details van de producten

Huis Producten

Bijna-nul thermische drift 1000 pF MOS condensator wafer gesonde KGD eenlaag chip voor hoge temperatuur RF

Name: Bijna-nul thermische drift 1000 pF MOS condensator wafer gesonde KGD eenlaag chip voor hoge temperatuur RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S80V750KGD
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HACC102S80V750KGD
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	T/T,L/C,D/A,D/P

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015

Vochtigheidsgevoeligheid:

MSL 1 (onbeperkte levensduur van de vloer volgens J-STD-020)

Testdekking op waferniveau:

100% capaciteit, lekkage en doorslag gemeten op wafer

Kwaliteitsgraad:

KGD (Known Good Die), 100% wafer onderzocht en gescreend

Toepassingen:

Hoge temperatuur RF, bias-netwerken voor eindversterkers, telecom- en industriële modules

Markeren:

MOS-condensator van 1000 pF

MOS-capacitor met bijna-nul thermische drift

Hoogtemperatuur RF MOS condensator

Productomschrijving

HACC102S80V750KGD - Nabij-nul thermische drift 1000 pF MOS-capacitor, 80V, Wafer-geprobeerde KGD-single-layer chip

Kortom:De HACC102S80V750KGD is een draadbindende enkellagige MOS-capacitor met een nominale 1000 pF ± 10% bij 80 V gelijkstroom met een COG/NPO-dielectricum met bijna nul thermische drift.Elke matrix is 100% wafer getest en verzonden als Known Good Die (KGD) voor een hoog assemblage rendement bij hoge temperatuur RF, telecommunicatie en industriële schakelingen.

Belangrijkste prestatievoordelen

1Bijna nul thermische drift en hoge temperatuurcoëfficiënten

Klasse I COG/NPO-dielectric met een TCC van 0 ± 30 ppm/°C over een bereik van -55 °C tot + 125 °C, waardoor de capaciteitsverschillen in het volledige bereik minder dan ± 0,3% bedragen
Bijna nul gelijkstroom biascoëfficiënt (< 10 ppm/V), waardoor het ontstemmen van overeenkomstige netwerken onder bias wordt voorkomen
Nul veroudering, zodat de capaciteit stabiel blijft gedurende de hele levensduur van het product
Geschikt voor VCO-tanks, bias tees en precisiefilters die bij verhoogde temperaturen werken

2. 100% wafer getest & KGD (bekend goede die) kwaliteit

Elke die wordt elektrisch geprobeerd op waferniveau voor capaciteit, lekken en afbraak voordat de dicing
Leverbaar als Known Good Die voor maximale opbrengst in hybride, MCM en chip-on-board constructies
Dielectrische bestandspanning > 200 V (> 2,5 × nominale spanning), 100% productie getest
Ultralage lekkage: < 10 nA @ 25°C en < 100 nA @ 125°C bij volledige 80V gelijkstroomverschillen
Metalen van TaN/TiW/Ni/Au (≥ 2,5 μm Au) en TiW-Pt-Au achterkant voor universele matrijzen
Per productiepartij verstrekte gegevens over de traceerbaarheid van de partij en de S-parameter

Typische specificaties

Parameter	Waarde	Testconditie
Nominale capaciteit	1000 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C
Nominale gelijkstroomspanning	80 V	Continu, -55°C tot +125°C
Dielectrische bestandspanning	> 200 V (> 2,5 × nominale)	5 s verblijf, 100% getest
TCC	0 ± 30 ppm/°C	COG/NPO, -55°C tot +125°C
Leekstroom	< 10 nA @ 25°C; < 100 nA @ 125°C	80 V gelijkstroom
Q factor	> 2000 @ 1 MHz	Typisch
ESR @ 1 GHz	< 0,1 Ohm	De-ingebed
Intrinsieke chip ESL	< 0,05 nH	S-parameter uitgeschakeld
Afmetingen van de chip	00,75 × 0,75 × 0,20 mm	± 25 μm
Werktemperatuur	-55°C tot +125°C	Volledige parametrische
Kwaliteit	100% wafersonde, KGD	Screening op waferniveau

Toepassingen

Hoogtemperatuur RF- en microgolfcircuits
Versterker van de vermogenstoename
Filters en VCO-tankcircuits
Telecommunicatie, industriële en instrumentatie-modules

Bijna-nul thermische drift 1000 pF MOS condensator wafer gesonde KGD eenlaag chip voor hoge temperatuur RF

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren