| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC102S80V750KGD |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
HACC102S80V750KGD - Condensatore MOS a deriva termica quasi zero da 1000 pF, 80V, KGD su wafer, chip a singolo strato
In breve: L'HACC102S80V750KGD è un condensatore MOS a singolo strato saldabile a filo da 1000 pF ±10% a 80V DC con dielettrico COG/NPO a deriva termica quasi zero. Ogni die è testato al 100% su wafer e spedito come Known Good Die (KGD) per un'elevata resa di assemblaggio in circuiti RF, telecomunicazioni e industriali ad alta temperatura.
1. Deriva termica quasi zero e coefficienti di alta temperatura
2. Qualità testata al 100% su wafer e KGD (Known Good Die)
| Parametro | Valore | Condizione di test |
| Capacità nominale | 1000 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms, 25°C |
| Tensione DC nominale | 80V | Continuo, da -55°C a +125°C |
| Tensione di tenuta del dielettrico | >200V (>2,5× nominale) | Tempo di permanenza 5 s, testato al 100% |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | COG/NPO, da -55°C a +125°C |
| Corrente di dispersione | <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C | 80V DC |
| Fattore Q | >2000 @ 1 MHz | Tipico |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ohm | De-embedded |
| ESL intrinseca del chip | <0,05 nH | De-embedded S-parameter |
| Dimensioni del chip | 0,75 × 0,75 × 0,20 mm | ±25 µm |
| Temperatura operativa | da -55°C a +125°C | Parametrica completa |
| Qualità | Testato al 100% su wafer, KGD | Screening a livello di wafer |
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