécom, industriels et d'instrumentation


Condensateur MOS à dérive thermique quasi nulle de 1000 pF, sondé sur tranche, KGD, monocouche, puce pour RF haute température