| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HACC102S80V750KGD |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | T/T,L/C,D/A,D/P |
HACC102S80V750KGD - Πυκνωτής MOS με Σχεδόν Μηδενική Θερμική Μετατόπιση 1000 pF, 80V, Δοκιμασμένος σε Πλάκα KGD Μονοστρωματικός Τσιπ
Με λίγα λόγια: Ο HACC102S80V750KGD είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS με δυνατότητα συγκόλλησης καλωδίων, ονομαστικής χωρητικότητας 1000 pF ±10% στα 80V DC με διηλεκτρικό COG/NPO με σχεδόν μηδενική θερμική μετατόπιση. Κάθε τσιπ ελέγχεται πλήρως σε επίπεδο πλάκας και αποστέλλεται ως Known Good Die (KGD) για υψηλή απόδοση συναρμολόγησης σε κυκλώματα RF, τηλεπικοινωνιών και βιομηχανικά κυκλώματα υψηλής θερμοκρασίας.
1. Σχεδόν Μηδενική Θερμική Μετατόπιση & Υψηλοί Θερμικοί Συντελεστές
2. 100% Δοκιμασμένο σε Πλάκα & Ποιότητα KGD (Known Good Die)
| Παράμετρος | Τιμή | Συνθήκη Δοκιμής |
| Ονομαστική χωρητικότητα | 1000 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms, 25°C |
| Ονομαστική τάση DC | 80V | Συνεχής, -55°C έως +125°C |
| Τάση διηλεκτρικής αντοχής | >200V (>2.5× ονομαστική) | 5 s παραμονή, 100% δοκιμή |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | COG/NPO, -55°C έως +125°C |
| Ρεύμα διαρροής | <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C | 80V DC |
| Συντελεστής Q | >2000 @ 1 MHz | Τυπικός |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ohm | Απο-ενσωματωμένο |
| Εγγενής ESL τσιπ | <0.05 nH | Απο-ενσωματωμένο S-parameter |
| Διαστάσεις τσιπ | 0.75 × 0.75 × 0.20 mm | ±25 µm |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C έως +125°C | Πλήρως παραμετρικό |
| Ποιότητα | 100% δοκιμασμένο σε πλάκα, KGD | Έλεγχος σε επίπεδο πλάκας |
![]()