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Condensatori MOS
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Capacitore MOS con deriva termica quasi nulla da 1000 pF, testato su wafer, KGD, monostrato, per RF ad alta temperatura

Capacitore MOS con deriva termica quasi nulla da 1000 pF, testato su wafer, KGD, monostrato, per RF ad alta temperatura

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC102S80V750KGD
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: T/T,L/C,D/A,D/P
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015
Sensibilità di umidità:
MSL 1 (durata del pavimento illimitata secondo J-STD-020)
Copertura del test a livello di wafer:
Capacità, perdite e guasti al 100% rilevati sul wafer
Grado di qualità:
KGD (Known Good Die), wafer sondato e schermato al 100%.
Applicazioni:
RF ad alta temperatura, reti di polarizzazione di amplificatori di potenza, moduli industriali e per
Evidenziare:

Condensatore MOS da 1000 pF

,

Capacitore MOS con deriva termica quasi nulla

,

Capacitore MOS per RF ad alta temperatura

Descrizione di prodotto

HACC102S80V750KGD - Condensatore MOS a deriva termica quasi zero da 1000 pF, 80V, KGD su wafer, chip a singolo strato

In breve: L'HACC102S80V750KGD è un condensatore MOS a singolo strato saldabile a filo da 1000 pF ±10% a 80V DC con dielettrico COG/NPO a deriva termica quasi zero. Ogni die è testato al 100% su wafer e spedito come Known Good Die (KGD) per un'elevata resa di assemblaggio in circuiti RF, telecomunicazioni e industriali ad alta temperatura.


Vantaggi chiave delle prestazioni

1. Deriva termica quasi zero e coefficienti di alta temperatura

  • Dielettrico di Classe I COG/NPO con TCC di 0 ±30 ppm/°C tra -55°C e +125°C, con una variazione di capacità inferiore a ±0,3% sull'intero intervallo
  • Coefficiente di polarizzazione DC quasi zero (<10 ppm/V), che impedisce la disintonizzazione delle reti di adattamento sotto polarizzazione
  • Nessun invecchiamento, quindi la capacità rimane stabile per tutta la durata del prodotto
  • Adatto per circuiti oscillatori a controllo di tensione (VCO), bias tee e filtri di precisione che operano a temperature elevate

2. Qualità testata al 100% su wafer e KGD (Known Good Die)

  • Ogni die viene testato elettricamente a livello di wafer per capacità, dispersione e breakdown prima del taglio
  • Fornito come Known Good Die per la massima resa in assemblaggi ibridi, MCM e chip-on-board
  • Tensione di tenuta del dielettrico >200V (>2,5× nominale), testato al 100% in produzione
  • Dispersione ultra-bassa: <10 nA @ 25°C e <100 nA @ 125°C con polarizzazione DC completa di 80V
  • Metallizzazione superiore saldabile a filo TaN/TiW/Ni/Au (≥2,5 µm Au) e retro in TiW-Pt-Au per attacco universale del die
  • Tracciabilità del lotto e dati S-parameter forniti per lotto di produzione


Specifiche tipiche

Parametro Valore Condizione di test
Capacità nominale 1000 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C
Tensione DC nominale 80V Continuo, da -55°C a +125°C
Tensione di tenuta del dielettrico >200V (>2,5× nominale) Tempo di permanenza 5 s, testato al 100%
TCC 0 ±30 ppm/°C COG/NPO, da -55°C a +125°C
Corrente di dispersione <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C 80V DC
Fattore Q >2000 @ 1 MHz Tipico
ESR @ 1 GHz <0,1 Ohm De-embedded
ESL intrinseca del chip <0,05 nH De-embedded S-parameter
Dimensioni del chip 0,75 × 0,75 × 0,20 mm ±25 µm
Temperatura operativa da -55°C a +125°C Parametrica completa
Qualità Testato al 100% su wafer, KGD Screening a livello di wafer


Applicazioni

  • Circuiti RF e microonde ad alta temperatura
  • Disaccoppiamento della rete di polarizzazione dell'amplificatore di potenza
  • Filtri di precisione e circuiti oscillatori a controllo di tensione (VCO)
  • Moduli per telecomunicazioni, industriali e di strumentazione


Capacitore MOS con deriva termica quasi nulla da 1000 pF, testato su wafer, KGD, monostrato, per RF ad alta temperatura