λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Περίπου Μηδενική Θερμική Μετατόπιση Πυκνωτής MOS 1000 pF Δοκιμασμένος σε Δισκίο KGD Μονού Στρώματος Τσιπ για RF Υψηλής Θερμοκρασίας

Περίπου Μηδενική Θερμική Μετατόπιση Πυκνωτής MOS 1000 pF Δοκιμασμένος σε Δισκίο KGD Μονού Στρώματος Τσιπ για RF Υψηλής Θερμοκρασίας

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC102S80V750KGD
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/A,D/P
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015
Ευαισθησία υγρασίας:
MSL 1 (Απεριόριστη διάρκεια ζωής δαπέδου ανά J-STD-020)
Κάλυψη δοκιμής σε επίπεδο γκοφρέτας:
100% χωρητικότητα, διαρροή και βλάβη που ανιχνεύονται σε γκοφρέτα
Ποιότητα ποιότητας:
KGD (Known Good Die), 100% γκοφρέτα ανιχνευμένη και ελεγμένη
Εφαρμογές:
Δίκτυα πόλωσης ραδιοσυχνοτήτων υψηλής θερμοκρασίας, ενισχυτή ισχύος, τηλεπικοινωνιακές και βιομηχανι
Επισημαίνω:

Πυκνωτής MOS 1000 pF

,

Πυκνωτής MOS με Περίπου Μηδενική Θερμική Μετατόπιση

,

Πυκνωτής MOS RF Υψηλής Θερμοκρασίας

Περιγραφή προϊόντων

HACC102S80V750KGD - Πυκνωτής MOS με Σχεδόν Μηδενική Θερμική Μετατόπιση 1000 pF, 80V, Δοκιμασμένος σε Πλάκα KGD Μονοστρωματικός Τσιπ

Με λίγα λόγια: Ο HACC102S80V750KGD είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS με δυνατότητα συγκόλλησης καλωδίων, ονομαστικής χωρητικότητας 1000 pF ±10% στα 80V DC με διηλεκτρικό COG/NPO με σχεδόν μηδενική θερμική μετατόπιση. Κάθε τσιπ ελέγχεται πλήρως σε επίπεδο πλάκας και αποστέλλεται ως Known Good Die (KGD) για υψηλή απόδοση συναρμολόγησης σε κυκλώματα RF, τηλεπικοινωνιών και βιομηχανικά κυκλώματα υψηλής θερμοκρασίας.


Βασικά Πλεονεκτήματα Απόδοσης

1. Σχεδόν Μηδενική Θερμική Μετατόπιση & Υψηλοί Θερμικοί Συντελεστές

  • Διηλεκτρικό κλάσης I COG/NPO με TCC 0 ±30 ppm/°C σε εύρος -55°C έως +125°C, παρέχοντας μεταβολή χωρητικότητας κάτω από ±0.3% σε ολόκληρο το εύρος
  • Συντελεστής DC πόλωσης σχεδόν μηδενικός (<10 ppm/V), αποτρέποντας την αποσυντονισμό δικτύων αντιστοίχισης υπό πόλωση
  • Μηδενική γήρανση, ώστε η χωρητικότητα να παραμένει σταθερή καθ' όλη τη διάρκεια ζωής του προϊόντος
  • Κατάλληλο για δεξαμενές VCO, bias tees και φίλτρα ακριβείας που λειτουργούν σε αυξημένες θερμοκρασίες

2. 100% Δοκιμασμένο σε Πλάκα & Ποιότητα KGD (Known Good Die)

  • Κάθε τσιπ ελέγχεται ηλεκτρικά σε επίπεδο πλάκας για χωρητικότητα, διαρροή και διάσπαση πριν από την κοπή
  • Παρέχεται ως Known Good Die για μέγιστη απόδοση σε υβριδικές, MCM και chip-on-board κατασκευές
  • Τάση διηλεκτρικής αντοχής >200V (>2.5× ονομαστική), 100% δοκιμασμένη παραγωγή
  • Εξαιρετικά χαμηλή διαρροή: <10 nA @ 25°C και <100 nA @ 125°C σε πλήρη πόλωση DC 80V
  • Μεταλλικό επίστρωμα TaN/TiW/Ni/Au (Au ≥2.5 µm) και πίσω όψη TiW-Pt-Au για καθολική προσάρτηση τσιπ, συμβατό με συγκόλληση καλωδίων
  • Παρέχεται ιχνηλασιμότητα παρτίδας και δεδομένα S-parameter ανά παρτίδα παραγωγής


Τυπικές Προδιαγραφές

Παράμετρος Τιμή Συνθήκη Δοκιμής
Ονομαστική χωρητικότητα 1000 pF ±10% 1 MHz, 1.0 Vrms, 25°C
Ονομαστική τάση DC 80V Συνεχής, -55°C έως +125°C
Τάση διηλεκτρικής αντοχής >200V (>2.5× ονομαστική) 5 s παραμονή, 100% δοκιμή
TCC 0 ±30 ppm/°C COG/NPO, -55°C έως +125°C
Ρεύμα διαρροής <10 nA @ 25°C; <100 nA @ 125°C 80V DC
Συντελεστής Q >2000 @ 1 MHz Τυπικός
ESR @ 1 GHz <0.1 Ohm Απο-ενσωματωμένο
Εγγενής ESL τσιπ <0.05 nH Απο-ενσωματωμένο S-parameter
Διαστάσεις τσιπ 0.75 × 0.75 × 0.20 mm ±25 µm
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C έως +125°C Πλήρως παραμετρικό
Ποιότητα 100% δοκιμασμένο σε πλάκα, KGD Έλεγχος σε επίπεδο πλάκας


Εφαρμογές

  • Κυκλώματα RF και μικροκυμάτων υψηλής θερμοκρασίας
  • Αποσύζευξη δικτύου πόλωσης ενισχυτή ισχύος
  • Κυκλώματα δεξαμενών ακριβείας και VCO
  • Μονάδες τηλεπικοινωνιών, βιομηχανικές και οργανολογίας


Περίπου Μηδενική Θερμική Μετατόπιση Πυκνωτής MOS 1000 pF Δοκιμασμένος σε Δισκίο KGD Μονού Στρώματος Τσιπ για RF Υψηλής Θερμοκρασίας